【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体器件加工,具体为一种硅环表面高精倾斜度的加工设备。
技术介绍
1、硅环是集成电路制造过程中的一种辅助材料,主要用在离子注入工序用于支撑和固定硅片,硅是一种非金属元素,作为仅次于氧的最丰富的元素存在于地壳中,主要以熔点很高的氧化物和硅酸盐的形式存在,在对硅环表面进行加工时需要用到打磨设备对硅环进行加工。
2、请参阅申请号为202110926138.4的一种硅环表面高精倾斜度的加工设备及其加工方法,在该申请中提出“目前硅坏加工工艺为外径研磨、外径倒角、双面研磨、加工中心做a面内径和定位孔、加工中心做b面卡槽、腐蚀、卡槽研磨、卡槽抛光、双面抛光、清洗,部分硅环需要对内径加工:硅环研磨采用车床用砂轮研磨,硅环倒角采用倒角盆手动倒角,这种方法加丅出来的硅环内外径倾斜度难以控制,倒角的一致性很差,同时倒角后会有很多小崩边,影响硅环的使用寿命,使用名种设备加工,缺乏专用千环形产品的加工设备,加工效率低,而且现有的硅环加工过程中会产生飞灰逸散到空气中,污染环境”本申请针对该技术问题提出另外一种技术方案来解决该技术问题。
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【技术保护点】
1.一种硅环表面高精倾斜度的加工设备,包括加工台(1),其特征在于:所述加工台(1)上设置有固定调节机构,所述加工台(1)上设置有除尘机构;
2.根据权利要求1所述的一种硅环表面高精倾斜度的加工设备,其特征在于:所述加工台(1)的底部开设有转动孔,所述抱闸电机(3)的输出轴通过转动孔与加工座(4)固定连接。
3.根据权利要求1所述的一种硅环表面高精倾斜度的加工设备,其特征在于:所述加工台(1)的顶部开设有圆形槽,所述限位块(5)通过圆形槽与加工台(1)活动连接。
4.根据权利要求1所述的一种硅环表面高精倾斜度的加工设备,其特征在于:
...【技术特征摘要】
1.一种硅环表面高精倾斜度的加工设备,包括加工台(1),其特征在于:所述加工台(1)上设置有固定调节机构,所述加工台(1)上设置有除尘机构;
2.根据权利要求1所述的一种硅环表面高精倾斜度的加工设备,其特征在于:所述加工台(1)的底部开设有转动孔,所述抱闸电机(3)的输出轴通过转动孔与加工座(4)固定连接。
3.根据权利要求1所述的一种硅环表面高精倾斜度的加工设备,其特征在于:所述加工台(1)的顶部开设有圆形槽,所述限位块(5)通过圆形槽与加工台(1)活动连接。
4.根据权利要求1所述的一种硅环表面高精倾斜度的加工设备,其特征在于:所述丝杆(8)的外侧开设有两段相反方向的螺纹槽,两个所述活动块(9)的内部开设有与螺纹槽方向相对应的螺纹孔,所述活动块(9)通过螺纹孔在丝杆(8)上进行相对或相背移动。
5.根据权利要求1所述的一种硅环表面高精倾斜度的加工设备,其特征在于:所述加工座(4)的顶部开设有第一活动槽,所述活动块(9)通过第一活动槽延伸至加工座(4)的顶部。
6.根据权利要求1所述的一种硅环表面高精倾斜度的加工设备,其特...
【专利技术属性】
技术研发人员:王乃奎,
申请(专利权)人:无锡纳斯凯半导体科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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