有机发光显示装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术披露了一种有机发光显示装置及其制造方法。有机发光显示装置包括第一有机发光二极管和第二有机发光二极管。第一有机发光二极管具有第一电极、第二电极和位于第一电极和第二电极之间的第一有机发光层。第二有机发光二极管具有第二电极、第三电极和位于第二电极和第三电极之间的第二有机发光层。第一驱动器薄膜晶体管连接到第一电极。第二驱动器薄膜晶体管连接到第二电极。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种有机发光显示装置，尤其涉及一种具有堆叠在双层中的有机发光二极管的有机发光显示装置。本专利技术还涉及一种制造该有机发光显示装置的方法。
技术介绍
图1为常规有机发光显示装置的单位像素的电路图。参考图1，设置有扫描线S、数据线D和公共电源线ELVDD。单位像素由数据线D和扫描线S的交叉界定。单位像素包括有机发光二极管(OLED)，有机发光二极管具有正极、负极以及形成于正极和负极之间的有机发光层。单位像素还包括开关晶体管Ma、电容器Cst和驱动器晶体管Mb。开关晶体管Ma具有连接到扫描线S的栅极和连接到数据线D的源极。开关晶体管Ma通过施加到扫描线S的扫描信号来开关施加到数据线的数据信号。电容器Cst连接在公共电源线ELVDD和开关晶体管Ma的漏极之间，并将数据信号保持预定的时间。驱动器薄膜晶体管Mb具有连接到电容器Cst的栅极、连接到公共电源线ELVDD的源极以及连接到OLED的正极的漏极。驱动器薄膜晶体管Mb将正比于数据信号大小的电流施加到正极。将电平低于施加到公共电源线的电源电压的负极电压ELVSS施加到OLED的负极。结果，将来自正极的空穴和来自负极的电子注入到有机发光层中。所注入的空穴和电子在有机发光层中复合产生激子，激子通过从激发态跃迁到基态而发光。图2A和2B是展示OLED的正极和负极之间的短路故障的照片。详细地讲，图2A展示了因异物导致的正负极之间的短路。图2B展示了因为负极被外部冲击所压而导致的正负极之间的短路故障。当因为制造工艺误差而在正极和负极之间发生短路故障时，OLED就不再发光。结果，具有发生短路故障的OLED的单位像素变成暗像素，这降低了符合商用技术指标的显示器的产率。
技术实现思路
本专利技术提供了一种有机发光显示装置和制造该有机发光显示装置的方法，其即使在制造工艺中发生误差也可以防止产率下降。在本专利技术的一个实施例中，提供了一种有机发光显示装置。该有机发光显示装置包括第一OLED和第二OLED。第一OLED具有第一电极、第二电极和位于所述第一电极和所述第二电极之间的第一有机发光层。所述第二OLED具有第二电极、第三电极、和位于所述第二和第三电极之间的第二有机发光层。第一驱动器薄膜晶体管连接到第一电极。第二驱动器薄膜晶体管连接到第二电极。可以在第二电极和第一有机发光层之间形成逸出功辅助层。在本专利技术的另一个实施例中，提供了一种制造有机发光显示装置的方法。该方法包括在基板上形成第一驱动器薄膜晶体管和第二驱动器薄膜晶体管。形成连接到第一驱动器薄膜晶体管的第一电极。在所述第一电极上形成第一有机发光层。在所述第一有机发光层上形成连接到第二驱动器薄膜晶体管的第二电极。在第二电极上形成第二有机发光层。在第二有机发光层上形成第三电极。附图说明图1为常规有机发光显示装置的单位像素的电路图；图2A和2B为展示OLED的正极和负极之间的短路故障的照片；图3为根据本专利技术实施例的有机发光显示装置的单位像素的电路图；图4为电路图，用于解释当图3所示的第二OLED的两个电极之间发生短路故障时单位像素的工作；图5为根据本专利技术实施例的有机发光显示装置中的单位像素的布局；图6A为沿图5的线I-I’所取的截面图，示出了根据本专利技术实施例的；图6B为图6A中区域P的放大截面图；图7A为截面图，示出了图6A所示的第二和第三电极之间的短路故障；以及图7B为图7A中的区域P的放大截面图。具体实施例方式以下详细描述涉及本专利技术特定的具体实施例。不过，本专利技术可以以权利要求所定义和覆盖的多种不同方式加以实施。在本说明书中，参考了附图，其中通篇中用类似的数字指代类似的部件。应当理解，当称一层在另一层或衬底“上”时，它可以直接在另一层或衬底上，或者还可以存在中间层。