【技术实现步骤摘要】
电平位移器、半导体器件及其制备方法
[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种电平位移器及其制备方法、半导体器件及其制备方法。
技术介绍
[0002]高压功率栅极驱动芯片通常采用高压电路和低压电路的兼容工艺来实现。高压侧电路和低压侧电路之间通过电平位移器（Level Shifter）将来自低压侧电路的控制信号转换成高压侧电路的控制信号，以向高压侧电路传递，用来控制高压侧电路，实现了高压侧电路和低压侧电路之间的电平转换。
[0003]其中，在电平位移器的外周设置有隔离结构，用于隔离高压侧电路和电平位移器，防止漏电影响器件之间的功能。目前，常用的隔离结构例如包括：介质隔离（利用氧化物等绝缘介质对衬底内的器件结构进行隔离）、自隔离（依靠器件自身耗尽层耐压来实现器件之间的隔离）、结隔离（利用PN反向偏置的原理进行隔离）等。在设置隔离结构时，除了要保证隔离结构本身具备足够的耐压，以确保高压侧电路和电平位移器之间的隔离性能的同时，通常还需要兼顾电平位移器的耐压性能。
[0004]因此，如何在保证隔离结构的耐压...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电平位移器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有第一掺杂类型的掺杂层；场效应晶体管，包括第一掺杂类型的漏区、第一掺杂类型的源区和栅极结构，所述栅极结构形成在所述衬底上并位于所述源区和所述漏区之间；隔离结构，位于所述场效应晶体管的外围，所述隔离结构包括形成在所述掺杂层内的至少一个第二掺杂类型的隔离掺杂区，并且在至少一个隔离掺杂区之内设置有调整区域，所述调整区域中形成有凹槽或者所述调整区域为非注入区。2.如权利要求1所述的电平位移器，其特征在于，所述凹槽内还填充有非掺杂材料或者第一掺杂类型材料。3.如权利要求1所述的电平位移器，其特征在于，所述非注入区为所述隔离掺杂区的离子注入工艺中未进行离子注入的区域。4.如权利要求1所述的电平位移器，其特征在于，所述隔离掺杂区之内具有多个调整区域，多个调整区域顺应所述隔离掺杂区的延伸方向依次阵列排布在所述隔离掺杂区内。5.如权利要求1所述的电平位移器，其特征在于，所述衬底包括由下至上依次设置的第二掺杂类型的基底和第一掺杂类型的外延层，所述场效应晶体管形成在所述外延层上；以及，所述隔离结构包括由下至上依次设置且相互连接的至少两个隔离掺杂区，其中位于最底层的隔离掺杂区由所述基底向上扩展至所述外延层内。6.如权利要求5所述的电平位移器，其特征在于，所述隔离结构中的隔离掺杂区包括由外延层顶表面向内扩展至外延层内的第二掺杂类型的第一浅阱区；以及，所述电平位移器还包括由外延层顶表面向内扩展至外延层内的第二掺杂类型的第二浅阱区，所述第二浅阱区位于所述栅极结构的靠近源区的一侧，所述源区形成在所述第二浅阱区内，并且所述第一浅阱区从所述漏区的外侧环绕所述场效应晶体管而延伸至所述第二浅阱区以和所述第二浅阱区连接。7.如权利要求6所述的电平位移器，其特征在于，所述隔离结构中的隔离掺杂区还包括位于所述第一浅阱区下方且由上至下依次连接的第二掺杂类型的第一深阱区和第二掺杂类型的第一掩埋区；以及，所述电平位移器还包括位于所述第二浅阱区下方且由上至下依次连接的第二掺杂类型的第二深阱区和的第二掺杂类型的第二掩埋区，所述第一深阱区从所述漏区的外侧环绕所述场效应晶体管而延伸至所述第二深阱区以和所述第二深阱区连接，所述第一掩埋区从所述漏区的外侧环绕所述场效应晶体管而延伸至所述第二掩埋区以和所述第二掩埋区连接。8.如权利要求5所述的电平位移器，其特征在于，还包括多个并排设置的第三掩埋区，多个所述第三掩埋区排布在所述源区和所述漏区之间，并且所述第三掩埋区由所述基底向上延伸至所述外延层中。9.如权利要求1所述的电平位移器，其特征在于，还包括第一掺杂类型的第三阱区，所述第三阱区位于所述栅极结构的靠近漏区的一侧，所述漏区形成在所述第三阱区内。10.一种半导体器件，其特征在于，包括如权利要求1
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9任一项所述的电平位移器。11.一种电平位移器的制备方法，其特征在于，包括：在一衬底上形成场效应晶体管，所述场效应晶体管包括第一掺杂类型的漏区、第一掺杂类型的源区和栅极结构，所述漏区和
所述源区形成在所述衬底内，所述栅极结构形成在所述衬底上并位于所述源区和所述漏区之间；其中，所述衬底具有第一掺杂类型的掺杂层，所述电平位移器的制备方法还包括：形成隔离结构在...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵亮亮，李勇，顾学强，
申请(专利权)人：中芯先锋集成电路制造绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：
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