温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种电平位移器、半导体器件及其制备方法。该电平位移器中通过在至少一个隔离掺杂区内设定调整区域，该调整区域可形成有凹槽或者该调整区域还可以是非注入区，使得隔离掺杂区内的整体离子量降低，有利于降低隔离掺杂区被横向耗尽的难度，提高电平...
该专利属于中芯先锋集成电路制造（绍兴）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯先锋集成电路制造（绍兴）有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。