图3为根据本专利技术实施例的有机发光显示装置的单位像素的电路图。参考图3，设置了扫描线S、与扫描线S交叉的数据线D。单位像素由数据线D和扫描线S的交叉界定。单位像素包括开关晶体管M1、电容器C、第一驱动器晶体管M2、第二驱动器晶体管M3、第一OLED(EL1)和第二OLED(EL2)。开关晶体管M1具有连接到扫描线S的栅极和连接到数据线D的源极。开关晶体管M1通过施加到扫描线S的扫描信号来开关施加到数据线D的数据信号。连接在公共电源线ELVDD和开关晶体管M1的漏极之间的电容器C将数据信号保持预定时间。第一驱动器薄膜晶体管M2通过栅极连接到电容器C，通过源极连接到公共电源线ELVDD，并通过漏极连接到第一OLED(EL1)的一个电极。第二驱动器薄膜晶体管M3通过栅极连接到电容器C，通过源极连接到公共电源线ELVDD，并通过漏极连接到节点N。第一驱动器薄膜晶体管M2将正比于数据信号的大小的电流供应给第一OLED(EL1)的一个电极。第二驱动器薄膜晶体管M3将正比于数据信号的大小的电流供应给节点N。同时，第一OLED(EL1)的另一电极连接到节点N，且该节点N连接到第二OLED(EL2)的一个电极。将基准电压施加到第二OLED(EL2)的另一电极。此外，第一驱动器薄膜晶体管M2的栅电极和第二驱动器薄膜晶体管M3的栅电极彼此相连。第一驱动器薄膜晶体管M2的源电极和第二驱动器薄膜晶体管M3的源电极也彼此相连。在下文中将描述前述像素电路的工作。首先，当扫描线S被激活时，开关晶体管M1开启，使得施加到数据线的数据信号被传送到电容器C。被传送到电容器C的数据信号被存储在电容器C中一预定期间。存储在电容器C中的数据信号开启第一驱动器薄膜晶体管M2和第二驱动器薄膜晶体管M3。结果，第一驱动器薄膜晶体管M2将正比于数据信号的大小的电流施加到第一OLED(EL1)，第二驱动器薄膜晶体管M3将正比于数据信号的大小的电流施加到节点N。第一驱动器薄膜晶体管M2的栅电极连接到第二驱动器薄膜晶体管M3的栅电极，且它们的源电极也彼此相连。因此，当第一驱动器薄膜晶体管M2的特性与第二驱动器薄膜晶体管M3相似时，施加到第一OLED(EL1)两端的电压差就不显著。因此，第一OLED(EL1)可能几乎不发光。另一方面，第二OLED(EL2)利用施加到节点N的电流发光，或者更具体地讲，利用施加到第二OLED(EL2)的一个电极的电流发光。图5为根据本专利技术实施例的有机发光显示装置的单位像素的布局。图6A为沿图5的线I-I’所取的截面图，示出了根据本专利技术实施例的。图6B为图6A中区域P的放大截面图。参考图5和6A，图示在基板100上形成了缓冲层105。缓冲层105可以是氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层或其多层。基板100可以是透明基板或不透明基板。此外，基板100可以是玻璃基板、塑料基板、石英基板、硅基板或金属基板。第一半导体层111和第二半导体层112形成于缓冲层105的一些区域上。半导体层111和112可以是非晶硅层或利用非晶硅层晶化的多晶硅层。优选地，半导体层111和112为具有高电荷迁移率的多晶硅层。栅极绝缘层117形成于半导体层111和112上。栅极绝缘层117可以是氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层或其多层。第一栅电极121和第二栅电极122形成于栅极绝缘层117上，分别与半导体层111和112重叠。随后，利用栅电极121和122作为掩模将导电杂质注入半导体层111和112中，以形成源极区111c和11本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光显示装置，包括：第一有机发光二极管，其具有第一电极、第二电极和位于所述第一电极和所述第二电极之间的第一有机发光层；第二有机发光二极管，其具有所述第二电极、第三电极和位于所述第二和第三电极之间的第二有机发光层； 连接到所述第一电极的第一驱动器薄膜晶体管；以及连接到所述第二电极的第二驱动器薄膜晶体管。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：金恩雅，
申请(专利权)人：三星移动显示器株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]