高电子迁移率晶体管制造技术

本公开涉及半导体结构，并且更具体地，涉及高电子迁移率晶体管和制造方法。结构包括：半导体衬底；在半导体衬底上的栅极结构；连接到栅极结构的栅极金属；以及连接到栅极结构的源极区的场板。栅极金属和场板包括相同材料。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体结构，更具体地涉及高电子迁移率晶体管和制造方法。

技术介绍

1、高电子迁移率晶体管(hemt)是一种场效应晶体管，其包括在两种具有不同带隙的材料之间的结(即，异质结)作为沟道，而不是掺杂区(对于mosfet，通常为这种情况)。常用的材料族是gan或gaas，尽管根据器件的应用可以使用其他材料。

2、由于gan材料系统的更高的临界场和切换品质因数(figures of merit)，因此ganhemt器件通常比硅mosfet具有更高的电场强度，从而在例如导通电阻和击穿电压方面提供实质性的性能改进，同时提供快速切换速度以及其他重要参数。由于这些特性从根本上导致更高的系统效率，因此hemt可以用于各种电源管理应用，诸如消费或汽车领域中的ac-dc和dc-dc转换。在rf应用中，它们可用于诸如手机、卫星或接收器或雷达设备的应用中的高频功率放大器、低噪声放大器或开关。

技术实现思路

1、在公开的一方面，一种结构包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上的栅极结构；连接到所述栅极结构的栅极金属；以及本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种结构，包括：

2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述相同材料包括TiN。

3.根据权利要求2所述的结构，其中，所述相同材料包括TiN/Al/TiN。

4.根据权利要求1所述的结构，还包括在所述场板和所述栅极金属之间的气隙。

5.根据权利要求4所述的结构，其中，所述气隙由层间电介质材料包封。

6.根据权利要求5所述的结构，其中，所述层间电介质材料在所述场板和所述栅极金属上方。

7.根据权利要求1所述的结构，其中，所述栅极结构包括p掺杂的GaN。

8.根据权利要求7所述的结构，其中，所述半导体衬底包...

【技术特征摘要】

1.一种结构，包括：

2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述相同材料包括tin。

3.根据权利要求2所述的结构，其中，所述相同材料包括tin/al/tin。

4.根据权利要求1所述的结构，还包括在所述场板和所述栅极金属之间的气隙。

5.根据权利要求4所述的结构，其中，所述气隙由层间电介质材料包封。

6.根据权利要求5所述的结构，其中，所述层间电介质材料在所述场板和所述栅极金属上方。

7.根据权利要求1所述的结构，其中，所述栅极结构包括p掺杂的gan。

8.根据权利要求7所述的结构，其中，所述半导体衬底包括gan堆叠。

9.根据权利要求1所述的结构，其中，所述场板和所述栅极金属包括相同厚度。

10.根据权利要求1所述的结构，其中，所述场板和所述栅极金属共面。

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【专利技术属性】
技术研发人员：B·T·库奇，J·M·德安格里斯，S·H·波特，T·S·威尔斯，M·D·莱维，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：