紧凑型像素内存储器显示器结构制造技术

本公开涉及紧凑型像素内存储器显示器结构。公开了像素和紧凑型像素内存储器显示器(例如，在全耗尽型绝缘体上半导体处理技术平台中实现)。一种用于像素的电子部件块包括存储器基元阵列、用于LED的驱动电路、以及连接在存储器基元阵列和驱动电路之间的逻辑电路。存储器基元阵列位于P阱上方，驱动电路位于相邻的N阱上方，逻辑电路包括位于N阱上的P型晶体管和位于P阱上的N型晶体管。像素阵列位于交替的P阱和N阱上方，下方为单个掩埋的N阱。具体而言，每列像素位于相邻的伸长的P阱和N阱上方，且在每列内，相邻像素具有镜像布局。此外，相邻列的像素位于一种类型的两个伸长的阱和其间的相反类型的共用伸长的阱上方，且相邻列具有镜像布局。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及像素内存储器(memory-in-pixel)显示器，更具体地涉及紧凑型像素内存储器显示器结构的实施例。

技术介绍

1、在像素内存储器显示器中，每个像素包括发光二极管(led)(例如，超led(uled))、存储数据的嵌入式存储器、以及连接嵌入式存储器和led的逻辑电路。嵌入式存储器的使用提供了显著的功率节省。然而，对于全灰阶分辨率(full grayscale resolution)，每个像素需要相对大量的存储器基元(memory cell)(本文中也称为位基元)。例如，每个像素可能需要多达十二个静态随机存取存储器(sram)基元或甚至更多的阵列，从而增加了每个像素的面积消耗，并使有竞争力的产品的目标面积规范难以满足。

技术实现思路

1、本文公开了一种结构(例如，用于像素的电子部件块)的实施例。所述块可以包括存储器基元的阵列，其位于半导体衬底中的p阱上方的绝缘体层上。所述结构还可以包括发光二极管(led)驱动电路，所述led驱动电路位于所述半导体衬底中的n阱上方的所述绝缘体层上。所述n阱可以横向地本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种结构，包括：

2.根据权利要求1所述的结构，还包括：

3.根据权利要求1所述的结构，其中，所述存储器基元的所述阵列包括：

4.根据权利要求3所述的结构，其中，所述单列包括十二个存储器基元。

5.根据权利要求3所述的结构，其中，每个存储器基元是八晶体管静态随机存取存储器基元，包括：

6.根据权利要求3所述的结构，

7.根据权利要求6所述的结构，其中，所述驱动电路包括串联地连接在所述正电源电压轨和所述发光二极管的所述阳极之间的两个附加P型晶体管，其中，所述两个附加P型晶体管中的一个具有连接到所述与非门的输出的栅极...

【技术特征摘要】

1.一种结构，包括：

2.根据权利要求1所述的结构，还包括：

3.根据权利要求1所述的结构，其中，所述存储器基元的所述阵列包括：

4.根据权利要求3所述的结构，其中，所述单列包括十二个存储器基元。

5.根据权利要求3所述的结构，其中，每个存储器基元是八晶体管静态随机存取存储器基元，包括：

6.根据权利要求3所述的结构，

7.根据权利要求6所述的结构，其中，所述驱动电路包括串联地连接在所述正电源电压轨和所述发光二极管的所述阳极之间的两个附加p型晶体管，其中，所述两个附加p型晶体管中的一个具有连接到所述与非门的输出的栅极，并且，所述两个附加p型晶体管中的另一个具有被连接以接收栅极偏置电压的栅极。

8.根据权利要求1所述的结构，其中，所述p阱和所述n阱具有互锁的阶梯形状。

9.一种结构，包括：

10.根据权利要求9所述的结构，还包括：

11.根据权利要求9所述的结构，其中，每个块中的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·金，S·R·帕里哈尔，M·拉希德，Z·Y·阿尔帕斯兰，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：