晶圆及其制作方法技术

本发明专利技术涉及一种晶圆及其制作方法，所述晶圆的制作方法包括：提供外延基板，所述外延基板包括依次层叠的衬底、牺牲层及发光叠层，所述衬底包括临近设置的第一区域和第二区域；图案化所述发光叠层和所述牺牲层，以使所述第一区域的衬底露出，并保留位于所述第二区域内的牺牲层和发光叠层；在所述第一区域内形成覆盖所述衬底的遮挡层，其中，所述遮挡层连接所述牺牲层和/或所述发光叠层；形成覆盖所述发光叠层的钝化层；去除所述遮挡层，以使所述钝化层沿垂直于所述衬底方向上与所述衬底之间存在一间隔。本申请提供的晶圆的制作方法可以提高芯片的转移良率。高芯片的转移良率。高芯片的转移良率。

【技术实现步骤摘要】
晶圆及其制作方法


[0001]本专利技术涉及晶圆制备
，尤其涉及一种晶圆及其制作方法。

技术介绍

[0002]在芯片的制备过程中，需要利用剥离技术将芯片从衬底上剥离下来，然后再转移到目标衬底上。在进行剥离制程之前，通常会在芯片上形成钝化层，以起到保护芯片和绝缘的作用。然而，若钝化层的设计结构不合理，会降低芯片的转移良率，因此，如何提高芯片的转移良率是亟需解决的问题。

技术实现思路

[0003]鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种晶圆及其制作方法，旨在解决如何提高芯片的转移良率的问题。
[0004]本申请提供一种晶圆的制作方法，所述晶圆的制作方法包括：
[0005]提供外延基板，所述外延基板包括依次层叠的衬底、牺牲层及发光叠层，所述衬底包括临近设置的第一区域和第二区域；
[0006]图案化所述发光叠层和所述牺牲层，以使所述第一区域的衬底露出，并保留位于所述第二区域内的牺牲层和发光叠层；
[0007]在所述第一区域内形成覆盖所述衬底的遮挡层，其中，所述遮挡层连接所述牺牲层和/或所述发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆的制作方法，其特征在于，所述晶圆的制作方法包括：提供外延基板，所述外延基板包括依次层叠的衬底、牺牲层及发光叠层，所述衬底包括临近设置的第一区域和第二区域；图案化所述发光叠层和所述牺牲层，以使所述第一区域的衬底露出，并保留位于所述第二区域内的牺牲层和发光叠层；在所述第一区域内形成覆盖所述衬底的遮挡层，其中，所述遮挡层连接所述牺牲层和/或所述发光叠层；形成覆盖所述发光叠层的钝化层；去除所述遮挡层，以使所述钝化层沿垂直于所述衬底方向上与所述衬底之间存在一间隔。2.如权利要求1所述的晶圆的制作方法，其特征在于，所述牺牲层包括至少一个氮化物半导体层，所述氮化物半导体层经由特定波长激光照射后分解。3.如权利要求2所述的晶圆的制作方法，其特征在于，所述牺牲层包括一氮化物半导体层，所述氮化物半导体层为氮化镓半导体层。4.如权利要求2所述的晶圆的制作方法，其特征在于，所述牺牲层包括层叠设置的第一氮化物半导体层和第二氮化物半导体层，所述第一氮化物半导体层连接于所述衬底，所述第二氮化物半导体层连接于所述发光叠层，所述遮挡层的厚度大于或等于所述第一氮化物半导体层的厚度。5.如权利要求1所述的晶圆的制作方法，其特征在于，所述去除所述遮挡层，包括：采用干法刻蚀或湿法刻蚀工艺去除所述遮挡层。6.如权利要求1
‑
5任意一项所述的晶圆的制作方法，其特征在于，所述发光叠层包括依次...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾强，洪温振，蔡明达，李勋，李欣曈，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：