一种LED晶圆的标记装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种LED晶圆的标记装置，LED晶圆的标记装置中包括位于晶圆上的后段标记区域、中心标记区域和对位标记区域；其中，后段标记用于模拟电极和底层的结合力以及用于分选站点机台的识别，中心标记区域用于机台电性测试中的识别，对位标记用于光刻机的对位识别，因此后段标记区域、中心标记区域和对位标记区域均包含多个膜层，相较于现有技术中的标记点，能够增加标记区域的厚度，使其倒模时不易掉落。时不易掉落。时不易掉落。

【技术实现步骤摘要】
一种LED晶圆的标记装置


[0001]本技术涉及LED
，特别涉及一种LED晶圆的标记装置。

技术介绍

[0002]LED(Light Emitting Diode)中文称为发光二极管，其组成产品在生活中随处可见。划裂是指将完整晶圆用激光切割并将切割后的芯片劈裂成单个的芯粒，分为贴片、隐切、劈裂、扩张、翻转等步骤。其中翻转目的是为了把劈裂倒转的芯粒用蓝膜倒膜，使其正面向上，方便下步电性测试。
[0003]但是倒膜机进行芯粒翻转的时候，多款倒装产品的后段标记点、中心点、对KEY等Mark点均会出现倒掉的情况；后段标记点掉落后影响后段标记点附近边缘COT测试亮度，造成标记点附近芯粒亮度无法准确测试从而影响良率。

