一种晶圆减薄方法技术

本发明专利技术公开了一种晶圆减薄方法，其包括：用UV胶将晶圆粘接在具有透光性的承载基板上；控制砂轮以第一向下进给速率和第一转速对所述晶圆的表面进行第一次研磨，得到一次研磨后的晶圆；控制所述砂轮以第二向下进给速率和第二转速对所述一次研磨后的晶圆的表面进行第二次研磨，得到二次研磨后的晶圆；其中，所述第二向下进给速率小于所述第一向下进给速率，所述第二转速大于所述第一转速；采用紫外光对所述承载基板照射第一预设时间，使得所述UV胶的粘度降低至第一预设粘度；将所述二次研磨后的晶圆从所述承载基板上分离。本发明专利技术能够保证晶圆与承载基板之间具有较强的粘接力，同时降低晶圆与承载基板的分离难度。晶圆与承载基板的分离难度。晶圆与承载基板的分离难度。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆减薄方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种晶圆减薄方法。

技术介绍

[0002]目前的晶圆减薄方法通常是先将晶圆粘接在承载基板上再进行研磨，其粘接质量的好坏直接影响研磨的效果，如果所用的胶水粘接力强，在研磨后的分离过程中比较困难，对于晶圆的正面会造成一定程度的破坏，如果粘接力弱，那么会导致生产过程中，产品会从夹具上直接脱落，会造成更大的经济损失。

