一种提升LED芯片电性良率的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及LED芯片电性良率技术领域，特别涉及一种提升LED芯片电性良率的装置，包括罩体，罩体内腔设有一端面具有开口的槽体，槽体内设有玻璃烧杯，槽体侧壁上嵌设有超声波发生器，玻璃烧杯中设有卡塞盒，卡塞盒上放置有两个以上等间距排列的外延片，外延片上镀有金属，槽体内还设有水溶液，水溶液的液面高度低于玻璃烧杯的高度且水溶液的液面高度高于卡塞盒的高度，玻璃烧杯中还设有丙酮溶液，外延片浸没在丙酮溶液中，这样可以通过丙酮溶液与超声的共同作用，先将刚蒸镀完金属的外延片上多余的金属去除后再撕金，若有静电只是击穿个别颗芯片而不至于扩散到整个外延片上，进而提高芯片的电性良率。进而提高芯片的电性良率。进而提高芯片的电性良率。

【技术实现步骤摘要】
一种提升LED芯片电性良率的装置


[0001]本技术涉及LED芯片电性良率
，特别涉及一种提升LED芯片电性良率的装置。

技术介绍

[0002]LED(英文全称为Light Emitting Diode)即发光二极管，是一种电能转化为光能的固态半导体器件。作为新型的发光器件，LED具有高光效、节能、使用寿命长、响应时间短、环保等优点，因此被称为最有潜力的新一代光源，在照明领域应用领域极为常见。目前一般的LED芯片工厂月产量四寸片都在十万片以上，对于如此庞大的LED产量来说LED芯片的良率是至关重要，如果每片能提高1％良率，十万片能多创造数十万以上的利润。LED芯片制造过程中，蒸镀金属是必不可少的，工艺顺序是先做光刻不需要蒸镀金属部分用光刻胶覆盖，再整面蒸镀金属，金属蒸镀完后需要用蓝膜撕下芯片上多余的金属，蓝膜撕金属前整片上的金属都是串联的，蓝膜撕金属的过程可能存在静电使芯片被击穿失效，从而降低芯片电性良率。

