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本发明公开了一种清洗InGaN基LED V型坑侧壁In的方法，该LED由衬底、N层、准备层、量子阱InGaN/GaN发光层、P层组成，量子阱InGaN/GaN发光层分为量子阱InGaN层、GaN盖层、量子垒GaN，GaN盖层包括平台区域和V...
该专利属于南昌硅基半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南昌硅基半导体科技有限公司授权不得商用。

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