半导体设备的制造方法、基板处理系统以及记录介质技术方案

本发明专利技术提供一种半导体设备的制造方法、基板处理系统以及记录介质，通过使制程应对特别是在需要长时间的成膜工序中产生的大气压的变动，来得到所期待的成膜结果。半导体设备的制造方法包括按照基板的处理条件对基板进行处理的工序；与对所述基板进行处理的工序并行地收集大气压数据的工序；使用收集到的所述大气压数据对所述基板的处理条件进行调整的工序；以及按照所述处理条件进行所述基板处理的控制的工序。控制的工序。控制的工序。

【技术实现步骤摘要】
半导体设备的制造方法、基板处理系统以及记录介质


[0001]本公开涉及半导体设备的制造方法、基板处理系统以及记录介质。

技术介绍

[0002]基板处理装置的控制部在存储卡或磁盘等的存储装置内保存了指示在基板上成膜半导体的顺序以及条件(例如，成膜所使用的温度、气体流量、压力等)的文件(以下，称为“制程”)。与成膜的类别(例如膜厚)对应地准备了多种制程。用户根据想要制造的半导体设备的类别使控制部读取最优化的制程，通过执行该支承来进行半导体的成膜。然而，有时因气压变动等外因而导致无法得到期待的成膜结果。
[0003]作为用于应对气压的变动的通常的方法，如下述专利文献1记载的技术那样进行了如下的方法：在执行制程之前测定当前的大气压，并算出与该大气压对应的最优化的成膜时间，在修正了制程内的成膜步骤时间之后开始制程。然而，在为需要长成膜时间的制程的情况下，在成膜工序中大气压大幅度变动的可能性很高。在该情况下，像以往那样仅在制程开始前修正成膜步骤时间，有难以得到制程所期待的成膜结果的情况。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献1：JP特开平11
‑
195566号公报

