横向双极型半导体器件制造技术

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种横向半导体器件。横向双极型半导体器件包括：衬底，衬底中形成基区，基区从衬底的上表面向下延伸；基区中形成有发射区，位于发射区外周的基区中形成有集电区，发射区与集电区之间被基区横向漂移部间隔；介质层，介质层覆盖在衬底的上表面上，介质层中形成有多晶硅化物阻挡层，多晶硅化物阻挡层覆盖在基区横向漂移部上；介质层中还形成有发射极金属层，发射极金属层通过第一接触孔与发射区接触；发射极金属层覆盖多晶硅化物阻挡层，并通过第二接触孔与多晶硅化物阻挡层接触。基区的导电类型为第一导电类型，发射区和集电区的导电类型为第二导电类型。为第二导电类型。为第二导电类型。

【技术实现步骤摘要】
横向双极型半导体器件


[0001]本申请涉及半导体集成电路制造
，具体涉及一种横向半导体器件。

技术介绍

[0002]横向双极型半导体器件，其载流子沿着器件衬底的水平方向运动，因其发射结和集电结都具有较高的反向击穿电压，其发射结允许施加较高的反压，而广泛地应用中集成电路中。
[0003]然而，在相关技术中，位于发射极和集电极之间的基极区，其宽度一般较大，使得器件的电流放大系数较小。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种横向双极型半导体器件，可以解决相关技术中器件的电流放大系数较小的问题。
[0005]为了解决
技术介绍
中所述的技术问题，本申请提供一种横向双极型半导体器件，所述横向双极型半导体器件包括：
[0006]衬底，所述衬底中形成基区，所述基区从所述衬底的上表面向下延伸；
[0007]所述基区中形成有发射区，位于发射区外周的所述基区中形成有集电区，所述发射区与所述集电区之间被基区横向漂移部间隔；
[0008]介质层，所述介质层覆盖在所述衬底的上表面上，所述介质层中形成有多晶硅化物阻挡层，所述多晶硅化物阻挡层覆盖在所述基区横向漂移部上；
[0009]所述介质层中还形成有发射极金属层，所述发射极金属层通过第一接触孔与所述发射区接触；所述发射极金属层覆盖多晶硅化物阻挡层，并通过第二接触孔与所述多晶硅化物阻挡层接触。
[0010]所述基区的导电类型为第一导电类型，所述发射区和所述集电区的导电类型为第二导电类型。
[0011]可选地，所述集电区为围绕在所述基区外周的封闭环形。
[0012]可选地，间隔在所述集电区与所述基区之间的所述基区横向漂移部为封闭环形；
[0013]所述多晶硅化物阻挡层的形状与所述基区横向漂移部的形状一致。
[0014]可选地，所述第二接触孔为封闭环形。
[0015]可选地，环形的所述第二接触孔有多条，相邻两条所述第二接触孔相间隔。
[0016]可选地，所述介质层中还形成有集电极金属层，所述集电极金属层通过第三接触孔与所述集电区接触。
[0017]可选地，位于所述基区下的所述衬底中还形成第一导电类型埋层。
[0018]可选地，所述衬底的导电类型为第二导电类型。
[0019]本申请技术方案，至少包括如下优点：本申请通过发射极金属层与发射区以及多晶硅化物阻挡层接触，能够在对发射极金属层施加较高的反压时，使得发射极金属层和第
二接触孔形成该基区横向漂移部的场板，通过场板效应，吸引基区横向漂移部中的电子和空穴复合，同时避免负电荷在多晶硅化物阻挡层表面积累，从而提高器件的电流放大系数。
附图说明
[0020]为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0021]图1示出了本申请一实施例提供的横向双极型半导体器件部分剖视结构示意图；
[0022]图2示出了图1所示横向双极型半导体器件的衬底俯视结构示意图；
[0023]图3示出了本申请另一实施例提供的横向双极型半导体器件部分剖视结构示意图。
具体实施方式
[0024]下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
[0025]在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0026]在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
[0027]此外，下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0028]本申请中的半导体区域的导电类型包括相反的第一导电类型和第二导电类型，即当第一导电类型为N型时，该第二导电类型为P型；当第一导电类型为P型时，该第二导电类型为N型。
[0029]N型半导体和P型半导体，是根据向半导体中掺入的类型不同的杂质而产生。其中，向半导体中掺入位于元素周期表第V族中的某种元素，例如砷或锑等施主杂质，即可以得到N型半导体；向半导体中掺入位于元素周期表中第Ⅲ族中的一种元素，例如硼或铟等受主杂质，就可以得到P型半导体。
[0030]该N型半导体和P型半导体的导电性能是不同的。
[0031]图1示出了本申请一实施例提供的横向双极型半导体器件部分剖视结构示意图，
下面以第一导电类型为N型，第二导电类型为P型为例，对图1所示实施例进行描述。
[0032]从图1中可以看出，该横向双极型半导体器件包括衬底100和覆盖在该衬底100上的介质层200。
[0033]该衬底100中形成基区110，该基区110从该衬底100的上表面向下延伸。可以通过向该衬底100中选择性注入N型杂质，从而形成N型的基区110。
[0034]该基区110中形成有发射区120和集电区130，该集电区130位于该发射区120的外周，且该集电区130与发射区120之间被基区横向漂移部111间隔。可以通过向基区110中选择性注入P型杂质，从而形成P型的发射区120和P型的集电区130。
[0035]该介质层200中形成有多晶硅化物阻挡层210，该多晶硅化物阻挡层210覆盖在该基区横向漂移部111的上表面上。
[0036]该介质层200中还形成发射极金属层220，该发射极金属层220通过第一接触孔231与发射区120接触，该发射极金属层220覆盖多晶硅化物阻挡层220，并通过第二接触孔232与多晶硅化物阻挡层220接触。
[0037]为了防止第二接触孔232与多晶硅化物阻挡层220下方的有源区穿通，该多晶硅化物阻挡层220的厚度可以选用大于1000A的厚度。
[0038]本实施例通过发射极金属层与发射区以及多晶硅化物阻挡层接触，能够在对发射极金属层施加较高的反压时，使得发射极金属本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种横向双极型半导体器件，其特征在于，所述横向双极型半导体器件包括：衬底，所述衬底中形成基区，所述基区从所述衬底的上表面向下延伸；所述基区中形成有发射区，位于发射区外周的所述基区中形成有集电区，所述发射区与所述集电区之间被基区横向漂移部间隔；介质层，所述介质层覆盖在所述衬底的上表面上，所述介质层中形成有多晶硅化物阻挡层，所述多晶硅化物阻挡层覆盖在所述基区横向漂移部上；所述介质层中还形成有发射极金属层，所述发射极金属层通过第一接触孔与所述发射区接触；所述发射极金属层覆盖多晶硅化物阻挡层，并通过第二接触孔与所述多晶硅化物阻挡层接触。所述基区的导电类型为第一导电类型，所述发射区和所述集电区的导电类型为第二导电类型。2.如权利要求1所述的横向双极型半导体器件，其特征在于，所述集电区为围绕在所述基区外周的封闭环形。...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱丽霞，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：