一种防止背崩的LED芯片切割方法技术

本发明专利技术涉及一种防止背崩的LED芯片切割方法。所述方法包括步骤：(1)贴膜；(2)切割；(3)微扩膜与缩膜；(4)压膜；(5)扣膜；(6)扩膜，完成切割。本发明专利技术改善了常规化芯片切割工艺，添加了预切割、微扩膜、缩膜、压膜和扣膜步骤，将应力分段传递，减少应力对芯片内里造成的影响，有效地改善了常规化芯片切割工艺将应力由表面直接一次性深入传递到芯片内里，容易造成芯片背崩的情况，克服了芯片切割过程中容易发生背崩的问题，极大地提高了芯片切割的合格率，降低了生产成本。低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种防止背崩的LED芯片切割方法


[0001]本专利技术涉及一种防止背崩的LED芯片切割方法，属于LED芯片


技术介绍

[0002]LED芯片作为半导体照明的核心元器件，在照明行业发挥着重要作用。LED被称为第四代照明光源或绿色光源，具有节能、环保、寿命长、体积小等特点，广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。根据使用功能的不同，可以将其划分为信息显示、信号灯、车用灯具、液晶屏背光源、通用照明五大类。LED芯片发光效率高，颜色范围广，使用寿命长，已被广泛应用于大屏显示、景观照明、交通信号灯、汽车状态显示等各个领域。因此LED芯片最后的外观形状好坏会直接影响到其电性能参数的好坏，因此LED行业领域内对芯片外观的要求颇为严格，尤其是尺寸越小越明显，影响LED芯片外观的主要是切割后发生的背崩。
[0003]在LED芯片制备工艺中，切割就是将经过光刻、镀膜、减薄等基本工艺制程后的整个芯片分割成所需求尺寸的单一晶粒的过程，是半导体发光二极管芯片制备工艺中不可或缺的后段制程。对于LED芯片，比较传统的也是现业界采本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防止背崩的LED芯片切割方法，其特征在于，包括步骤如下：(1)贴膜：将芯片P面向下放入贴膜机中，用蓝膜覆盖芯片N面，加热，使得芯片N面黏附在蓝膜上；(2)切割：将步骤(1)所得芯片P面向上放入锯片机中，校准水平，画定切割行列，设置刀片初始高度为40
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200μm，选择一行进行第一次预切割，第一次预切割完成后暂停，观察芯片N面蓝膜上的划痕，根据划痕调整刀片高度另起一行继续预切割，直至N面蓝膜上仅为一条浅划痕，使得芯片切割深度为芯片厚度的95～98％，然后按照此刀片高度进行正常切割，切割后芯片的背面不会彻底断开；(3)微扩膜与缩膜：将步骤(2)所得芯片放入扩膜机中，进行微扩膜处理，然后加热，使得芯片受热回缩至微扩膜前的大小；(4)压膜：将步骤(3)所得芯片放入压膜机中，加热，进行压膜处理；(5)扣膜：将步骤(4)所述芯片沿着切割过程中的切割痕迹进行内扣处理，使得蓝膜与切割痕迹完全贴合；(6)扩膜：将步骤(5)所得芯片放入扩膜机中，进行扩膜处理，得到一颗颗独立的管芯，完成LED芯片的切割。2.如权利要求1所述的防止背崩的LED芯片切割方法，其特征在于，步骤(1)中，所述加热温度为52～58℃。3.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑军，李琳琳，齐国健，闫宝华，
申请(专利权)人：山东浪潮华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：