LED芯片的巨量转移方法、显示面板和显示装置制造方法及图纸

本申请涉及一种LED芯片的巨量转移方法，所述巨量转移方法包括：提供临时基板，所述临时基板上通过临时键合胶层固定有多个LED芯片；制备转移模板，所述转移模板包括微结构模板和涂布于所述微结构模板上的热解胶层；通过所述转移模板将多个所述LED芯片转移到显示背板，移除所述转移模板中的所述微结构模板。所述巨量转移方法解决了由于三色显示技术受限于红光LED芯片的发光效率较低导致产品整体显现出来的亮度较低的问题。本申请还提供了一种显示面板以及一种具有该显示面板的显示装置。显示面板以及一种具有该显示面板的显示装置。显示面板以及一种具有该显示面板的显示装置。

【技术实现步骤摘要】
LED芯片的巨量转移方法、显示面板和显示装置


[0001]本申请涉及显示
，特别涉及一种LED芯片的巨量转移方法、显示面板以及具有该显示面板的显示装置。

技术介绍

[0002]微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)作为新一代的显示技术，与传统LED相比，其具有更高的光电效率、更高的亮度、更高的对比度以及更低的功耗，而且还能结合柔性面板实现柔性显示。随着制程的成熟和价格的下降，近年来基于Micro LED芯片的相关产品越来越多。目前，Micro LED显示面板上包括了多个像素区域亚像素渲染(Subpixel Rendering，SPR)，每个像素区域SPR包括第一LED芯片、第二LED芯片以及第三LED芯片。
[0003]通常，显示面板在制作过程中，需要将第一LED芯片、第二LED芯片以及第三LED芯片从各自的生长基板(WAFER)转移到显示背板上。然而，由于三色显示技术受限于红光LED芯片的发光效率较低，不足以提供足够的亮度用于白平衡调配，导致需要通过降低蓝光LED芯片与绿光LED芯片的亮度来匹配现有红光LED芯片的亮度。但在此方式下，Micro LED显示面板整体呈现出来的亮度较低，并没有完全发挥出Micro LED高亮度的特性。

