一种全彩色量子点转换装置及其制造方法、显示芯片模组制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种全彩色量子点转换装置及其制造方法、显示芯片模组，在透明基板上制作与芯片的子像素单元位置相对应的量子点孔位，在量子点孔位中填充量子点光色转换物并沉积量子点保护层，因此转换装置是在透明基板上独立制作的，相较于现有技术中在衬底层上加工转换层，将全彩色量子点转换装置倒置后与所述集成式单色Micro LED模组基底对齐粘合，能够提高制作效率。并且转换装置使用量子点

【技术实现步骤摘要】
一种全彩色量子点转换装置及其制造方法、显示芯片模组
[0001]本案是以申请日为2022年01月28日，申请号为202210104851.5，名称为“一种彩色Micro LED显示芯片模组的制造方法”的专利技术专利为母案而进行的分案申请。


[0002]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种全彩色量子点转换装置及其制造方法、显示芯片模组。

技术介绍

[0003]现有的全彩色Micro LED显示有两种方案：第一种是RGB单颗巨量转移，将大量的独立RGB LED芯片分别转移到同一个基板内；第二种是基于单色Micro LED，在其芯片上使用量子点进行转换。
[0004]但是现有的全彩色显示方案中，第一种巨量转移方式其效率始终得不到提升，且其单个像素的尺寸受到转移装置的局限；第二种基于单色Micro LED结合量子点的方式其显示效果常受到衬底剥离和颜色串扰问题的影响。

技术实现思路

[0005]本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种全彩色量子点转换装置及其制造方法、显示芯片模组，能够解决衬底剥离困难和光色串扰的问题本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种全彩色量子点转换装置的制造方法，其特征在于，包括步骤：在透明基板上制作与Micro LED芯片的子像素单元位置相对应的量子点孔位；在所述量子点孔位中填充量子点光色转换物并沉积量子点保护层；在所述量子点保护层上方位于量子点孔位之间的位置依次制备金属反射层和金属间隔层，在所述金属反射层和所述金属间隔层的上方均匀覆盖中间绝缘覆盖层，在所述中间绝缘覆盖层的凹槽内填充透明粘合剂，得到全彩色量子点转换装置；在所述量子点保护层上方位于量子点孔位之间的位置依次制备金属反射层和金属间隔层包括：在所述量子点保护层上覆盖金属反射层，将所述金属反射层在所述量子点孔位中心的位置开孔；在所述金属反射层上方位于量子点孔位之间的位置制备金属间隔层。2.根据权利要求1所述的一种全彩色量子点转换装置的制造方法，其特征在于，所述在透明基板上制作与芯片的子像素单元位置相对应的量子点孔位包括：在透明基板上使用光刻制作与芯片的子像素单元位置相对应的图形，通过刻蚀得到量子点孔位。3.根据权利要求1所述的一种全彩色量子点转换装置的制造方法，其特征在于，在所述量子点孔位中填充量子点光色转换物并沉积量子点保护层...

【专利技术属性】
技术研发人员：张帆，吴永胜，齐佳鹏，
申请(专利权)人：福建兆元光电有限公司，
类型：发明
国别省市：