一种晶圆托盘以及晶圆托盘的温度控制方法技术

本发明专利技术提供了一种晶圆托盘、一种晶圆托盘的温度控制方法以及一种计算机可读存储介质。上述晶圆托盘包括：托盘本体，至少包括位于中心区域的第一分区，以及位于边缘区域的第二分区；多个第一半导体制冷器，垂直托盘本体径向地设置于托盘本体中，并沿第一分区和/或第二分区的边界分布；以及控制器，被配置为：获取第一分区的第一温度及第二分区的第二温度；以及根据第一温度及第二温度的大小，向各第一半导体制冷器提供对应方向和/或对应幅值的驱动电压，以控制各第一半导体制冷器在第一分区及第二分区之间进行对应方向的定向热量转移。二分区之间进行对应方向的定向热量转移。二分区之间进行对应方向的定向热量转移。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆托盘以及晶圆托盘的温度控制方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种晶圆托盘、一种晶圆托盘的温度控制方法，以及对应的计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]半导体领域中，半导体加热盘的中心区域以及外侧区域的温度控制至关重要。本领域的现有技术的加热盘中，加热盘中心区域和外侧区域的温度分区均匀性难以保证，并且单区加热盘中心区域和外侧区域的高、低温不可以切换。此外，由于现有技术中的传统双区加热盘温度界限不明显，只能通过加热丝布局来制造，因而存在调节范围受限的缺陷。此外，传统的双区加热盘高温部分的能量只能通过传热散发，不能从一个需要降温的区域转移到另一个想要加温的区域，因而存在能量利用效率低的缺陷。
[0003]为了克服现有技术存在的上述缺陷，本领域亟需一种晶圆托盘，用于实现加热盘中心区域和边缘区域的温度分区控制和温差调节功能，提高加热盘的能量利用效率，并扩大各分区的温度调节范围。

技术实现思路

[0004]以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆托盘，其特征在于，包括：托盘本体，至少包括位于中心区域的第一分区，以及位于边缘区域的第二分区；多个第一半导体制冷器，垂直所述托盘本体径向地设置于所述托盘本体中，并沿所述第一分区和/或所述第二分区的边界分布；以及控制器，被配置为：获取所述第一分区的第一温度及所述第二分区的第二温度；以及根据所述第一温度及所述第二温度的大小，向各所述第一半导体制冷器提供对应方向和/或对应幅值的驱动电压，以控制各所述第一半导体制冷器在所述第一分区及所述第二分区之间进行对应方向的定向热量转移。2.如权利要求1所述的晶圆托盘，其特征在于，所述根据所述第一温度及所述第二温度的大小，向各所述第一半导体制冷器提供对应方向和/或对应幅值的驱动电压，以控制各所述第一半导体制冷器在所述第一分区及所述第二分区之间进行对应方向的定向热量转移的步骤包括：响应于所述第一温度大于所述第二温度，向各所述第一半导体制冷器提供正向驱动电压，以控制各所述第一半导体制冷器从所述第一分区向所述第二分区定向热量转移；响应于所述第一温度小于所述第二温度，向各所述第一半导体制冷器提供负向驱动电压，以控制各所述第一半导体制冷器从所述第二分区向所述第一分区定向热量转移；以及响应于所述第一温度等于所述第二温度，停止向各所述第一半导体制冷器供电，以隔绝所述第一分区及所述第二分区之间的热量转移。3.如权利要求2所述的晶圆托盘，其特征在于，所述根据所述第一温度及所述第二温度的大小，向各所述第一半导体制冷器提供对应方向和/或对应幅值的驱动电压，以控制各所述第一半导体制冷器在所述第一分区及所述第二分区之间进行对应方向的定向热量转移的步骤还包括：计算所述第一温度与所述第二温度的差值；根据所述差值，确定所述驱动电压的幅值；以及向各所述第一半导体制冷器提供所述幅值的驱动电压，以控制各所述第一半导体制冷器在所述第一分区及所述第二分区之间进行对应方向的定量热量转移。4.如权利要求1所述的晶圆托盘，其特征在于，所述托盘本体还包括位于所述第一分区及所述第二分区之间的至少一层第三分区，所述晶圆托盘还包括多个第二半导体制冷器，其中，所述多个第一半导体制冷器沿所述第一分区及相邻的第三分区的边界分布，所述多个第二半导体制冷器沿所述第三分区及其外侧相邻分区的边界分布，所述控制器还被配置为：获取所述第三分区的第三温度；以及根据所述第一温度、所述第二温度及所述第三温度的大小，向各所述第一半导体制冷器及各所述第二半导体制冷器提供对应方向和/或对应幅值的驱动电压，以控制各所述第一半导体制冷器及各所述第二半导体制冷器在所述第一分区、各所述第三分区及所述第二分区之间进行对应方向的定向热量转移。5.如权利要求1或4所述的晶圆托盘，其特征在于，所述第二分区包括沿所...

【专利技术属性】
技术研发人员：谈太德，赵聪，姜崴，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：