显示器件以及其制造方法技术

技术编号:3692334 阅读:153 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术的目的如下:在使用EL元件等构成其像素的显示器件中,高效率地抑制为校正元件的温度变化、退化等的特性变化而设置的监控元件的漏光。本发明专利技术的显示器件具有如下结构:在衬底上形成绝缘层,并且在所述绝缘层上形成多个具有夹持在第一电极和第二电极之间的发光层的发光元件。而且,在所述多个发光元件的至少一部分中,具有在所述绝缘层中形成开口部的结构,并且在该绝缘层的开口区域中形成发光层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。
技术介绍
近年来,对于将电致发光元件(下面记为EL元件)使用于像素部的EL显示器的实用化的研究开发不断发展。特别是,使用有机EL元件的显示器与使用无机EL的显示器相比驱动电压低,可以以与传统的平面显示器主要使用的液晶元件同样的驱动电压来运用。具体而言,相对于液晶显示器,有机EL显示器因为是自发光型,所以不需要背光灯,并且由于颜色再现性高等的原因,其作为次世代平面显示器的关键技术被寄予很大的希望。 但是,有机EL元件有这样的课题有机EL元件与无机EL相比其特性波动大。具体而言,是对于环境温度变化的可逆性特性变化、以及由水分等引起的元件退化等的不可逆性特性变化。为了在范围广的使用环境、充分的产品使用周期中确保一定的亮度特性,需要对这种特性变化进行一些校正。 作为用来校正上述特性变化的方法的一个例子,可以举出使供给给有机EL元件的电流值为一定等的方法。这种方法具有如下优点虽然在有机EL中施加到元件的电压和流过元件中的电流的关系是非线性,但是流过元件中的电流和元件发光的亮度大致是线性,所以比较容易将亮度控制为一定。 作为如上所述的校正方法的一个例子,如下方法被提出在作为像素部而形成的有机EL元件的近旁形成用于监控电流值的有机EL元件(下面记为监控元件),并且使流过监控元件中的电流值为一定地控制有机EL元件的电流供给线的电源电位(参照专利文献1)。 日本专利申请公开公号2003-330419公报
技术实现思路
图2A至2C示出在如上所述那样的校正亮度的方法使用包括监控元件的监控元件部的情况下的显示器件的一个结构例子。图2A至2C示出的显示器件是在衬底上将由薄膜晶体管(下面记为TFT)构成的周边电路200、像素部220、以及监控元件部210浑然一体地形成。 在图2A至2C中的虚线框20示出的区域中,设置有由TFT201、202等构成的周边电路,在虚线框21示出的区域中,设置有由TFT211、监控元件212等构成的监控元件部,在虚线框22示出的区域中设置有由TFT221、发光元件222等构成的像素部。它们例如形成在由玻璃、塑料等的具有透光性的材料构成的衬底250上。注意,也可以在衬底250上形成基底膜251等。 此外,在衬底250上形成的周边电路200由贴附在端子290上的柔性印刷衬底(FPC)从外部输入来的控制信号而驱动。 监控元件212、发光元件222分别具有相当于EL元件的阳极的像素电极213、223、发光层214、224、相当于EL元件的阴极的相对电极215、225。此外,在将从发光层可以获得的发射光从像素电极213、223一侧取出的情况下,以具有透光性的材料来形成像素电极213、223,而以具有遮光性的材料来形成相对电极215、225。另外,在将发射光从相对电极215、225一侧取出的情况下,以具有遮光性的材料来形成像素电极213、223,而以具有透光性的材料来形成相对电极215、225。在此,由于前者从衬底的下方将光取出,其记为下面发射,而由于后者从衬底的上方将光取出,其记为上面发射。 注意,在上述结构的基础上,通过对分别由具有遮光性的材料构成的电极赋予反射性,可以提高将光从发光层取出的效率,所以可以说是更优选的。 