一种芯片转移方法、基板和显示面板技术

本发明专利技术涉及一种芯片转移方法、基板以及显示面板。芯片转移方法包括提供一基板，基板的一侧生长有发光芯片，基板设置有温致变色层，温致变色层用于在基板与任一发光芯片之间的生长界面上的界面温度高于预设温度时降低激光的透过率；利用激光照射温致变色层当基板与任一发光芯片之间的生长界面上的界面温度高于预设温度时，温致变色层降低激光的透过率；当基板与任一发光芯片之间的生长界面上的界面温度低于预设温度时，温致变色层保持激光的透过率，以便剥离发光芯片，并转移发光芯片至目标基板。芯片转移方法在一些实施过程中有利于减少发光芯片因激光的高强度照射产生高热导致的损坏。导致的损坏。导致的损坏。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片转移方法、基板和显示面板


[0001]本专利技术涉及发光芯片制造领域，尤其涉及一种芯片转移方法、基板和显示面板。

技术介绍

[0002]Micro
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LED(Micro Light
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Emitting Diode，微型发光二极管)显示装置的优点为响应速度快、耗能低和色彩显示效果优异等，但目前在制程上还有很多问题，比如在激光剥离过程中就可能产生大量不良的Micro
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LED芯片导致显示装置制造成本增加和显示效果变差；
[0003]激光剥离的原理为激光加热让晶圆上的芯片与生长衬底界面的氮化镓吸收光子能量产生热量导致温度上升，当达到分解温度时(常压下为890℃)分解为金属镓和氮气，但激光能量可能会出现控制异常或者能量波动，导致界面温度过高从而造成Micro
‑
LED芯片因为热影响发生破裂或者芯片外延层被分解。
[0004]因此，如何在发光芯片激光剥离的过程中保护发光芯片是亟需解决的问题。

技术实现思路

[0005]鉴于上述相关技术的不足，本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片转移方法，其特征在于，包括：提供一基板，所述基板的一侧生长有发光芯片，所述基板设置有温致变色层，所述温致变色层用于在所述基板与任一所述发光芯片之间的生长界面上的界面温度高于预设温度时降低激光的透过率；利用激光照射所述温致变色层，其中，当所述基板与任一所述发光芯片之间的生长界面上的界面温度高于所述预设温度时，所述温致变色层降低所述激光的透过率；当所述基板与任一所述发光芯片之间的生长界面上的界面温度低于所述预设温度时，所述温致变色层保持所述激光的透过率，以便于剥离所述发光芯片；转移所述发光芯片至目标基板。2.如权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，所述利用激光照射所述温致变色层之前，还包括：将暂存基板与所述基板上的所述发光芯片相键合；所述利用激光照射所述温致变色层之后，还包括：剥离所述基板与所述发光芯片，所述发光芯片留在所述暂存基板上。3.如权利要求2所述的芯片转移方法，其特征在于，所述转移所述发光芯片至目标基板，包括：通过转移装置从所述暂存基板上将所述发光芯片转移至目标基板。4.如权利要求1所述的芯片转移方法，其特征在于，所述提供一基板包括：在所述基板没有生长所述发光芯片的一侧的表面形成所述温致变色层。5.如权利要求4所述的芯片转移方法，其特征在于，所述在所述基板没有生长所述发光芯片的一侧的表面形成所述温致变色层包括以下至少一种：通过溶胶凝胶法在所述基板没有生长所述发光芯片的一侧的表面设置温致变色材料；通过磁控溅射法在所述基板没有生长所述发光芯片的一侧表面设置温致变色材料。6.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：李强，蔡明达，林浩翔，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：