基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质制造方法及图纸

本公开公开一种基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质，在对基板进行处理时，能够向该基板的面内均匀地供给气体。基板处理装置具备：反应管，其收纳对基板进行支承的基板支承件；以及气体供给喷嘴，其从所述反应管的侧方沿所述基板的面内方向对被收纳于所述反应管的所述基板支承件支承的所述基板供给气体，所述气体供给喷嘴在所述基板的面内方向的端缘附近部和中央部具有第一气体喷出口，该第一气体喷出口形成为在所述端缘附近部的所述面内方向的正交方向的开口尺寸比在所述中央部的所述面内方向的正交方向的开口尺寸大。寸大。寸大。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质


[0001]本公开涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质。

技术介绍

[0002]作为在半导体装置的制造工序的一个工序中使用的基板处理装置，有批量式立式处理装置。批量式立式处理装置构成为，在将多张基板(晶圆)支承于基板支承件(晶舟)的状态下收纳于处理炉内，一边沿该基板的面内方向向该处理炉内的基板供给气体，一边进行对该基板的处理(例如成膜处理、热处理等)(例如，参照专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2006
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173531号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]本公开提供一种在对基板进行处理时，能够向该基板的面内均匀地供给气体的技术。
[0008]用于解决课题的方案
[0009]根据一个方案，提供一种技术，其具备：
[0010]反应管，其收纳对基板进行支承的基板支承件；以及
[0011]气体供给喷嘴，其从所述反应管的侧方沿所述基板的面内方向对被收纳于所述反应管的所述基板支承件支承的所述基板供给气体，
[0012]所述气体供给喷嘴在所述基板的面内方向的端缘附近部和中央部具有第一气体喷出口，该第一气体喷出口形成为在所述端缘附近部的所述面内方向的正交方向的开口尺寸比在所述中央部的所述面内方向的正交方向的开口尺寸大。
[0013]专利技术效果
[0014]根据本公开，在对基板进行处理时，能够向该基板的面内均匀地供给气体。
附图说明
[0015]图1是表示本公开的一个实施方式的基板处理装置的主要部分的结构的剖视图。
[0016]图2是表示本公开的一个实施方式的基板处理装置的气体供给喷嘴的一个结构例的说明图，图2的(a)是表示图1中的A
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A剖面的图，图2的(b)是表示图2的(a)中的B向视的一例的图，图2的(c)是表示图2的(a)中的B向视的另一例的图。
[0017]图3是表示本公开的一个实施方式的基板处理装置的气体供给喷嘴的另一个结构例的说明图，图3的(a)是表示图1中的A
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A剖面的图，图3的(b)是表示图3的(a)中的C向视的一例的图，图3的(c)是表示图3的(a)中的C向视的另一例的图。
[0018]图4是表示本公开的一个实施方式的基板处理装置的控制部的结构例的框图。
[0019]图5是表示本公开的一个实施方式的基板处理工序的流程的流程图。
[0020]图6是表示来自本公开的一个实施方式的基板处理装置的气体供给喷嘴的气体的流动的说明图，图6的(a)是表示气体供给喷嘴的一个结构例中的气体的流动的图，图6的(b)是表示比较例中的气体的流动的图。
[0021]图中：
[0022]100—基板处理装置；101—基板；120—反应管；140—基板支承件(晶舟)；150—气体供给部；158—气体喷出口；158a—端缘附近部；158b—中央部。
具体实施方式
[0023]以下，参照附图对本公开的一个实施方式进行说明。
[0024]在以下的说明中列举的基板处理装置是在半导体装置的制造工序中使用的装置，构成为对成为处理对象的基板进行预定的工艺处理。
[0025]成为处理对象的基板例如是制作有半导体装置(半导体器件)的作为半导体基板的硅晶圆(以下，简称为“晶圆”)。另外，在本说明书中使用“晶圆”这一用语的情况下，存在指“晶圆本身”的情况、“晶圆和形成于其表面的预定的层、膜等的层叠体(集合体)”的情况(即，包含形成于表面的预定的层、膜等在内称为晶圆的情况)。另外，在本说明书中使用“晶圆的表面”这一用语的情况下，有时指“晶圆本身的表面(露出面)”的情况、“形成于晶圆上的预定的层、膜等的表面、即作为层叠体的晶圆的最外表面”。在本说明书中使用“基板”这一用语的情况也与使用“晶圆”这一用语的情况相同。
[0026]对晶圆进行的预定的工艺处理(以下有时也简称为“处理”)。例如，有成膜处理、退火处理(改性处理)、氧化处理、扩散处理、蚀刻处理、预清洁处理、腔室清洁处理等。在本实施方式中，特别列举进行成膜处理的情况。
