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本公开涉及半导体结构，并且更具体地，涉及高电子迁移率晶体管和制造方法。结构包括：半导体衬底；在半导体衬底上的栅极结构；连接到栅极结构的栅极金属；以及连接到栅极结构的源极区的场板。栅极金属和场板包括相同材料。...
该专利属于格芯（美国）集成电路科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯（美国）集成电路科技有限公司授权不得商用。

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