在以设置监控元件来校正亮度的情况下,由于不断地或以所希望的发光占空比来将电流供给给监控元件,因此有可能与像素部的显示无关地发光。就是说,因为监控元件的发光是与显示没有关系的发光,所以就需要某种遮光方法。 作为遮光方法的一个例子,可以举出如下结构如图2B所示,当形成周边电路时,利用用来形成TFT的栅电极的膜以及用来形成源布线及漏布线等的膜来在形成监控元件的区域中设置遮光层216。当为下面发射时,发射到衬底的下面方向的光,被遮光层216遮断,而不出现于外侧。此时,相对电极215是由具有遮光性的材料构成的,所以光不会从衬底的上面一侧漏出。 此外,当为上面发射时,如图2C所示,通过采用由具有透光性的材料形成的膜231和由具有遮光性的材料形成的膜232的叠层结构来形成相对电极235,可以在设置有监控元件的区域中选择性地形成遮光层。 然而,根据图2A至2C所示的结构,衬底250的上面和下面一侧由遮光层良好地遮光,但是从如箭头291所示的渠道漏光。就是说,可能发生如下情况监控元件部的发光经过在形成TFT的Si膜、栅电极、布线等的每个层之间形成的绝缘膜,并被在监控元件周边形成的布线和遮光层等反射,而在水平方向穿过。为了防止该漏光影响到显示,在水平方向中将监控元件部和像素部配置为具有充分的距离,并且在充分广的范围内设置遮光层,以便在被形成在监控元件周边的布线和遮光层反射以及在水平的方向穿过绝缘层的阶段中使漏光的程度充分地减少。 另外,需要将像素部和监控元件部配置为彼此接近,以使用作双方的发光层的EL元件的特性波动的动作尽量相同。在像素部和监控元件部之间有距离的情况下,发光层的形成步骤中的不均匀等的影响变大,所以进行正确的亮度校正变得相当困难。而且,由于显示器件的尺寸的问题、元件布置情况等的原因,有可能在像素部和监控元件部之间不能确保充分的距离。 由此,导致在监控元件中的发射光的遮光不充分,并且使光漏到像素部,而引起显示品质的降低。 鉴于上述问题,本专利技术提供一种。其中,通过将像素部和监控元件部配置为彼此接近,可以实现正确的亮度校正并实现像素部、监控元件部、周边电路的充分的高集成化,而且在衬底的水平方向也确保良好的遮光特性。 在衬底的水平方向上发生漏光是因为如下缘故在监控元件周边的结构中,在用作遮光层的膜和像素电极之间形成有具有透光性的一层以上(包括一层)的绝缘膜,从监控元件的发光层发出的光经过该绝缘层,在衬底的水平方向上漏出。于是,在本专利技术中采用如下结构通过构图除去在与监控元件的发光层重叠的区域中形成的绝缘层而形成凹部,使包括发光层、像素电极、相对电极的发光元件降落到该区域中,并且由遮光层和相对电极密封发光层。通过使监控元件部中的监控元件具有上述结构,不但可以在衬底的上下方向还可以在衬底的水平方向使从发光层发射的光失去漏出渠道,所以即使在监控元件部和像素部之间没有距离的情况下也可以获取良好的遮光性能。 根据本专利技术,可以在使像素部和监控元件部之间不具有距离,并且不用在衬底的水平方向延伸遮光层的情况下,使监控元件周边的遮光为良好。而且,结果可以将监控元件部配置在进一步接近像素部的区域中,因此使在像素部以及监控元件部中的EL元件的特性进一步接近,以进行进一步良好的所述亮度校正等。通过上述两点,可以实现不受到监控元件的漏光的影响的良好显示,并且可以获取由进一步正确的校正带来的良好显示。附图说明图1A至1C为表示本专利技术的一个实施方式的附图;图2A至2C为表示传统的显示器件的整体和截面的附图;图3A至3D为表示本专利技术的一个实施方式的附图;图4A和4B为表示本专利技术的实施例(制造步骤)的附图;图5为表示本专利技术的实施例(使用监控元件的校正方法)的附图;图6为表示可以适用本专利技术的显示器件的电子设备的结构例子的附图;图7为表示可以适用本专利技术的显示器件的电子设备的结构例子的附图;图8A和8B为表示可以适用本专利技术的显示器件的电子设备的结构例子的附图;图9A和9B为表示可以适用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示器件,包括:遮光层;形成在所述遮光层上的绝缘层;形成在所述绝缘层上的第一发光元件;形成在所述绝缘层的一部分中且重叠于所述遮光层的开口部;以及形成在所述开口部中的第二发光元件,其中,所述第一发光元件形成在像素部中,并且,所述第二发光元件形成在监控元件部中,并且,所述第二发光元件包括:形成在所述开口部的底部的第一电极;形成在所述第一电极上的发光层;以及形成在所述发光层上的第二电极,并且,所述第二电极具有遮光性。

