光刻设备制造技术

本申请涉及一种光刻设备。该光刻设备包括光源模块、反射式掩模版、反射投影模块及工件台；光源模块包括第一光源、第二光源及光源控制组件；第一光源用于输出第一预设波长的极紫外光；第二光源用于输出第二预设波长的深紫外光，所述第二预设波长大于所述第一预设波长；光源控制组件用于控制第一光源及第二光源的工作状态，以输出目标曝光光线；反射式掩模版具有用于在待光刻的晶圆上成像的掩模图案；反射投影模块用于按照预设倍数对掩模图案进行缩小，并反射至工件台；工件台用于承载待光刻的晶圆。该光刻设备能够通过光源控制组件对第一光源及第二光源的工作状态进行控制，无需更换不同的曝光机就可以满足不同光刻过程中对DUV或EUV的需求。DUV或EUV的需求。DUV或EUV的需求。

【技术实现步骤摘要】
光刻设备


[0001]本申请涉及半导体制造
，特别是涉及一种光刻设备。

技术介绍

[0002]随着人工智能(Artificial Intelligence，简称AI)、第五代移动通信技术(5th Generation Mobile Communication Technology，简称5G)、大数据、人工智能物联网(Artificial Intelligence&Internet of Things，简称AIoT)以及自动驾驶等创新型技术的发展，微处理器(CPU)和动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)中器件特征尺寸的缩减呈现了加速和偏离摩尔定律的趋势，这无形中也加剧了半导体器件的制备难度。
[0003]目前，半导体制造过程中最复杂也是最难的步骤就是光刻，它的成本能例如可以占到整个生产过程的1/3，光刻设备也因此成为了最重要的半导体制造装备之一。EUV光刻采用波长为10～14nm的极紫外光(Extremely ultraviolet，简称EUV)作为光源，可使曝光波长一下子降到13.5nm，它能够把光刻技术扩展到32nm以下的特征尺寸。
[0004]然而，随着半导体器件集成度的越来越高以及器件特征尺寸的越来越小，半导体器件制备所需的掩模版数量也越来越多，其中包括透射式的掩模版和反射式的掩模版，从而在光刻过程中需要更换不同的曝光机。

