具有栅控集电极的横向双极型晶体管制造技术

本公开涉及半导体结构，更具体地涉及具有栅控集电极的横向双极型晶体管和制造方法。该结构包括：外基极区，其竖直地位于半导体衬底上方，并且包括位于外基极区的相反侧壁上的非对称侧壁间隔物；集电极区，其位于半导体衬底上，并通过非对称侧壁间隔物中的至少第一间隔物与外基极区分隔开；以及发射极区，其位于半导体衬底上，并通过非对称侧壁间隔物中的第二间隔物与所述外基极区分隔开。间隔物与所述外基极区分隔开。间隔物与所述外基极区分隔开。

【技术实现步骤摘要】
具有栅控集电极的横向双极型晶体管


[0001]本公开涉及半导体结构，更具体地涉及具有栅控集电极的横向双极型晶体管及制造方法。

技术介绍

[0002]双极型晶体管可以是竖直(vertical)晶体管或横向晶体管。在竖直双极型晶体管中，载流子沿竖直方向流动。由于集电极区形成在距晶片表面较深的位置，集电极电阻增加，从而限制了晶体管的性能，特别是对于高速操作。此外，晶体管需要高浓度的掩埋层、集电极外延层和深沟槽隔离等。因此，工艺步骤数增多，成本也因此增加。另一方面，横向双极型晶体管在结构上比竖直双极型晶体管简单。此外，在横向双极型晶体管中，集电极电极可以直接与集电极区接触，这有利于高速操作。

技术实现思路

[0003]在本公开的一方面，一种结构包括：外基极(extrinsic base)区，其竖直地位于半导体衬底上方，并且包括位于所述外基极区的相反侧壁上的非对称侧壁间隔物(spacer)；集电极区，其位于所述半导体衬底上，并通过所述非对称侧壁间隔物中的至少第一间隔物与所述外基极区分隔开；以及发射极区，其位于所述半导体衬底上，并通过所述非本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种结构，包括：外基极区，其竖直地位于半导体衬底上方，并且包括位于所述外基极区的相反侧壁上的非对称侧壁间隔物；集电极区，其位于所述半导体衬底上，并通过所述非对称侧壁间隔物中的至少第一间隔物与所述外基极区分隔开；以及发射极区，其位于所述半导体衬底上，并通过所述非对称侧壁间隔物中的第二间隔物与所述外基极区分隔开。2.根据权利要求1所述的结构，其中所述外基极区包括P+掺杂多晶硅材料。3.根据权利要求2所述的结构，还包括邻近所述集电极区并电连接到所述集电极区的栅极结构，所述栅极结构还将所述集电极区与所述外基极区分隔开。4.根据权利要求3所述的结构，还包括位于所述栅极结构下方的掺杂半导体集电极接触区，所述掺杂半导体集电极接触区将所述栅极结构电连接到所述集电极区。5.根据权利要求4所述的结构，还包括到所述栅极结构的栅极接触。6.根据权利要求3所述的结构，还包括位于所述栅极结构上的侧壁间隔物，其中所述侧壁间隔物将所述栅极结构与所述集电极区分隔开，并且所述第一间隔物将所述栅极结构与所述外基极区分隔开。7.根据权利要求6所述的结构，其中所述第一间隔物不同于所述侧壁间隔物。8.根据权利要求6所述的结构，其中所述侧壁间隔物和所述第二间隔物具有相同的材料。9.根据权利要求1所述的结构，还包括邻近所述第一侧壁间隔物并且电接触所述集电极区的多晶硅间隔物。10.根据权利要求9所述的结构，还包括位于所述多晶硅间隔物上的侧壁间隔物，其中所述侧壁间隔物将所述集电极区与所述多晶硅间隔物分隔开，并且所述第一间隔物将所述栅极结构与所述外基极结构分隔开。11.根据权利要求9所述的结构，还包括位于所述多晶硅间隔物下方的掺杂半导体接触区，所述掺杂半导体接触区将所述多晶硅间隔物连接到所述集电极区。12.根据权利要求11所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：