一种有机电致发光元件的制造方法，其包括下列步骤。首先，提供基板。接着，于基板上形成阳极层。再来，于阳极层上形成缓冲层，其中形成此缓冲层的步骤是先形成碳氟薄膜在阳极层上，而此碳氟薄膜中具有多个碳－氟键结分子，接着，对碳氟薄膜进行改质处理，使碳－氟键结分子转变成碳－碳键结分子。接着，形成多个有机层于缓冲层上。继之，形成阴极层于有机层上。由于使用了导电性良好的缓冲层，所以有机电致发光元件将具有良好的发光效率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种有机电致发光元件(Organic Electro-LuminesenceDevice，OLED)的制造方法，且特别涉及一种具有高导电性的多碳薄膜(carbon-enriched films)的制造方法及利用此多碳薄膜作为有机电致发光元件中的缓冲层(buffer layer)的有机电致发光元件的制造方法。
技术介绍
显示器为人与信息的沟通界面，目前主要以平面显示器为发展趋势。其中，有机电致发光显示器(Organic Electroluminescence Display，OELD)因其自发光、无视角依存、省电、工艺简易、低成本、低温度运行范围、高应答速度以及全彩化等优点而具有极大的应用潜力，可望成为下一代的平面显示器的主流。有机电致发光显示器主要是利用有机电致发光元件(OrganicElectro-Luminesence Device，OLED)自发光的特性来达到显示效果。其中，有机电致发光元件主要是由一对电极以及有机官能层(organic functionalgroup layer)所构成。当电流通过阳极与阴极间，使电子和空穴在有机官能层内结合而产生激子(exciton)时，进而使有机官能层依照材料的特性而产生不同颜色的放光机制，进而达到发光显示的效果。图1为公知的一种有机电致发光元件的结构示意图。请参照图1，公知有机电致发光元件100是由基板110、阳极层120、空穴传输层130、有机发光层140、电子传输层150以及阴极层160所组成。当施加偏压跨过阳极层120与阴极层160时，电子会由阴极层160注入电子传输层150，并且传输至有机发光层140。另一方面，空穴会由阳极层120注入空穴传输层130，并且传输至有机发光层140。此时，电子与空穴会在有机发光层140中发生再结合(Recombination)现象，进而产生激子以达到发光的效果。承上所述，由于阳极层120所使用的材质通常是铟锡氧化物(IndiumTin Oxide，ITO)等无机材料，所以铟锡氧化物与空穴传输层130(有机材料)之间的接触界面，其电接触的性质不佳。部分学者针对上述问题，提出了利用紫外光/臭氧(UV-ozone)以及等离子体处理(plasma treatment)等方法对于铟锡氧化物的表面进行处理，以提高有机电致发光显示元件100的操作稳定性与降低开关电流。但是，阳极层120的表面将因此受到损伤，进而将影响元件的操作性质。另外，也有学者提出在阳极层120与空穴传输层130之间设置缓冲层(buffer layer) (图中未表示)，以改善阳极层120与空穴传输层130之间的接触界面的性质。但是，由于缓冲层的导电性通常不佳，也同样使得有机电致发光元件100的发光效率低下。
技术实现思路
鉴于上述情况，本专利技术的目的就是提供一种有机电致发光元件的制造方法，其可以制造具有良好发光效率的有机电致发光显示元件。本专利技术的再一目的是提供一种多碳薄膜的制造方法，其可以制造高导电性的多碳薄膜，并且此多碳薄膜可以作为有机电致发光显示元件的空穴注入层及空穴传输层，进而提高有机电致发光元件的发光效率。本专利技术提出一种有机电致发光元件的制造方法，其包括下列步骤。首先，提供基板。接着，于基板上形成阳极层。再来，于阳极层上形成缓冲层，其中形成此缓冲层的步骤是先形成碳氟薄膜在阳极层上，而此碳氟薄膜中具有多个碳-氟键结分子，接着，对碳氟薄膜进行改质处理，使碳-氟键结分子转变成碳-碳键结分子。接着，形成多个有机层于缓冲层上。继之，形成阴极层于有机层上。在本专利技术的一实施例中，上述改质处理包括紫外光照射工艺与等离子体处理工艺中的至少一种。在本专利技术的一实施例中，上述的紫外光照射工艺所使用的紫外光波长介于大约180nm～260nm之间，较佳的波长是使用大约185nm及254nm中的一种。