微型发光芯片阵列结构及其制备方法、掩膜版技术

本发明专利技术实施例公开了一种微型发光芯片阵列结构及其制备方法、掩膜版，其中微型发光芯片阵列结构制备方法包括如下步骤：提供基片，基片包括多个微型发光芯片；于基片的表面设置保护层；对基片进行刻蚀得到至少一条切割道，至少一条切割道将多个微型发光芯片分隔为多组微型发光芯片阵列；沿切割道切割基片，得到多个微型发光芯片阵列结构。本发明专利技术实施例能够提高微型发光芯片阵列结构的性能和良率。提高微型发光芯片阵列结构的性能和良率。提高微型发光芯片阵列结构的性能和良率。

【技术实现步骤摘要】
微型发光芯片阵列结构及其制备方法、掩膜版


[0001]本专利技术涉及芯片加工
，尤其涉及一种微型发光芯片阵列结构制备方法、微型发光芯片阵列结构及掩膜版。

技术介绍

[0002]微型发光芯片阵列结构的制备过程，通常是在晶圆上排布多个阵列设置的微型发光芯片单元，再通过切割设备将晶圆切割为多个独立的微型发光芯片单元。相关技术中，微型发光芯片阵列结构的良率不高。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要提供一种能够改善良率的微型发光芯片阵列结构制备方法、芯片及掩膜版。
[0004]一种微型发光芯片阵列结构制备方法，包括：
[0005]提供基片，所述基片包括多个微型发光芯片；
[0006]于所述基片的表面设置保护层；
[0007]对所述基片进行刻蚀得到至少一条切割道，所述至少一条切割道将所述多个微型发光芯片分隔为多组微型发光芯片阵列；
[0008]沿所述切割道切割所述基片，得到多个微型发光芯片阵列结构。
[0009]在所述微型发光芯片阵列结构制备方法的一些实施例中，所述对所述基片进行刻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型发光芯片阵列结构制备方法，其特征在于，包括：提供基片，所述基片包括多个微型发光芯片；于所述基片的表面设置保护层；对所述基片进行刻蚀得到至少一条切割道，所述至少一条切割道将所述多个微型发光芯片分隔为多组微型发光芯片阵列；沿所述切割道切割所述基片，得到多个微型发光芯片阵列结构。2.根据权利要求1所述的微型发光芯片阵列结构制备方法，其特征在于，所述对所述基片进行刻蚀得到至少一条切割道，所述至少一条切割道将所述多个微型发光芯片分隔为多组微型发光芯片阵列，包括：在所述基片的表面制备具有纵横交错的凹槽的掩膜；使用刻蚀基质腐蚀所述基片，以形成所述切割道。3.根据权利要求2所述的微型发光芯片阵列结构制备方法，其特征在于，所述在所述基片的表面制备具有纵横交错的凹槽的掩膜，包括：于所述基片的表面涂布光刻胶；提供掩膜版，利用光束透过所述掩膜版照射所述光刻胶，以使得所述光刻胶转化为耐刻蚀部分与不耐刻蚀部分；去除所述不耐刻蚀部分，得到所述掩膜。4.根据权利要求1所述的微型发光芯片阵列结构制备方法，其特征在于，在所述于所述基片的表面设置保护层之前，还包括将用于引...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴涛，
申请(专利权)人：深圳市思坦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：