一种有机电激发光显示器，包括多条导线、至少一薄膜晶体管及一有机发光二极管彼此电电连接。在该些导线或该薄膜晶体管下方对应地形成多个电分离的抗反射层。上述结构的制造方法，包括：形成该抗反射层于一基板上表面；再形成一金属层于该抗反射层之上；图案化该金属层及该抗反射层，以定义多个电分离的布设区，该些布设区包括该薄膜晶体管及该些导线的布设区；以及形成一有机发光二极管于该基板上，并且电电连接该薄膜晶体管及该些导线。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，特别是涉及一种具有抗反射层的。
技术介绍
有机电激发光显示器为一种以有机发光二极管(OLED)为发光元件的平面显示器，其画面品质受亮度及对比度影响。在亮度均匀化方面，有机发光二极管的驱动电流需维持稳定。在对比度的提升方面，有机电激发光显示器需具有抗反射结构。请参照图1，为现有有源式有机电激发光显示器的电路图。每个像素单元10包括一有机发光二极管11、一开关晶体管12、一驱动晶体管13、一数据线14及一扫描线15、一电源线(power line)16及一电容17等电路元件，彼此的连接关系为该领域技术人员所熟知，在此不再赘述。上述电路元件所含的金属部分会反射环境光线，造成对比度下降，所以需要贴粘一抗反射膜于有机电激发光显示器表面，例如一光学偏振片(polarizer)，或制作一黑矩阵(black matrix)于像素单元10中来降低环境光的反射。然而，抗反射膜会降低有机电激发光显示器的光输出效率。又，直接在像素单元里面制作黑矩阵，虽然可降低环境光的反射而不损及光线的利用率，但是通常需增加工艺步骤。请参照图2A-2C，为现有有机电激发光显示器的黑矩阵制造方法。如图2A，先沉积抗反射层22在一基板20上，并定义一黑矩阵区24及一发光区26。接着如图2B，再沉积一介电层28于黑矩阵区24内的抗反射层22上方。再如图2C，沉积一金属层29于介电层28之上，并定义开关晶体管12、驱动晶体管13、电容17、扫描线15、数据线14及电源线16等电路元件的布设区，并在发光区26中制作有机发光二极管11。值得一提的是，分布于黑矩阵区24内的抗反射层22可为导电材料，金属层29若直接沉积于其上将会经抗反射层22互相导通而短路。因此抗反射层22与金属层29之间必须靠介电层28作区隔。另外，由图1可看出，有机发光二极管11借着电源线16提供驱动电流，电源线16的一端连接驱动晶体管13，另一端用以接受一显示电压VDD。随着有机电激发光显示器增大，扫描线15、数据线14及电源线16等导线长度随之增长，以及负载电流增加，显示电压VDD传递至驱动晶体管13的过程可能会有电压降，这会造成有机电激发光显示器亮度不均匀的问题。进一步说明如下，当电流流经电源线16而到达像素单元10时，受到电源线16材料、厚度及电流传递路径与距离的影响，会产生不同的电压降(IRdrop)。如此，将使实际输入像素单元10的电位VDD’与显示电位VDD不同，两者关系为VDD’＝VDD-IR，因而造成的每个像素单元10内的有机发光二极管11通过的电流不均匀，使亮度难以维持均匀。
技术实现思路
本专利技术的目的在于利用一种更简单的方法来制作抗反射层，并且更方便于增加导线厚度，以增加导电率而减缓电压降。本专利技术的另一目的在于提供一种有机电激发光显示器具有彼此电分离的多个黑矩阵区，以避免电路元件之间产生短路。本专利技术的有机电激发光显示器制造方法，包括形成一抗反射层于一基板上表面；形成一金属层于该抗反射层之上；图案化该金属层及该抗反射层，以定义多个电分离的布设区，该些布设区包括至少一薄膜晶体管及多条导线的布设区；以及形成一有机发光二极管于该基板上，并且位于该些布设区外部以电电连接该薄膜晶体管及该些导线。由上述方法制成的有机电激发光显示器，包括该多条导线、该至少一薄膜晶体管、该多个电分离的抗反射层及该有机发光二极管位于该基板上。该薄膜晶体管电电连接至该多条导线。该些抗反射层对应地形成于该些导线与该薄膜晶体管下方。该有机发光二极管则位于该些抗反射层的一侧，并且电电连接至该些导线与该薄膜晶体管。本专利技术的优点在于，该些抗反射层之间彼此不相连，因此不须形成介电层在抗反射层与该些导线或该薄膜晶体管之间，可以少一道光掩模。