技术实现思路

[0004]鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种LED芯片的巨量转移方法、显示面板以及具有该显示面板的显示装置，其旨在解决现有技术中存在的由于三色显示技术受限于红光LED芯片的发光效率较低导致产品整体显现出来的亮度较低的问题。
[0005]一种LED芯片的巨量转移方法，其包括：提供临时基板，所述临时基板上通过临时键合胶层固定有多个LED芯片；制备转移模板，所述转移模板包括微结构模板和涂布于所述微结构模板上的热解胶层；通过所述转移模板将多个所述LED芯片转移到显示背板，移除所述转移模板中的所述微结构模板。
[0006]综上所述，本申请的LED芯片的巨量转移方法通过在所述微结构模板的一侧涂布所述热解胶层，以形成用于转移所述红光LED芯片的转移模板，并通过温度控制实现将转移模板上的胶材一起转移到显示背板的一侧起到封装效果，从而解决了红光LED芯片的发光效率较低导致产品整体显现出来的亮度较低的问题，因此不但提高了红光芯片的出光效率，并提高了LED芯片的发光性能。
[0007]可选地，所述提供临时基板，所述临时基板上通过临时键合胶层固定有多个LED芯片，包括：提供临时基板，在所述临时基板的一侧设置临时键合胶层；提供生长基板，将所述生长基板上的多个LED芯片转移至所述临时键合胶层，将所述生长基板与所述临时基板键合；移除所述生长基板。
[0008]可选地，所述制备转移模板，包括：提供一微结构模板，其中，所述微结构模板的一侧表面凸设有多个微结构；在所述微结构模板具有所述微结构的一侧涂布热解胶层得到所
述转移模板。
[0009]可选地，所述通过所述转移模板将多个所述LED芯片转移到显示背板，移除所述转移模板中的所述微结构模板，包括：将所述转移模板移动至多个所述LED芯片上；通过所述转移模板的所述热解胶层拾取多个所述LED芯片；将多个所述LED芯片转移到所述显示背板；将多个所述LED芯片与所述显示背板进行焊接，并移开所述微结构模板。
[0010]可选地，所述将多个所述LED芯片与所述显示背板进行焊接，并移开所述微结构模板，包括：在第一预设温度下将多个所述LED芯片与所述显示背板进行预焊接；提升焊接温度至第二预设温度，使得所述第二预设温度大于所述热解胶层的解键温度，所述第二预设温度大于所述第一预设温度；将所述热解胶层与所述微结构模板分离以移开所述微结构模板。
[0011]可选地，所述生长基板为蓝宝石衬底，所述LED芯片由砷化镓材料制成。
[0012]可选地，所述微结构模板为硅基模板，所述微结构为三角形、棱锥形、半圆形以及凸台形中的任意一种；或，所述微结构为刻蚀出的三角形、棱锥形、半圆形中的任意一种。
[0013]可选地，所述显示背板为薄膜场效应管背板，所述临时键合胶层由苯并环丁烯胶材制成。
[0014]可选地，所述临时基板为玻璃基板，所述LED芯片为红光LED芯片。
[0015]综上所述，本申请的LED芯片的巨量转移方法通过在所述微结构模板具有所述微结构的一侧涂布所述热解胶层，以形成用于转移所述红光LED芯片的转移模板，并通过温度控制实现将转移模板上的胶材一起转移到显示背板的一侧起到封装效果，从而解决了红光LED芯片的发光效率较低导致产品整体显现出来的亮度较低的问题，因此不但提高了红光芯片的出光效率，并提高了LED芯片的发光性能。此外，基于所述转移模板上的特殊设计，通过胶材复制出的微结构用于提高LED芯片的出光效率，以此增加屏体的亮度，从而实现Micro LED显示屏高亮度显示。
[0016]基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种显示面板，其包括显示背板以及通过上述的巨量转移方法转移至所述显示背板上的LED芯片。
[0017]综上所述，本申请的显示面板通过在所述微结构模板具有所述微结构的一侧涂布所述热解胶层，以形成用于转移所述红光LED芯片的转移模板，并通过温度控制实现将转移模板上的胶材一起转移到显示背板的一侧起到封装效果，从而解决了红光LED芯片的发光效率较低导致产品整体显现出来的亮度较低的问题，因此不但提高了红光芯片的出光效率，并提高了LED芯片的发光性能。此外，基于所述转移模板上的特殊设计，通过胶材复制出的微结构用于提高LED芯片的出光效率，以此增加屏体的亮度，从而实现Micro LED显示屏高亮度显示。
[0018]基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种显示面板，其包括多个LED芯片、热解胶层以及显示背板，多个所述LED芯片设置于所述显示背板上，且与所述显示背板金属键合，所述热解胶层设置于所述显示背板上，并填充在多个所述LED芯片之间。
[0019]综上所述，本申请的显示面板通过在所述微结构模板具有所述微结构的一侧涂布所述热解胶层，以形成用于转移所述红光LED芯片的转移模板，并通过温度控制实现将转移模板上的胶材一起转移到显示背板的一侧起到封装效果，从而解决了红光LED芯片的发光效率较低导致产品整体显现出来的亮度较低的问题，因此不但提高了红光芯片的出光效
率，并提高了LED芯片的发光性能。此外，基于所述转移模板上的特殊设计，通过胶材复制出的微结构用于提高LED芯片的出光效率，以此增加屏体的亮度，从而实现Micro LED显示屏高亮度显示。
附图说明
[0020]图1为本申请实施例公开的一种LED芯片的巨量转移方法的流程示意图；
[0021]图2为图1所示巨量转移方法中步骤S10的流程示意图；
[0022]图3为图2所示的巨量转移方法中步骤S11形成的对应结构示意图；
[0023]图4为图2所示的巨量转移方法中步骤S12形成的对应结构示意图；
[0024本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片的巨量转移方法，其特征在于，包括：提供临时基板，所述临时基板上通过临时键合胶层固定有多个LED芯片；制备转移模板，所述转移模板包括微结构模板和涂布于所述微结构模板上的热解胶层；通过所述转移模板将多个所述LED芯片转移到显示背板，移除所述转移模板中的所述微结构模板。2.如权利要求1所述的LED芯片的巨量转移方法，其特征在于，所述提供临时基板，所述临时基板上通过临时键合胶层固定有多个LED芯片，包括：提供临时基板，在所述临时基板的一侧设置临时键合胶层；提供生长基板，将所述生长基板上的多个所述LED芯片转移至所述临时键合胶层，将所述生长基板与所述临时基板键合；移除所述生长基板。3.如权利要求1所述的LED芯片的巨量转移方法，其特征在于，所述制备转移模板，包括：提供一微结构模板，其中，所述微结构模板的一侧表面凸设有多个微结构；在所述微结构模板具有所述微结构的一侧涂布热解胶层得到所述转移模板。4.如权利要求1所述的LED芯片的巨量转移方法，其特征在于，所述通过所述转移模板将多个所述LED芯片转移到显示背板，移除所述转移模板中的所述微结构模板，包括：将所述转移模板移动至多个所述LED芯片上；通过所述转移模板的所述热解胶层拾取多个所述LED芯片；将多个所述LED芯片转移到所述显示背板；将多个所述LED芯片与所述显示背板进行焊接，并移开所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：翟峰，萧俊龙，蔡明达，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：