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本申请实施例提供了一种浅槽隔离结构的制备方法、浅槽隔离结构和半导体结构，该浅槽隔离结构的制备方法包括：提供基底，于基底上形成多个第一沟槽，且第一沟槽的剖面宽度沿垂直方向向下呈增大趋势；于基底的顶部和多个第一沟槽的内侧通过沉积工艺形成连续的第...
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