基于上述制造方法，在该金属层上方增加一介电层及一第二金属层以作为薄膜晶体管的漏/源极金属。若事先移除该些导线上方的介电层以形成一接触孔，则可以形成漏/源极金属的同一道程序来增厚导线。附图说明图1为现有有机电激发光显示器的电路图；图2A-2C为现有有源式有机电激发光显示器的黑矩阵制造方法示意图；图3A-3B为本专利技术的有机电激发光显示器的黑矩阵制造方法示意图；图4A为一像素单元中，金属层与抗反射层所形成的布设区配置平面图，；图4B为图4A的剖面图；图5A为该像素单元的半导体层、重掺杂层及接触孔的分布平面图；图5B为图5A的剖面图；图6A为该像素单元的第二金属层的分布平面图；图6B为图6A的剖面图；以及图7显示本专利技术应用于具有顶栅极薄膜晶体管的像素单元的剖面图。简单符号说明10 像素单元 32 抗反射层11 有机发光二极管 33 像素单元12 开关晶体管 331 布设区13 驱动晶体管 332 布设区14 数据线 333 布设区15 扫描线 334 布设区16 电源线 335 布设区17 电容 336 布设区20 基板 34 金属层22 抗反射层 35 内层介电层24 黑矩阵区 36 介电层26 发光区 361 接触孔28 介电层 362 接触孔29 金属层 363 接触孔30 有机电激发光显示器 364 接触孔 301 扫描线365 接触孔302 数据线366 接触孔303 电源线367 接触孔304 开关晶体管38 半导体层304a 开关晶体管39 重掺杂层305 驱动晶体管39a 重掺杂层305a 驱动晶体管40 第二金属层306 电容 402 断开部307 有机发光二极管404 断开部31 基板 406 断开部具体实施方式兹配合图标详述本专利技术“”，并列举优选实施例说明如下请参照图3A-3B，为本专利技术的有机电激发光显示器的黑矩阵制造方法。先全面形成抗反射层32于基板31上，再全面形成金属层34于抗反射层32上。随后，移除一部分抗反射层32及金属层34以定义多个彼此不相连的布设区。整面基板31的布设区图案如图3B所示。每个电路布设区均具有抗反射层32而具有黑矩阵的功能，因此有机电激发光显示器30的黑矩阵图案亦如图3B所示。不同的布设区对应于不同电路元件，例如扫描线、数据线、电源线等导线或薄膜晶体管的布设位置，以一像素单元33为例详细说明如下。请参照图4A，为像素单元33的布设区配置平面图。布设区331用以布设扫描线。布设区332用以布设数据线。布设区333用以布设电源线。布设区334用以布设开关晶体管。布设区335用以布设驱动晶体管。布设区336用以布设电容。图4A的A-A剖面如图4B所示。请参照图4B，布设区332、333、334、335、336底部皆具有抗反射层32，故可以降低环境光的反射。在布设区332内部的金属层34可以作为数据线。在布设区333内的金属层34可以作为电源线。同样地，在布设区331内的金属层34可以作为扫描线。在布设区334、335内部的金属层34则用以作为开关晶体管与驱动晶体管的栅极金属。布设区336的金属层34则作为电容的极板。如图4B所示，在图案化的抗反射层32与金属层34上方形成一介电层36。位于布设区334与335内部的介电层36预定作为开关晶体管与驱动晶体管的栅极介电层。值得一提本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种有机电激发光显示器制造方法，包括：提供基板；形成抗反射层于该基板上表面； 形成金属层于该抗反射层之上；图案化该金属层及该抗反射层，以定义多个电分离的布设区，该些布设区包括至少一薄膜晶体管及多条导线的布设区 ；以及形成有机发光二极管于该基板上，并电电连接于该薄膜晶体管及该些导线。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈纪文，张孟祥，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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