技术实现思路

[0004]本技术所要解决的技术问题是：提供一种LED晶圆的标记装置，能够防止芯片倒模翻转时发生标记点脱落的情况。
[0005]为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为：
[0006]一种LED晶圆的标记装置，包括位于晶圆上的后段标记区域、中心标记区域和对位标记区域；
[0007]所述后段标记区域包括从下往上依次层叠的第一MESA层、电流扩展层、第一扩展条、第一反射层和第一电极层；
[0008]所述中心标记区域包括从下往上依次层叠的第二MESA层、第二扩展条、第二反射层和第二电极层；
[0009]所述对位标记区域包括从下往上依次层叠的第三MESA层、第三反射层和第三电极层。
[0010]进一步地，所述后段标记区域的数量不低于4个，位于所述晶圆平边预设距离处，且所述后段标记区域之间在水平、垂直方向上对称。
[0011]进一步地，所述对位标记区域的数量为2个，且分别位于水平中心线的两端。
[0012]进一步地，所述中心标记区域位于所述晶圆的中心。
[0013]进一步地，所述第一MESA层和所述电流扩展层外全覆盖有正性光刻胶；
[0014]所述第一扩展条、所述第一反射层和所述第一电极层的形状均为王字形。
[0015]进一步地，所述第二MESA层外全覆盖有正性光刻胶；
[0016]所述第二扩展条、所述第二反射层和所述第二电极层的形状均为栅形。
[0017]进一步地，所述第三MESA层外全覆盖有正性光刻胶；
[0018]所述第三反射层包括预设的套刻刻蚀区域；
[0019]所述第三电极层位于预设的蒸镀区域。
[0020]进一步地，所述第一MESA层、所述第二MESA层以及所述第三MESA层的厚度为
[0021]所述第一反射层、所述第二反射层以及所述第三反射层的厚度为
[0022]所述第一电极层、所述第二电极层以及所述第三电极层的厚度为
[0023]进一步地，所述电流扩展层的厚度为
[0024]进一步地，所述第一扩展条和所述第二扩展条的厚度为
[0025]本技术的有益效果在于：LED晶圆的标记装置中包括位于晶圆上的后段标记区域、中心标记区域和对位标记区域；其中，后段标记用于模拟电极和底层的结合力以及用于分选站点机台的识别，中心标记区域用于机台电性测试中的识别，对位标记用于光刻机的对位识别，因此后段标记区域、中心标记区域和对位标记区域均包含多个膜层，相较于现有技术中的标记点，能够增加标记区域的厚度，使其倒模时不易掉落。
附图说明
[0026]图1为本技术实施例的一种LED晶圆标记装置的示意图；
[0027]图2为对位标记区域掉落的示意图；
[0028]图3为后段标记区域掉落的示意图；
[0029]图4为现有技术中后段标记区域的截面图；
[0030]图5为现有技术中后段标记区域的示意图；
[0031]图6为现有技术中中心标记区域的截面图；
[0032]图7为现有技术中中心标记区域的示意图；
[0033]图8为现有技术中对位标记区域的截面图；
[0034]图9为本技术实施例的后段标记区域的截面图；
[0035]图10为本技术实施例的后段标记区域的示意图；
[0036]图11为本技术实施例的中心标记区域的截面图；
[0037]图12为本技术实施例的中心标记区域的示意图；
[0038]图13为本技术实施例的对位标记区域的截面图；
[0039]图14为本技术实施例的第三反射层的示意图；
[0040]图15为本技术实施例的第三电极层的示意图；
[0041]标号说明：
[0042]1、后段标记区域；2、中心标记区域；3、对位标记区域；
[0043]11、第一MESA层；12、电流扩展层；13、第一扩展条；14、第一反射层；15、第一电极层；
[0044]21、第二MESA层；22、第二扩展条；23、第二反射层；24、第二电极层；
[0045]31、第三MESA层；32、第三反射层；33、第三电极层。
具体实施方式
[0046]为详细说明本技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配
合附图予以说明。
[0047]请参照图1，一种LED晶圆的标记装置，包括位于晶圆上的后段标记区域、中心标记区域和对位标记区域；
[0048]所述后段标记区域包括从下往上依次层叠的第一MESA层、电流扩展层、第一扩展条、第一反射层和第一电极层；
[0049]所述中心标记区域包括从下往上依次层叠的第二MESA层、第二扩展条、第二反射层和第二电极层；
[0050]所述对位标记区域包括从下往上依次层叠的第三MESA层、第三反射层和第三电极层。
[0051]从上述描述可知，本技术的有益效果在于：LED晶圆的标记装置中包括位于晶圆上的后段标记区域、中心标记区域和对位标记区域；其中，后段标记用于模拟电极和底层的结合力以及用于分选站点机台的识别，中心标记区域用于机台电性测试中的识别，对位标记用于光刻机的对位识别，因此后段标记区域、中心标记区域和对位标记区域均包含多个膜层，相较于现有技术中的标记点，能够增加标记区域的厚度，使其倒模时不易掉落。
[0052]进一步地，所述后段标记区域的数量不低于4个，位于所述晶圆平边预设距离处，且所述后段标记区域之间在水平、垂直方向上对称。
[0053]由上述描述可知，不低于4个的后段标记区域，便于模拟电极和底层的结合力以及用于分选站点机台的识别。
[0054]进一步地，所述对位标记区域的数量为2个，且分别位于水平中心线的两端。
[0055]由上述描述可知，在水平中心线上设置对位标记区域，能够便于光刻机的对位曝光识别。
[0056]进一步地，所述中心标记区域位于所述晶圆的中心。
[0057]由上述描述可知，在晶圆的中心设置中心标记区域，能够便于后续进行机台电性测试的识别。
[0058]进一步地，所述第一MESA层和所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED晶圆的标记装置，其特征在于，包括位于晶圆上的后段标记区域、中心标记区域和对位标记区域；所述后段标记区域包括从下往上依次层叠的第一MESA层、电流扩展层、第一扩展条、第一反射层和第一电极层；所述中心标记区域包括从下往上依次层叠的第二MESA层、第二扩展条、第二反射层和第二电极层；所述对位标记区域包括从下往上依次层叠的第三MESA层、第三反射层和第三电极层。2.根据权利要求1所述的一种LED晶圆的标记装置，其特征在于，所述后段标记区域的数量不低于4个，位于所述晶圆平边预设距离处，且所述后段标记区域之间在水平、垂直方向上对称。3.根据权利要求1所述的一种LED晶圆的标记装置，其特征在于，所述对位标记区域的数量为2个，且分别位于水平中心线的两端。4.根据权利要求1所述的一种LED晶圆的标记装置，其特征在于，所述中心标记区域位于所述晶圆的中心。5.根据权利要求1所述的一种LED晶圆的标记装置，其特征在于，所述第一MESA层和所述电流扩展层外全覆盖有正性光刻胶...

【专利技术属性】
技术研发人员：李慧敏，齐佳鹏，钟伟华，彭足超，李景浩，鲁日彬，蔡武，
申请(专利权)人：福建兆元光电有限公司，
类型：新型
国别省市：