技术实现思路

[0003]针对上述问题，本专利技术的目的在于提供一种晶圆减薄方法，能够保证晶圆与承载基板之间具有较强的粘接力，同时降低晶圆与承载基板的分离难度。
[0004]为了实现上述目的，本专利技术一实施例提供了一种晶圆减薄方法，其包括：
[0005]用UV胶将晶圆粘接在具有透光性的承载基板上；
[0006]控制砂轮以第一向下进给速率和第一转速对所述晶圆的表面进行第一次研磨，得到一次研磨后的晶圆；
[0007]控制所述砂轮以第二向下进给速率和第二转速对所述一次研磨后的晶圆的表面进行第二次研磨，得到二次研磨后的晶圆；其中，所述第二向下进给速率小于所述第一向下进给速率，所述第二转速大于所述第一转速；
[0008]采用紫外光对所述承载基板照射第一预设时间，使得所述UV胶的粘度降低至第一预设粘度；
[0009]将所述二次研磨后的晶圆从所述承载基板上分离。
[0010]作为上述方案的改进，所述第一向下进给速率为0.25
‑
0.35mm/s，所述第二向下进给速率为0.05
‑
0.15mm/s。
[0011]作为上述方案的改进，所述第一转速为2000
‑
4000rpm，所述第二转速为5000
‑
7000rpm。
[0012]作为上述方案的改进，所述第一次研磨的磨削深度为0.95
‑
1.05mm。
[0013]作为上述方案的改进，所述第二次研磨的磨削深度为0.75
‑
0.85mm。
[0014]作为上述方案的改进，所述用UV胶将晶圆粘接在具有透光性的承载基板上，包括：
[0015]在具有透光性的承载基板的表面上涂覆UV胶；其中，所述UV胶的粘度为第二预设粘度；
[0016]采用紫外光对所述承载基板照射第二预设时间，使得所述UV胶的粘度降低至第三预设粘度；
[0017]将晶圆粘贴在所述承载基板表面的UV胶上；
[0018]采用紫外光对所述承载基板照射第三预设时间，以固化所述UV胶，使得所述晶圆粘接在所述承载基板上。
[0019]作为上述方案的改进，所述UV胶的厚度为80
‑
90um。
[0020]作为上述方案的改进，所述第一预设粘度为0.02
‑
0.03N/in，所述第二预设粘度为20
‑
25N/in，所述第三预设粘度为15
‑
20N/in。
[0021]作为上述方案的改进，所述第一预设时间为4
‑
6min，所述第二预设时间为2
‑
4s，所述第三预设时间为55
‑
65s。
[0022]作为上述方案的改进，所述紫外光的光照强度为3000
‑
4000mj/CM2。
[0023]相比于现有技术，本专利技术实施例提供的所述晶圆减薄方法，通过采用UV胶将晶圆粘接在承载基板上，能够保证晶圆与承载基板之间具有较强的粘接力，从而能够有效减少晶圆在减薄过程中脱离承载基板而碎裂的情况发生，并且，通过两次工艺参数不同的研磨对晶圆进行减薄，能够降低因应力造成的晶圆型变，在减薄完成后，通过紫外光照射降低UV胶的粘度，能够有效降低晶圆与承载基板的分离难度，从而有效减少晶圆在分离过程中碎裂的情况发生。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本专利技术的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0025]图1是本专利技术实施例提供一种晶圆减薄方法的工艺流程图。
具体实施方式
[0026]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0027]请参见图1，本专利技术一实施例提供了一种晶圆减薄方法，其包括以下步骤：
[0028]S10、用UV胶将晶圆粘接在具有透光性的承载基板上；
[0029]S11、控制砂轮以第一向下进给速率和第一转速对所述晶圆的表面进行第一次研磨，得到一次研磨后的晶圆；
[0030]S12、控制所述砂轮以第二向下进给速率和第二转速对所述一次研磨后的晶圆的表面进行第二次研磨，得到二次研磨后的晶圆；其中，所述第二向下进给速率小于所述第一向下进给速率，所述第二转速大于所述第一转速；
[0031]S13、采用紫外光对所述承载基板照射第一预设时间，使得所述UV胶的粘度降低至第一预设粘度；
[0032]S14、将所述二次研磨后的晶圆从所述承载基板上分离。
[0033]需要说明的是，所述承载基板是具有透光性的，从而采用紫外光照射所述承载基板时，紫外光能够对UV胶进行作用，从而改变UV胶的粘度特性。
[0034]示例性地，所述承载基板可以是玻璃基板，当然所述承载基板也可以是选用其他透光性好的材料来制造得到，在此不作限定。
[0035]本专利技术实施例提供的所述晶圆减薄方法，通过采用UV胶将晶圆粘接在承载基板
上，能够保证晶圆与承载基板之间具有较强的粘接力，从而能够有效减少晶圆在减薄过程中脱离承载基板而碎裂的情况发生，并且，通过两次工艺参数不同的研磨对晶圆进行减薄，能够降低因应力造成的晶圆型变，在减薄完成后，通过紫外光照射降低UV胶的粘度，能够有效降低晶圆与承载基板的分离难度，从而有效减少晶圆在分离过程中碎裂的情况发生。
[0036]作为其中一个可选的实施例，为了保证研磨效果，本实施例中的所述第一向下进给速率为0.25
‑
0.35mm/s，所述第二向下进给速率为0.05
‑
0.15mm/s。例如，所述第一向下进给速率可以为0.25mm/s、0.275mm/s、0.3mm/s、0.325mm/s、0.35mm/s，所述第二向下进给速率可以为0.05mm/s、0.075mm/s、0.1mm/s、0.125mm/s、0.15mm/s。当然，所述第一向下进给速率和所述第二向下进给速率不限于上述列举的具体数值，其可以根据实际需求进行设置，在此不做更多的赘述。
[0037]作为其中一个可选的实施例，为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆减薄方法，其特征在于，包括：用UV胶将晶圆粘接在具有透光性的承载基板上；控制砂轮以第一向下进给速率和第一转速对所述晶圆的表面进行第一次研磨，得到一次研磨后的晶圆；控制所述砂轮以第二向下进给速率和第二转速对所述一次研磨后的晶圆的表面进行第二次研磨，得到二次研磨后的晶圆；其中，所述第二向下进给速率小于所述第一向下进给速率，所述第二转速大于所述第一转速；采用紫外光对所述承载基板照射第一预设时间，使得所述UV胶的粘度降低至第一预设粘度；将所述二次研磨后的晶圆从所述承载基板上分离。2.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于，所述第一向下进给速率为0.25
‑
0.35mm/s，所述第二向下进给速率为0.05
‑
0.15mm/s。3.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于，所述第一转速为2000
‑
4000rpm，所述第二转速为5000
‑
7000rpm。4.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于，所述第一次研磨的磨削深度为0.95
‑
1.05mm。5.根据权利要求1所述的晶圆减薄方法，其特征在于，所述第二次研磨的磨削深度为0.75
‑
0.85mm。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨圣合，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：