【技术特征摘要】
JP 2006-1-7 2006-0019401.一种显示器件,包括遮光层;形成在所述遮光层上的绝缘层;形成在所述绝缘层上的第一发光元件;形成在所述绝缘层的一部分中且重叠于所述遮光层的开口部;以及形成在所述开口部中的第二发光元件,其中,所述第一发光元件形成在像素部中,并且,所述第二发光元件形成在监控元件部中,并且,所述第二发光元件包括形成在所述开口部的底部的第一电极;形成在所述第一电极上的发光层;以及形成在所述发光层上的第二电极,并且,所述第二电极具有遮光性。2.根据权利要求1所述的显示器件,该显示器件还包括具有遮光性的薄膜,并且所述薄膜覆盖所述开口部的侧面。3.根据权利要求1所述的显示器件,其中所述第一发光元件包括第三电极;形成在所述第三电极上的第二发光层;以及形成在所述第二发光层上的具有遮光性的第四电极。4.根据权利要求3所述的显示器件,其中所述第四电极具有反射性。5.根据权利要求1所述的显示器件,其中所述绝缘层包括至少一层。6.根据权利要求1所述的显示器件,其中所述第二电极具有反射性。7.根据权利要求1所述的显示器件,其中所述第二发光元件电连接到校正电路,并且所述校正电路连电接到所述第一发光元件。8.一种显示器件,包括绝缘层;形成在所述绝缘层上的第一发光元件;形成在所述绝缘层的一部分中的开口部;形成在所述开口部中的第二发光元件;以及形成在所述第二发光元件上的遮光层,其中,所述第一发光元件形成在像素部中,并且,所述第二发光元件形成在监控元件部中,并且所述第二发光元件包括形成在所述开口部中的具有遮光性的第一电极;形成在所述第一电极上的第一发光层;以及形成在所述第一发光层上的第二电极。9.根据权利要求8所述的显示器件,其中所述第一电极覆盖所述开口部的侧面。10.根据权利要求8所述的显示器件,其中所述第一发光元件包括具有遮光性的第三电极;形成在所述第三电极上的第二发光层;以及形成在所述第二发光层上的第四电极。11.根据权利要求9所述的显示器件,其中所述第三电极具有反射性。12.根据权利要求8所述的显示器件,其中所述绝缘层包括至少一层。13.根据权利要求8所述的显示器件,其中所述第一电极具有反射性。14.根据权利要求8所述的显示器件,其中所述第二发光元件电连接到校正电路,并且所述校正电路电连接到所述第一发光元件。15.一种显示器件,包括形成在衬底上的绝缘层;形成在绝缘层的一部分中的开口部;形成在所述开口部中且覆盖至少所述开口部的内壁的具有遮光性的第一电极;中间夹有所述第一电极地形成在所述绝缘层中的开口部的发光层;以及形成在所述发光层上的具有遮光性的第二电极。16.根据权利要求15所述的显示器件,其中所述绝缘层包括至少一层。17.根据权利要求15所述的显示器件,其中所述第二电极具有反射性。18.根据权利要求15所述的显示器件,其中所述第二电极包括形成在所述发光层上的透光层;以及具有遮光性的层。19.根据权利要求15所述的显示器件,其中该显示器件还包括第二发光元件,并且第一发光元件包括所述第一电极、所述发光层、以及所述第二电极,并且所述第一发光...

【专利技术属性】
技术研发人员:棚田好文
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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