一种清洗InGaN基LEDV型坑侧壁In的方法技术

本发明专利技术公开了一种清洗InGaN基LED V型坑侧壁In的方法，该LED由衬底、N层、准备层、量子阱InGaN/GaN发光层、P层组成，量子阱InGaN/GaN发光层分为量子阱InGaN层、GaN盖层、量子垒GaN，GaN盖层包括平台区域和V型坑区域，GaN盖层分为两个生长阶段，即：第一生长阶段通入不含H2的气体生长GaN盖层，第二生长阶段通入含H2的气体进行清洗。这种生长方法达到清洗了量子阱InGaN层V型坑侧壁的中的In同时又保护量子阱InGaN层平台区域的In，清洗量子阱InGaN层V型坑侧壁的中的In后V型坑侧壁的禁带宽度增大，减少了电子向V型坑泄露，提高了LED发光效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
一种清洗InGaN基LED V型坑侧壁In的方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种清洗InGaN基LED V型坑侧壁In的方法。

技术介绍

[0002]GaN材料具有直接宽带隙、良好的热稳定性和化学稳定性，在发光二极管、激光器、探测器、高电子迁移率晶体管器件上有重要的应用。但是由于异质外延GaN与衬底之间存在大的晶格失配与热失配，如Si衬底与GaN的晶格失配为17％，热失配为46％，这些导致在Si衬底上生长GaN材料时存在高密度缺陷，这些缺陷在GaN材料中容易成为非辐射复合中心、载流子散射中心、漏电流通道等，降低了GaN基器件的效率、寿命等，制约了GaN基材料和器件的进一步发展和应用。
[0003]V型坑是GaN基材料中常见的缺陷之一，与其他类缺陷不同，V型坑在InGaN/GaN量子阱中LED起到了提高发光效率的作用。尽管V型坑的存在牺牲了一部分的平台，但是V型坑侧壁是半极性面，使得侧壁量子阱界面处的极化电荷密度要比平台量子阱的低，空穴从V型坑侧壁注入需要克服的势垒要比平台上注入需要克服的势垒低，这样导致空穴更容易从侧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种清洗InGaN基LED V型坑侧壁In的方法，该LED由衬底、N层、准备层、量子阱InGaN/GaN发光层、P层组成，量子阱InGaN/GaN发光层分为量子阱InGaN层、GaN盖层、量子垒GaN层，GaN盖层位于量子阱InGaN层和GaN垒层之间，GaN盖层包括同一位置设置的平行于衬底的平台区域和V型坑区域，其特征在于：GaN盖层分为两个生长阶段，即：第一生长阶段通入不含H2的气体生长GaN盖层，第二生长阶段通入含H2的气体进行清洗。2.根据权利要求1所述的清洗InGaN基LED V型坑侧壁In的方法，其特征在于：
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第一生长阶段，GaN盖层的生长温度T1与量子阱InGaN层的温度T0相同。3.根据权利要求1所述的清洗InGaN基LED V型坑侧壁In的方法，其特征在于：
，
第一生长阶段，GaN盖层的生长速率V1>量子阱InGaN层的生长速率V0。4.根据权利要求3所述的清洗InGaN基LED V型坑侧壁In的方法，其特征在于：0.4 A/s≤V0≤1A/s。5.根据权利要求1所述的清洗InGaN基LED V型...

【专利技术属性】
技术研发人员：张建立，李丹，王小兰，高江东，杨小霞，吴小明，江风益，
申请(专利权)人：南昌硅基半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：