技术实现思路

[0006]本公开的目的在于，通过使制程应对在成膜工序中产生的大气压的变动，来得到所期待的成膜结果。
[0007]根据本公开的一个方面提供一种技术，其包括：
[0008]按照基板的处理条件对基板进行处理的工序；
[0009]与对所述基板进行处理的工序并行地收集大气压数据的工序；
[0010]使用收集到的所述大气压数据对所述基板的处理条件进行调整的工序；以及
[0011]按照所述处理条件进行所述基板处理的控制的工序。
[0012]专利技术效果
[0013]根据本公开，通过使制程应对在成膜工序中产生的大气压的变动，能够得到所期待的成膜结果。
附图说明
[0014]图1是示出实施方式的基板处理系统的框图。
[0015]图2是示出图1的框图中的基板处理装置的概要的框图。
[0016]图3是示出图1的框图中的组管理装置的概要的框图。
[0017]图4是示意性示出基板处理装置的一例的立体图。
[0018]图5是图4的基板处理装置中的处理炉的概略构成图。
[0019]图6是图5的处理炉的横向剖视图。
[0020]图7是沿着时间序列示出以往的成膜工序的各步骤的示意图。
[0021]图8是沿着时间序列示出本公开的成膜工序的各步骤的示意图。
[0022]图9是用图表示出步骤时间调整模型的概要。
[0023]图10是用图表示出成膜时间与膜厚的关系的一例。
[0024]图11是用流程图示出实施方式的半导体设备的制造方法。
[0025]图12是用时序图示出实施方式的半导体设备的制造方法。
[0026]其中，附图标记说明如下：
[0027]1 基板处理系统
[0028]2 基板处理装置
[0029]200 基板
[0030]201 处理室
[0031]310 控制部
[0032]430 调整部
[0033]500 气压测定器
具体实施方式
[0034]以下，参照附图说明本公开的实施方式。此外，各附图只不过为示意图，图中示出的各部分的大小或各部分彼此之间的大小的比率并非一定反映出实际的装置。另外，在各图中共同出现的附图标记即使在针对各图的说明中没有言及的情况下也是指共同的构成。
[0035](1)基板处理系统
[0036]图1是示出本实施方式的基板处理系统的框图。图2是示出图1的框图中的基板处理装置的概要的框图。图3是示出图1的框图中的组管理装置的概要的框图。图4是示意性示出基板处理装置的一例的立体图。图5是图4的基板处理装置中的处理炉的概略构成图。图6是图5的处理炉的横向剖视图。
[0037]如图1所示，该基板处理系统1由多个基板处理装置2、组管理装置400以及气压测定器500构成，彼此经由网络连接在一起。基板处理装置2如图2所示具备具有处理室201(参照图5)的处理炉202、以及进行处理炉202中的基板的处理的控制的主控制器300。主控制器300具备控制部310、存储部320、显示操作部330、外部存储部340、通信部350。控制部310由CPU构成，其基于存储在存储部320以及外部存储部340内的、作为基板的处理条件的制程数据以及装置参数等的各种数据，执行存储在存储部320内的处理炉202的控制程序。显示操作部330为用户操作主控制器300时的界面。通信部350与后述的组管理装置400进行通信。
[0038]组管理装置400具备控制部410、存储部420、调整部430、与上述主控制器300进行通信的通信部450、以及供外部机器连接的I/O端口440。在组管理装置400经由I/O端口440连接有气压测定器500。控制部410由CPU构成，执行存储在存储部420内的组管理装置400的控制程序。存储部420除了组管理装置400的控制程序以外，还保存后述的步骤时间调整模型，并且将经由I/O端口440从气压测定器500输入的大气压数据保存为作为基板的处理条件的制程数据的调整所使用的装置数据。调整部430将保存在存储部420内的装置数据应用于步骤时间调整模型，来执行制程数据的调整。通信部450将由调整部430调整后的制程数据向主控制器300发送。接收到该制程数据的主控制器300的控制部310进行制程数据的调
整，并据此控制处理炉202。
[0039]参照图4说明本实施方式的基板处理装置2的构成。如图4所示，供收纳了多个由硅等构成的基板200的晶片盒100使用的本公开的基板处理装置2具备框体101。在晶片盒搬入搬出口(未图示)的框体101内侧设有晶片盒载台(基板收容器交接台)105。晶片盒100通过工序内搬运装置(未图示)而搬入到晶片盒载台105上，另外，从晶片盒载台105上搬出。晶片盒载台105通过工序内搬运装置使晶片盒100内的基板200成为垂直姿势，以使晶片盒100的基板出入口朝向上方的方式载置。晶片盒载台105构成为在框体后方将晶片盒100顺时针地纵向旋转90
°
，晶片盒100内的基板200成为水平姿势，能够以使晶片盒100的基板出入口朝向框体后方的方式进行动作。
[0040]在框体101内的前后方向上的大致中央部设置有晶片盒架(基板收容器载置架)109，晶片盒架109构成为以多层多列保管多个晶片盒100。在晶片盒架109设有供晶片盒100收纳的移载架123。另外，在晶片盒载台105的上方设有备用晶片盒架110，作为备用来保管晶片盒100。在晶片盒载台105与晶片盒架109之间由保持晶片盒100的状态下可升降的晶片盒升降机(基板收容器升降机构)115和晶片盒移载机114构成，并构成为通过晶片盒升降机115与晶片盒移载机114的连续动作，在晶片盒本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备的制造方法，其包括：按照基板的处理条件对基板进行处理的工序；与对所述基板进行处理的工序并行地收集大气压数据的工序；使用收集到的所述大气压数据对所述基板的处理条件进行调整的工序；以及按照所述处理条件进行所述基板处理的控制的工序。2.根据权利要求1所述的半导体设备的制造方法，其中，所述处理条件在进行所述基板的处理的步骤被定义，所述步骤以至少具有一个的制程来定义。3.根据权利要求2所述的半导体设备的制造方法，其中，所述处理条件具有所述步骤的进行处理的时间。4.根据权利要求1所述的半导体设备的制造方法，其中，以所述调整后的处理条件继续进行对所述基板进行处理的工序。5.根据权利要求1所述的半导体设备的制造方法，其中，在对所述基板进行处理的工序中，构成为以一定周期获取所述大气压数据。6.根据权利要求1所述的半导体设备的制造方法，其中，在对所述基板的处理条件进行调整的工序中，包括：根据所述大气压数据算出平均值的工序；根据算出的所述大气压数据的平均值和事先创建的模型获取成膜时间的工序；以及根据获取到的所述成膜时间再次获取所述基板的处理条件的工序。7.根据权利要求6所述的半导体设备的制造方法，其中，所述事先创建的模型是根据步骤时间和膜厚结果的实验结果来创建的。8.根据权利要求6所述的半导体设备的制造方法，其中，当事先决定的条件成立时中断对所述基板进行处理的工序，在对所述基板进行处理的工序被中断后对所述基板的处理条件进行调整的工序中，再次获取所述基板的处理条件，按照再次获取到的所述基板的处理条件再次开始对所述基板进行处理的工序。9.根据权利要求6所述的半导体设备的制造方法，其中，所述处理条...

【专利技术属性】
技术研发人员：筱泽宗人，上田修，京极贵规，浅井一秀，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：