浅槽隔离结构的制备方法、浅槽隔离结构和半导体结构技术

本申请实施例提供了一种浅槽隔离结构的制备方法、浅槽隔离结构和半导体结构，该浅槽隔离结构的制备方法包括：提供基底，于基底上形成多个第一沟槽，且第一沟槽的剖面宽度沿垂直方向向下呈增大趋势；于基底的顶部和多个第一沟槽的内侧通过沉积工艺形成连续的第一隔离层，且第一隔离层位于第一沟槽内的部分形成第二沟槽；第二沟槽的剖面宽度沿垂直方向向下保持不变；于第一隔离层的表面通过ISSG工艺形成连续的第二隔离层，且第二隔离层位于第二沟槽内的部分将第二沟槽完全填满。这样，由于第一沟槽的剖面宽度沿垂直方向向下呈增大趋势，可以直接对第一沟槽进行隔离层的填充，不仅简化了浅槽隔离结构的制程，而且提高了该隔离结构的绝缘性能。构的绝缘性能。构的绝缘性能。

【技术实现步骤摘要】
浅槽隔离结构的制备方法、浅槽隔离结构和半导体结构


[0001]本申请涉及半导体制作
，尤其涉及一种浅槽隔离结构的制备方法、浅槽隔离结构和半导体结构。

技术介绍

[0002]浅槽隔离(Shallow Trench Isolation，STI)能够提供较小的隔离尺寸，而且具有平坦化的表面，逐渐成为半导体制造工艺中的主流隔离方法。
[0003]然而，对于传统的浅槽隔离工艺，在刻蚀形成沟槽时，随着沟槽深度的增加，沟槽的横截面宽度会逐渐减小。也就是说，刻蚀后的沟槽实际为V形，而不是所希望的U形。因此，在初步形成沟槽后，还需要对沟槽进行后续处理步骤，导致浅槽隔离结构的制程复杂，而且最终获得的浅槽隔离结构的隔离性能也不够理想。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种浅槽隔离结构的制备方法、浅槽隔离结构和半导体结构，能够简化浅槽隔离结构的制程，而且提高浅槽隔离结构的绝缘性能。
[0005]本申请的技术方案是这样实现的：
[0006]根据一些实施例，本申请第一方面提供了一种浅槽隔离结构的制备方法，该方法包括：...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种浅槽隔离结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供基底，于所述基底上形成多个第一沟槽，且所述第一沟槽的剖面宽度沿垂直方向向下呈增大趋势；于所述基底的顶部和多个所述第一沟槽的内侧通过沉积工艺形成连续的第一隔离层，且所述第一隔离层位于所述第一沟槽内的部分形成第二沟槽；其中，所述第二沟槽的剖面宽度沿垂直方向向下保持不变；于所述第一隔离层的表面通过ISSG工艺形成连续的第二隔离层，且所述第二隔离层位于所述第二沟槽内的部分将所述第二沟槽完全填满。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一沟槽的上半部分的最大剖面宽度小于或等于所述第一沟槽的下半部分的最大剖面宽度。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述于所述基底上形成多个第一沟槽，包括：根据预设刻蚀工艺对所述基底进行刻蚀处理，得到多个所述第一沟槽；其中，所述预设刻蚀工艺包括干法刻蚀和/或湿法刻蚀。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，当所述预设刻蚀工艺为干法刻蚀时，所述预设刻蚀工艺的刻蚀气体至少包括以下的其中一种：六氟化硫SF6、碳氟化合物CFs、氯气Cl2和氩气Ar。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：当所述第一隔离层位于所述第一沟槽内的部分形成第二沟槽时，控制所述第一隔离层的厚度沿垂直方向向下呈减小趋势，以使得所述第二沟槽的剖面宽度沿垂直方向向下保持不变。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述于所述基底的顶部和多个所述第一沟槽的内侧通过沉积工艺形成连续的第一隔离层，包括：根据预设阶梯覆盖率，利用原子层沉积ALD工艺对形成多个所述第一沟槽后的基底进行沉积处理，得到所述第一隔离层；其中，所述ALD工艺至少包括以下的其中一种：电浆式ALD工艺、触媒ALD工艺和热型ALD工艺。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述预设阶梯覆盖率小于或等于80％。8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述ALD工艺的反应压力为0.1～10托，所述ALD工艺的反应温度为300～600摄氏度，所述ALD工艺的反应气体为氧气，所述ALD工艺的气体流速为0.1～10升/分钟。9.根据权利要求1所述的制备方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑孟晟，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：