技术实现思路

[0005]基于此，本申请根据一些实施例，提供一种光刻设备。
[0006]本申请根据一些实施例，提供一种光刻设备，包括光源模块、反射式掩模版、反射投影模块及工件台；其中，
[0007]所述光源模块包括第一光源、第二光源及光源控制组件；所述第一光源用于输出第一预设波长的极紫外光；所述第二光源用于输出第二预设波长的深紫外光，所述第二预设波长大于所述第一预设波长；所述光源控制组件位于所述第一光源及所述第二光源的出光侧，用于控制所述第一光源及所述第二光源的工作状态，以输出目标曝光光线；
[0008]所述反射式掩模版设置于所述目标曝光光线的反射路径，且具有用于在待光刻的晶圆上成像的掩模图案；
[0009]所述反射投影模块设置于所述目标曝光光线经所述反射式掩模版反射后的反射路径，包括若干反射镜组成的反射镜组，用于按照预设倍数对所述掩模图案进行缩小，并反射至工件台；
[0010]所述工件台用于承载待光刻的所述晶圆。
[0011]在其中一个实施例中，所述光源控制组件包括二向分色镜；
[0012]所述第一光源与所述第二光源以所述二向分色镜为中心对称设置；所述二向分色镜用于反射所述第一光源输出的所述极紫外光，以及透射所述第二光源输出的所述深紫外光，以输出目标曝光光线。
[0013]在一些实施例中，所述第一光源输出的曝光光线与所述二向分色镜之间形成的最小夹角为45
°
，且所述第二光源输出的曝光光线与所述二向分色镜之间形成的最小夹角为45
°
。
[0014]在其中一个实施例中，所述第一光源及所述第二光源可移动地设置于所述光刻设备中；
[0015]所述光源控制组件还用于控制所述第一光源及所述第二光源的位置。
[0016]在其中一个实施例中，所述第一预设波长的范围为10nm～124nm；所述第二预设波长的范围为125nm～400nm。
[0017]在其中一个实施例中，所述第一预设波长为13.5nm；所述第二预设波长为193nm、248nm或365nm。
[0018]在其中一个实施例中，所述反射式掩模版包括：
[0019]基板；
[0020]反射层，设置于所述基板的一侧，用于反射深紫外光和/或极紫外光；
[0021]图案层，设置于所述反射层远离所述基板的一侧；所述图案层具有掩模图案。
[0022]在其中一个实施例中，所述反射式掩模版还包括保护层；
[0023]所述保护层设置于所述反射层与所述图案层之间。
[0024]在其中一个实施例中，所述反射式掩模版还包括相移层；
[0025]所述相移层设置于所述保护层与所述图案层之间。
[0026]在其中一个实施例中，所述反射式掩模版采用面朝下的方式而设置。
[0027]本申请提供的光刻设备，至少具有如下有益效果：
[0028]本申请提供的光刻设备，设置有用于输出极紫外光的第一光源及用于输出深紫外光的第二光源，因此能够通过光源控制组件对第一光源及第二光源的工作状态进行控制，输出不同波长的目标曝光光线。当需要通过极紫外光进行光刻时，光源控制组件可以使第一光源处于工作状态，将第一光源输出的曝光光线作为目标曝光光线进行输出；当需要通过深紫外光进行光刻时，光源控制组件可以使第二光源处于工作状态，将第二光源输出的曝光光线作为目标曝光光线进行输出，从而使得输出的目标曝光光线能够符合不同光刻过程中对DUV或EUV的需求；无需更换不同的曝光机就可以满足不同光刻过程中对DUV或EUV的需求，因此能够有效提升生产效率。
[0029]其中，反射式掩模版设置有用于反射深紫外光和/或极紫外光的反射层；基于所述反射式掩模版，针对深紫外光和/或极紫外光，均可以采用反射的方式实现对应掩模图案的光刻。因此，相较于针对深紫外光采用透射掩模的技术方案，在上述光刻设备中，反射式掩模版中的基板无需使用针对短波长的光具有高透射率的材料进行制备，从而降低了反射式掩模基版的制备成本。
附图说明
[0030]为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0031]图1至图2为本申请不同实施例中光刻设备的结构示意图；
[0032]图2至图5为本申请不同实施例中提供的反射式掩模基版的截面结构示意图；
[0033]图6至图7为本申请不同实施例中提供的反射式掩模版的截面结构示意图。
[0034]附图标记说明：
[0035]1、光源模块；101、第一光源；102、第二光源；11、光源控制组件；111、二向分色镜；2、反射式掩模版；201、基板；202、反射层；203、吸光层；204、光刻胶层；205、保护层；206、防反射层；207、图案层；208、相移层；3、反射镜。
具体实施方式
[0036]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容更加透彻全面。
[0037]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻设备，其特征在于，包括光源模块、反射式掩模版、反射投影模块及工件台；其中，所述光源模块包括第一光源、第二光源及光源控制组件；所述第一光源用于输出第一预设波长的极紫外光；所述第二光源用于输出第二预设波长的深紫外光，所述第二预设波长大于所述第一预设波长；所述光源控制组件位于所述第一光源及所述第二光源的出光侧，用于控制所述第一光源及所述第二光源的工作状态，以输出目标曝光光线；所述反射式掩模版设置于所述目标曝光光线的反射路径，且具有用于在待光刻的晶圆上成像的掩模图案；所述反射投影模块设置于所述目标曝光光线经所述反射式掩模版反射后的反射路径，包括若干反射镜组成的反射镜组，用于按照预设倍数对所述掩模图案进行缩小，并反射至工件台；所述工件台用于承载待光刻的所述晶圆。2.根据权利要求1所述的光刻设备，其特征在于，所述光源控制组件包括二向分色镜；所述第一光源与所述第二光源以所述二向分色镜为中心对称设置；所述二向分色镜用于反射所述第一光源输出的所述极紫外光，以及透射所述第二光源输出的所述深紫外光，以输出目标曝光光线。3.根据权利要求2所述的光刻设备，其特征在于，所述第一光源输出的曝光光线与所述二向分色镜之间形成的最小夹角为45
°
，且所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：林岳明，季明华，黄早红，
申请(专利权)人：上海传芯半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：