一种LED芯片及其刻蚀方法技术

本发明专利技术公开了一种LED芯片及其刻蚀方法，涉及LED照明技术领域。LED芯片的刻蚀方法包括以下步骤：S1、提供芯片衬底；S2、在S1中衬底外延层上设置电流阻挡层、金属导电层、电流拓展层和钝化层；S3、对S2中的初次刻蚀产物去除刻蚀胶；S4、对正性光刻胶和负性光刻胶分别进行光刻处理。通过进行n次刻蚀实现对LED芯片进行深刻蚀的同时，能够有规律的进行蚀刻工作，从而能够避免出现加工过程错乱的现象，使得能够提升刻蚀的加工效率；通过多次进行刻蚀，使得加工生产出的LED芯片的界面更加的平整，且通过等离子清洗机的清洗，能够避免LED芯片有漏电的可能，进一步的能够提升LED芯片的良品率，能够提升LED芯片生产的良品率。能够提升LED芯片生产的良品率。能够提升LED芯片生产的良品率。

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片及其刻蚀方法


[0001]本专利技术涉及LED照明
，具体为一种LED芯片及其刻蚀方法。

技术介绍

[0002]LED芯片是一种固态的半导体器件，LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。也称为led发光芯片，是led灯的核心组件，也就是指的P
‑
N结。其主要功能是：把电能转化为光能，芯片的主要材料为单晶硅。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。
[0003]刻蚀，它是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻相联系的图形化处理的一种主要工艺。所谓刻蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，其基本目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形。随着微制造工艺的发展，广义上来讲，刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称。
[0004]在现有技术中，在实际的LED芯片过程中可采用刻蚀的制造工艺进行加工，LED芯片在刻蚀的过程中若过分的对板层进行刻蚀，则会出现加工效率低下的现象，且由于刻蚀的步骤规律不明显，会导致加工过程错乱的现象，影响LED芯片的良品率；鉴于此，我们提出了一种LED芯片及其刻蚀方法。