技术实现思路

[0003]为了克服上述现有技术的缺陷，本技术所要解决的技术问题是：提供一种能够提升LED芯片电性良率的装置。
[0004]为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为：
[0005]一种提升LED芯片电性良率的装置，包括罩体，所述罩体内腔设有一端面具有开口的槽体，所述槽体内设有玻璃烧杯，所述槽体侧壁上嵌设有超声波发生器，所述玻璃烧杯中设有卡塞盒，所述卡塞盒上放置有两个以上等间距排列的外延片，所述外延片上镀有金属，所述槽体内还设有水溶液，所述水溶液的液面高度低于玻璃烧杯的高度且水溶液的液面高度高于卡塞盒的高度，所述玻璃烧杯中还设有丙酮溶液，所述外延片浸没在丙酮溶液中。
[0006]进一步的，所述超声波发生器的振动时间范围为12min
‑
15min。
[0007]进一步的，还包括实验桌，所述实验桌上设有撕金机，所述撕金机上设有两个支撑杆，两个所述支撑杆之间转动连接有滚动柱，所述滚动柱上缠绕有用于撕金属的蓝膜。
[0008]进一步的，所述超声波发生器与外延片位于同一水平面上，且所述外延片的平面与超声波发生器的超声波产生方向相垂直。
[0009]本技术的有益效果在于：
[0010]通过在槽体内设置玻璃烧杯，槽体侧壁上嵌设有超声波发生器，玻璃烧杯中设有卡塞盒，卡塞盒上放置有两个以上等间距排列的外延片，外延片上镀有金属，槽体内还设有水溶液，水溶液的液面高度低于玻璃烧杯的高度且水溶液的液面高度高于卡塞盒的高度，玻璃烧杯中还设有丙酮溶液，外延片浸没在丙酮溶液中，这样可以通过丙酮溶液与超声的共同作用，先将刚蒸镀完金属的外延片上多余的金属去除后，这样外延片上的芯片就不会串联在一起，即芯片之间互不影响，即使还有部分残留的金属将少数的芯片串联一起，若有
静电也只是击穿个别颗芯片而不至于扩散到整个外延片上，这样静电能损伤到的芯片数量也是有限，进而提高芯片的电性良率。
附图说明
[0011]图1所示为根据本技术的一种提升LED芯片电性良率的装置的结构示意图；
[0012]图2所示为根据本技术的一种提升LED芯片电性良率的装置的局部结构示意图；
[0013]标号说明：
[0014]1、罩体；2、槽体；3、玻璃烧杯；4、卡塞盒；5、外延片；6、实验桌；7、撕金机；8、支撑杆；9、蓝膜。
具体实施方式
[0015]为详细说明本技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
[0016]请参照图1所示，本技术提供的技术方案：
[0017]一种提升LED芯片电性良率的装置，包括罩体，所述罩体内腔设有一端面具有开口的槽体，所述槽体内设有玻璃烧杯，所述槽体侧壁上嵌设有超声波发生器，所述玻璃烧杯中设有卡塞盒，所述卡塞盒上放置有两个以上等间距排列的外延片，所述外延片上镀有金属，所述槽体内还设有水溶液，所述水溶液的液面高度低于玻璃烧杯的高度且水溶液的液面高度高于卡塞盒的高度，所述玻璃烧杯中还设有丙酮溶液，所述外延片浸没在丙酮溶液中。
[0018]从上述描述可知，本技术的有益效果在于：
[0019]通过在槽体内设置玻璃烧杯，槽体侧壁上嵌设有超声波发生器，玻璃烧杯中设有卡塞盒，卡塞盒上放置有两个以上等间距排列的外延片，外延片上镀有金属，槽体内还设有水溶液，水溶液的液面高度低于玻璃烧杯的高度且水溶液的液面高度高于卡塞盒的高度，玻璃烧杯中还设有丙酮溶液，外延片浸没在丙酮溶液中，这样可以通过丙酮溶液与超声的共同作用，先将刚蒸镀完金属的外延片上多余的金属去除后，这样外延片上的芯片就不会串联在一起，即芯片之间互不影响，即使还有部分残留的金属将少数的芯片串联一起，若有静电也只是击穿个别颗芯片而不至于扩散到整个外延片上，这样静电能损伤到的芯片数量也是有限，进而提高芯片的电性良率。
[0020]进一步的，所述超声波发生器的振动时间范围为12min
‑
15min。
[0021]从上述描述可知，将超声波发生器的振动时间范围设为12min
‑
15min，能够进一步提高芯片的电性良率。
[0022]进一步的，还包括实验桌，所述实验桌上设有撕金机，所述撕金机上设有两个支撑杆，两个所述支撑杆之间转动连接有滚动柱，所述滚动柱上缠绕有用于撕金属的蓝膜。
[0023]从上述描述可知，在进行撕金属工艺时，通过拉动蓝膜，由于蓝膜有粘性，金属蒸镀是用负性光刻胶，曝光显影后会留下倒角(光刻胶悬空存在)，蓝膜能把光刻胶连带胶上金属撕起带走。
[0024]进一步的，所述超声波发生器与外延片位于同一水平面上，且所述外延片的平面与超声波发生器的超声波产生方向相垂直。
[0025]从上述描述可知，超声波发生器与外延片位于同一水平面上，且外延片的平面与超声波发生器的超声波产生方向相垂直，这样金属的去除效果是最好的，因此能够进一步提高芯片的电性良率。
[0026]请参照图1和图2所示，本技术的实施例一为：
[0027]请参照图1和图2，一种提升LED芯片电性良率的装置，包括罩体1，所述罩体1内腔设有一端面具有开口的槽体2，所述槽体2内设有玻璃烧杯3，所述槽体2侧壁上嵌设有超声波发生器，所述玻璃烧杯3中设有卡塞盒4，所述卡塞盒4上放置有两个以上等间距排列的外延片5，所述外延片5上镀有金属，所述槽体2内还设有水溶液，所述水溶液的液面高度低于玻璃烧杯3的高度且水溶液的液面高度高于卡塞盒4的高度，所述玻璃烧杯3中还设有丙酮溶液，所述外延片5浸没在丙酮溶液中。
[0028]所述超声波发生器的振动时间范围为12min
‑
15min，优选为13min。
[0029]请参照图2，还包括实验桌6，所述实验桌6上设有撕金机7，所述撕金机7上设有两个支撑杆8，两个所述支撑杆8之间转动连接有滚动柱，所述滚动柱上缠绕有用于撕金属的蓝膜9。
[0030]蓝膜9撕金属的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提升LED芯片电性良率的装置，其特征在于，包括罩体，所述罩体内腔设有一端面具有开口的槽体，所述槽体内设有玻璃烧杯，所述槽体侧壁上嵌设有超声波发生器，所述玻璃烧杯中设有卡塞盒，所述卡塞盒上放置有两个以上等间距排列的外延片，所述外延片上镀有金属，所述槽体内还设有水溶液，所述水溶液的液面高度低于玻璃烧杯的高度且水溶液的液面高度高于卡塞盒的高度，所述玻璃烧杯中还设有丙酮溶液，所述外延片浸没在丙酮溶液中。2.根据权利要求1所述的提升LED芯片电性良率的装置，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄章挺，
申请(专利权)人：福建兆元光电有限公司，
类型：新型
国别省市：