提高亮度一致性的发光二极管的制备方法技术

本公开提供了一种提高亮度一致性的发光二极管的制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：提供一晶圆，所述晶圆包括多个发光二极管芯片；检测发光二极管芯片的发光亮度；减小第一发光二极管芯片的发光区的面积，所述第一发光二极管芯片为发光亮度高于基准亮度的发光二极管芯片。通过对晶圆中的发光二极管芯片的发光亮度进行检测，能够得到发光二极管芯片实际的发光亮度与基准亮度之间的大小关系，对于发光亮度高于基准亮度的发光二极管芯片，通过减小其发光区的面积，降低其发光亮度，使发光二极管芯片的发光亮度更加接近于基准亮度，从而提高同一晶圆制得的发光二极管的发光亮度的一致性。管的发光亮度的一致性。管的发光亮度的一致性。

【技术实现步骤摘要】
提高亮度一致性的发光二极管的制备方法


[0001]本公开涉及光电子制造
，特别涉及一种提高亮度一致性的发光二极管的制备方法。

技术介绍

[0002]发光二极管(英文：Micro Light Emitting Diode，简称：Micro LED)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于显示设备中。
[0003]发光二极管通常由晶圆经过裂片后得到，在裂片前，每个晶圆包括多个发光二极管芯片。在理想情况下，同一晶圆制作得到的发光二极管在相同的条件下正常工作时的发光亮度是相同的，即亮度有较高的一致性。但实际制作中，由于各种原因，会导致同一晶圆制得的发光二极管在相同的条件下发光亮度并不相同，发光亮度的一致性较差。