技术实现思路

[0005](一)解决的技术问题
[0006]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种LED芯片及其刻蚀方法，解决了上述
技术介绍
提到的问题。
[0007](二)技术方案
[0008]为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：一种LED芯片的刻蚀方法，所述LED芯片的刻蚀方法包括以下步骤：
[0009]S1、提供芯片衬底，在所述衬底上喷涂外延层；
[0010]S2、在S1中衬底外延层上设置电流阻挡层、金属导电层、电流拓展层和钝化层，并进行淹膜Si02层的沉积，同时对非腐蚀区域进行保护，CUT黄光制成，其中Si02的厚度为用于对非腐蚀区域进行良好的保护，对所述钝化层进行初次刻蚀，得初次刻蚀产物；
[0011]S3、对S2中的初次刻蚀产物去除刻蚀胶，并对外延层远离衬底一侧旋涂抹正性光刻胶，对所述正性光刻胶进行曝光、显影和竖膜操作，对外延层靠近衬底一侧旋涂抹负性光刻胶，对所述负性光刻胶进行曝光、显影和竖膜操作；
[0012]S4、对正性光刻胶和负性光刻胶分别进行光刻处理，并露出透明导电层的待刻蚀
区域，对所述待刻蚀区域进行等离子清洁处理，并进行n次刻蚀，n从1开始且为整数，按照从第1次刻蚀至第n次刻蚀的顺序进行刻蚀，且每次刻蚀的温度与n呈正比例关系，每次刻蚀的中刻蚀液的浓度与n呈负比例关系。
[0013]可选的，所述刻蚀的温度为42
‑
82摄氏度。
[0014]可选的，所述刻蚀液的浓度为1.2*10
‑6mlo/L
‑
3.5*10
‑6mlo/L。
[0015]可选的，所述第1次刻蚀的刻蚀时间为30
‑
450s。
[0016]可选的，所述n次刻蚀的过程中，任意相邻的两次刻蚀中后一次所用的刻蚀液浓度是前一次刻蚀所用的刻蚀液浓度的0.65
‑
0.75倍，所述n次刻蚀的过程中任意相邻的两次刻蚀中的刻蚀时间均相同。
[0017]可选的，所述n次刻蚀的过程中，任意相邻的两次刻蚀中后一次所用的刻蚀温度是前一次刻蚀所用的刻蚀温度的1.0125
‑
1.15倍。
[0018]可选的，在第n次刻蚀后，将LED芯片放置在BOE溶液下个进行除淹膜并对其进行清洗处理和吹干处理，在室温条件下湿法蚀刻待刻蚀走道的掩膜硅，然后再进行ICP干法刻蚀，吹干处理中采用高压N2吹干，对清洗后的LED芯片进行充分的清理吹干。
[0019]可选的，所述BOE溶液由H2SO4和H3PO4混合组成，且H2SO4和H3PO4的体积占比为2:7。
[0020]可选的，所述等离子清洁处理在氧气、甲烷、氩气中一种或多种的气体环境进行处理，且采用等离子清洗机进行所述等离子清洁处理，所述等离子清洗机的射频功率为45W
‑
750W，所述等离子清洁处理的时间为25
‑
400S。
[0021]一种LED芯片，所述LED芯片采用上述的LED芯片的刻蚀方法制得。
[0022](三)有益效果
[0023]本专利技术提供了一种LED芯片及其刻蚀方法。具备以下有益效果：
[0024](1)、该LED芯片及其刻蚀方法，通过进行n次刻蚀实现对LED芯片进行深刻蚀的同时，能够有规律的进行蚀刻工作，从而能够避免出现加工过程错乱的现象，使得能够提升刻蚀的加工效率，且能够提升LED芯片生产的良品率。
[0025](2)、该LED芯片及其刻蚀方法，通过多次进行刻蚀，使得加工生产出的LED芯片的界面更加的平整，且通过等离子清洗机的清洗，能够避免LED芯片有漏电的可能，进一步的能够提升LED芯片的良品率。
[0026](3)、该LED芯片及其刻蚀方法，通过进行多次的刻蚀并分别对正性光刻胶和负性光刻胶进行曝光、显影和竖膜操作，能够有效的提升LED芯片的透光率，从而进一步的提升LED芯片的品质，适合进行推广使用。
附图说明
[0027]图1为本专利技术的流程结构示意图；
[0028]图2为本专利技术LED芯片的结构示意图。
[0029]图中：1、衬底；2、外延层；31、电流阻挡层；32、金属导电层；33、电流拓展层；34、钝化层。
具体实施方式
[0030]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完
整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0031]实施例1：
[0032]请参阅图1
‑
图2，本专利技术提供一种技术方案：一种LED芯片的刻蚀方法，LED芯片的刻蚀方法包括以下步骤：
[0033]S1、提供芯片衬底1，在衬底1上喷涂外延层2；
[0034]S2、在S1中衬底1外延层2上设置电流阻挡层31、金属导电层32、电流拓展层33和钝化层34，并进行淹膜Si02层的沉积，对钝化层34进行初次刻蚀，得初次刻蚀产物；
[0035]S3、对S2中的初次刻蚀产物去除刻蚀胶，并对外延层2远离衬底1一侧旋涂抹正性光刻胶，对正性光刻胶进行曝光、显影和竖膜操作，对外延层2靠近衬底1一侧旋涂抹负性光刻胶，对负性光刻胶进行曝光、显影和竖膜操作；
[0036]S4、对正性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片的刻蚀方法，其特征在于：所述LED芯片的刻蚀方法包括以下步骤：S1、提供芯片衬底，在所述衬底上喷涂外延层；S2、在S1中衬底外延层上设置电流阻挡层、金属导电层、电流拓展层和钝化层，并进行淹膜Si02层的沉积，对所述钝化层进行初次刻蚀，得初次刻蚀产物；S3、对S2中的初次刻蚀产物去除刻蚀胶，并对外延层远离衬底一侧旋涂抹正性光刻胶，对所述正性光刻胶进行曝光、显影和竖膜操作，对外延层靠近衬底一侧旋涂抹负性光刻胶，对所述负性光刻胶进行曝光、显影和竖膜操作；S4、对正性光刻胶和负性光刻胶分别进行光刻处理，并露出透明导电层的待刻蚀区域，对所述待刻蚀区域进行等离子清洁处理，并进行n次刻蚀，n从1开始且为整数，按照从第1次刻蚀至第n次刻蚀的顺序进行刻蚀，且每次刻蚀的温度与n呈正比例关系，每次刻蚀的中刻蚀液的浓度与n呈负比例关系。2.根据权利要求1所述的一种LED芯片的刻蚀方法，其特征在于：所述刻蚀的温度为42
‑
82摄氏度。3.根据权利要求1所述的一种LED芯片的刻蚀方法，其特征在于：所述刻蚀液的浓度为1.2*10
‑6mlo/L
‑
3.5*10
‑6mlo/L。4.根据权利要求1所述的一种LED芯片的刻蚀方法，其特征在于：所述第1次刻蚀的刻蚀时间为30
‑
450s。5.根据权利要求1所述的一种LED芯片的刻蚀方...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨天鹏，杨建国，卜浩礼，康建，邹浩洪，周荣，
申请(专利权)人：江西圆融光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：