在本专利技术的一实施例中，上述的紫外光照射工艺照射在碳氟薄膜上的紫外光能量介于大约270mJ/cm2～810mJ/cm2之间，较佳的照射在碳氟薄膜上的紫外光能量是大约270mJ/cm2及810mJ/cm2中的一种。在本专利技术的一实施例中，上述的等离子体处理工艺所使用的气体包括氩气及氮气中的一种。在本专利技术的一实施例中，上述的碳-氟键结分子包括CF1、CF2、CF3、C-CFn及其组合中的一种。在本专利技术的一实施例中，上述形成碳氟薄膜的方法包括等离子体化学气相沉积法。在本专利技术的一实施例中，上述的缓冲层可以作为空穴注入层及空穴传输层。在本专利技术的一实施例中，上述于缓冲层上形成有机层的方法包括依次形成空穴传输层、有机发光层、电子传输层与电子注入层于缓冲层上。在本专利技术的一实施例中，上述的空穴传输层的材质包括N，N’-二(1-奈基)-N，N’-二-(苯基)-对二氨基联苯(NPB)(α-naphylhenyldiamine)。在本专利技术的一实施例中，上述的有机发光层的材质包括经掺杂铝三(8-羟基喹啉)(AlQ3)的混合发光材质。在本专利技术的一实施例中，上述的电子传输层的材质包括铝三(8-羟基喹啉)(AlQ3)(aluminum tris(8-hydroxyquinoline))。在本专利技术的一实施例中，上述的电子注入层的材质包括氟化锂(LiF)(lithium fluoride)。在本专利技术的一实施例中，上述的阳极层的材质包括金属及透明导电材质中的一种。在本专利技术的一实施例中，上述的阴极层的材质包括金属及透明导电材质中的一种。本专利技术再提出一种多碳薄膜的制造方法，其包括下列步骤。首先，提供基板。继之，形成碳氟薄膜在基板上，而碳氟薄膜中具有多个碳-氟键结分子。之后，对碳氟薄膜进行改质处理，使碳-氟键结分子转变成碳-碳键结分子。在本专利技术的一实施例中，上述的改质处理包括紫外光照射工艺与等离子体处理工艺中的至少一种。在本专利技术的一实施例中，上述的紫外光照射工艺所使用的紫外光波长介于大约180nm～260nm之间，较佳的波长是大约185nm及254nm中的一种。在本专利技术的一实施例中，上述的紫外光照射工艺照射在碳氟薄膜上的紫外光能量介于大约270mJ/cm2～810mJ/cm2之间，较佳的照射在碳氟薄膜上紫外光能量是大约270mJ/cm2及810mJ/cm2中的一种。在本专利技术的一实施例中，上述的等离子体处理工艺所使用的气体包括氩气及氮气中的一种。在本专利技术的一实施例中，上述的碳-氟键结分子包括CF1、CF2、CF3、C-CFn及其组合中的一种。在本专利技术的一实施例中，上述形成碳氟薄膜的方法包括等离子体化学气相沉积法。本专利技术因采用改质处理，将碳氟薄膜中原本所具有的碳-氟键结分子转变成碳-碳键结分子，而制造出多碳薄膜。此多碳薄膜具有良好的导电性与热稳定性，并且不易变质。此外，将多碳薄膜设置在有机电致发光元件中的阳极层与空穴传输层之间，将可以改善两者之间接触界面的性质。因此，具有多碳薄膜的有机电致发光元件将具有良好的发光效率以及较佳的辉度(brightness)。为让本专利技术的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。附图说明图1为公知的一种有机电致发光元件的结构示意图。图2A～图2F为本专利技术的较佳实施例中一种有机电致发光元件的制造方法的步骤流程剖面示意图。图3为不同的有机电致本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种有机电致发光元件的制造方法，其特征是包括：提供基板；于该基板上形成阳极层；于该阳极层上形成缓冲层，其中形成该缓冲层的步骤包括：形成碳氟薄膜在该阳极层上，而该碳氟薄膜中具有多个碳－氟键结分子；对该碳 氟薄膜进行改质处理，使上述这些碳－氟键结分子转变成多个碳－碳键结分子；形成多个有机层于该缓冲层上；以及形成阴极层于上述这些有机层上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：沈汶键，高一龙，汤舜钧，曾启光，
申请(专利权)人：中华映管股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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