技术实现思路

[0004]本公开实施例提供了一种提高亮度一致性的发光二极管的制备方法，能够提高同一晶圆制得的发光二极管的发光亮度的一致性。所述技术方案如下：
[0005]本公开实施例提供了一种发光二极管的制备方法，所述制备方法包括：
[0006]提供一晶圆，所述晶圆包括多个发光二极管芯片；
[0007]检测发光二极管芯片的发光亮度；
[0008]减小第一发光二极管芯片的发光区的面积，所述第一发光二极管芯片为发光亮度高于基准亮度的发光二极管芯片。
[0009]可选地，所述减小第一发光二极管芯片的发光区的面积，包括：
[0010]确定所述基准亮度与所述第一发光二极管芯片的发光亮度的亮度比值；
[0011]基于所述亮度比值和所述第一发光二极管芯片的发光区的原始面积，确定需要减小的面积；
[0012]基于需要减小的面积，去除所述第一发光二极管芯片的发光区的部分区域。
[0013]可选地，所述基于所述亮度比值和所述第一发光二极管芯片的发光区的原始面积，确定需要减小的面积，包括：
[0014]基于所述亮度比值和所述原始面积的乘积，确定目标面积；
[0015]将所述原始面积与所述目标面积之差确定为需要减小的面积。
[0016]可选地，所述检测发光二极管芯片的发光亮度，包括：
[0017]从所述多个发光二极管芯片中抽检预设数量或预设比例的发光二极管芯片的发光亮度。
[0018]可选地，所述检测发光二极管芯片的发光亮度，还包括：
[0019]将所述晶圆划分为不重叠的多个分布区域；
[0020]分别确定每个所述分布区域中，抽检出的发光亮度高于所述基准亮度的发光二极
管芯片的发光亮度与所述基准亮度的偏离程度；
[0021]基于所述偏离程度，对至少部分所述分布区域进行补充抽检，所述补充抽检为选取未进行抽检的发光二极管芯片进行发光亮度的检测，选取的数量与所述偏离程度正相关。
[0022]可选地，所述方法还包括：
[0023]减小第二发光二极管芯片的发光区的面积，所述第二发光二极管芯片为与所述第一发光二极管芯片相邻，且未进行发光亮度检测的发光二极管芯片。
[0024]可选地，所述第二发光二极管芯片的发光区减小的面积小于或等于与之相邻的所述第一发光二极管芯片的发光区减小的面积；或者，所述第二发光二极管芯片的发光区的面积减小的比例小于或等于与之相邻的所述第一发光二极管芯片的发光区的面积减小的比例。
[0025]可选地，所述发光二极管芯片的第一电极位于所述发光区，减小面积后的所述发光区的边缘到所述第一电极的最小距离不低于安全距离。
[0026]可选地，所述减小第一发光二极管芯片的发光区的面积之后，所述方法还包括：
[0027]对所述发光二极管芯片的发光亮度进行再次检测。
[0028]可选地，所述减小第一发光二极管芯片的发光区的面积之后，所述方法还包括：
[0029]在所述多个发光二极管芯片上形成钝化层。
[0030]本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
[0031]通过对晶圆中的发光二极管芯片的发光亮度进行检测，能够得到发光二极管芯片实际的发光亮度与基准亮度之间的大小关系，对于发光亮度高于基准亮度的发光二极管芯片，通过减小其发光区的面积，降低其发光亮度，使发光二极管芯片的发光亮度更加接近于基准亮度，从而提高同一晶圆制得的发光二极管的发光亮度的一致性。
附图说明
[0032]为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0033]图1是本公开实施例提供的一种晶圆的俯视图；
[0034]图2是图1的局部放大示意图；
[0035]图3是本公开实施例提供的一种提高亮度一致性的发光二极管的制备方法的流程图；
[0036]图4是本公开实施例提供的另一种提高亮度一致性的发光二极管的制备方法的流程图；
[0037]图5是本公开实施例提供的一种发光二极管的制作过程示意图；
[0038]图6是本公开实施例提供的一种减小发光区的面积的示意图。
具体实施方式
[0039]为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方
式作进一步地详细描述。
[0040]图1是本公开实施例提供的一种晶圆的俯视图。如图1所示，该晶圆包括多个发光二极管芯片20。晶圆在裂片后，能够制得多个发光二极管。
[0041]图2是图1的局部放大示意图。如图2所示，发光二极管芯片20包括第一半导体层201、第二半导体层202、第一电极203和第二电极204。例如第一半导体层201可以为P型层，第二半导体层202可以为N型层。第一半导体层201叠在第二半导体层202上。第一半导体层201远离第二半导体层202的表面为发光区201a。第一电极203位于发光区201a，第二电极204位于第二半导体层202上。
[0042]以上仅给出了发光二极管芯片20的一般结构，实际中，发光二极管芯片20还可以包括其他结构，本公开实施例对此并不限定。
[0043]图3是本公开实施例提供的一种提高亮度一致性的发光二极管的制备方法的流程图。如图3所示，该制备方法包括：
[0044]在步骤S11中，提供一晶圆。
[0045]其中，晶圆包括多个发光二极管芯片20。
[0046]在步骤S12中，检测发光二极管芯片20的发光亮度。
[0047]在步骤S13中，减小第一发光二极管芯片201的发光区201a的面积。
[0048]其中，第一发光二极管芯片201为发光亮度高于基准亮度的发光二极管芯片20。
[0049]通过对晶圆中的发光二极管芯片20的发光亮度进行检测，能够得到发光二极管芯片20实际的发光亮度与基准亮度之间的大小关系，对于发光亮度高于基准亮度的发光二极管芯片20，通过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：提供一晶圆，所述晶圆包括多个发光二极管芯片(20)；检测发光二极管芯片(20)的发光亮度；减小第一发光二极管芯片(201)的发光区(201a)的面积，所述第一发光二极管芯片(201)为发光亮度高于基准亮度的发光二极管芯片(20)。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述减小第一发光二极管芯片(201)的发光区(201a)的面积，包括：确定所述基准亮度与所述第一发光二极管芯片(201)的发光亮度的亮度比值；基于所述亮度比值和所述第一发光二极管芯片(201)的发光区(201a)的原始面积，确定需要减小的面积；基于需要减小的面积，去除所述第一发光二极管芯片(201)的发光区(201a)的部分区域。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述基于所述亮度比值和所述第一发光二极管芯片(201)的发光区(201a)的原始面积，确定需要减小的面积，包括：基于所述亮度比值和所述原始面积的乘积，确定目标面积；将所述原始面积与所述目标面积之差确定为需要减小的面积。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述检测发光二极管芯片(20)的发光亮度，包括：从所述多个发光二极管芯片(20)中抽检预设数量或预设比例的发光二极管芯片(20)的发光亮度。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述检测发光二极管芯片(20)的发光亮度，还包括：将所述晶圆划分为不重叠的多个分布区域(10a)；分别确定每个所述分布区域(10a)中，抽检出的发光亮度高于所述基准亮度的发光二极管芯片(20)的发光亮度与所述基准亮度的偏离程度；基于所述偏离...

【专利技术属性】
技术研发人员：林云真，陈建南，田艳红，尹灵峰，王江波，梅劲，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：