[0027](1)基板处理装置的结构
[0028]首先，主要根据图1～图4对本实施方式的基板处理装置的结构进行说明。另外，在以下的说明中使用的附图均是示意性的，附图上的各要素的尺寸的关系、各要素的比率等未必与现实一致。另外，在多个附图的相互之间，各要素的尺寸的关系、各要素的比率等也未必一致。
[0029](处理室)
[0030]如图1所示，本实施方式的基板处理装置100构成为具备反应管120。
[0031]在反应管120的外侧配设有作为加热单元(加热机构)的加热器110。加热器110对反应管120的内部、特别是后述的内管130的内部进行加热。加热器110可以被分割为在上下方向上分成多个区块的区域加热器(在图1的例子中为三个区域加热器111、112、113)。在该情况下，各区域加热器111、112、113能够基于后述的温度传感器191、192、193的数据，单独地控制加热状态。
[0032]在反应管120的内侧配设有内管130。内管130由例如石英(SiO2)或碳化硅(SiC)等耐热性材料构成，形成为上端封闭且下端开口的圆筒形状。在内管130的筒内形成有用于对晶圆101进行处理的处理室201。
[0033]内管130构成为能够在筒内收纳基板支承件(晶舟)140。基板支承件140构成为在使多张(例如25～200张)晶圆101以水平姿势且相互中心对齐的状态沿垂直方向排列的状
态下进行支承(保持)。即，基板支承件140在使多张晶圆101隔开各自的间隔而多层排列的状态下进行支承。基板支承件140例如由石英、SiC等耐热性材料形成。在这样的基板支承件140中，多张晶圆101通过被分隔板支承部141支承的多个分隔板142而被分隔开。在分隔板142的最上方具有顶板143。
[0034]基板支承件140经由支柱144与设置于反应管120的外部的晶舟升降机160连接。晶舟升降机160进行基板支承件140相对于内管130的出入。即，晶舟升降机160将基板支承件140从内管130的内部向外部(内管130的下部)取出，或相反地将基板支承件140从内管130的外部(内管130的下部)插入内部。另外，晶舟升降机160根据需要使插入到内管130的内部的基板支承件140旋转。
[0035]因此，晶舟升降机160具备：支承支柱144的工作台164、搭载于工作台164的上工作台168、固定于工作台164并旋转驱动支柱144的旋转驱动用马达161、沿上下方向驱动工作台164的上下驱动用马达162、与上下驱动用马达162连接的滚珠丝杠163、固定于工作台164并与滚珠丝杠163螺合的滚珠螺母165、引导工作台164的上下方向的移动的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：反应管，其收纳对基板进行支承的基板支承件；以及气体供给喷嘴，其从所述反应管的侧方沿所述基板的面内方向对被收纳于所述反应管的所述基板支承件支承的所述基板供给气体，所述气体供给喷嘴在所述基板的面内方向的端缘附近部和中央部具有第一气体喷出口，该第一气体喷出口形成为在所述端缘附近部的所述面内方向的正交方向的开口尺寸比在所述中央部的所述面内方向的正交方向的开口尺寸大。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述第一气体喷出口形成为所述基板的面内方向的开口尺寸为所述基板的面内方向的正交方向的开口尺寸的4倍以上且10倍以下。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述气体供给喷嘴在与所述第一气体喷出口连通的气体路径上具有狭小部。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述第一气体喷出口形成为从气体喷出目的地观察的平面形状为具有沿所述基板的面内方向延伸的长边的矩形状。5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述第一气体喷出口在所述基板的面内方向的端缘附近部和中央部形成为所述中央部变窄的平面形状。6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，所述第一气体喷出口的开口尺寸形成为比所述基板的直径小。7.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，在所述气体路径中流动的气体为处理气体。8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，所述处理气体为原料气体或反应气体。9.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，所述气体供给喷嘴具有与所述气体路径不同的供给惰性气体的气体路径。10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，所述气体供给喷嘴具有喷出所述惰性气体的...

【专利技术属性】
技术研发人员：神田达辉，冈岛优作，竹林雄二，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：