【技术实现步骤摘要】
本公开涉及像素内存储器(memory-in-pixel)显示器，更具体地涉及紧凑型像素内存储器显示器结构的实施例。
技术介绍
1、在像素内存储器显示器中，每个像素包括发光二极管(led)(例如，超led(uled))、存储数据的嵌入式存储器、以及连接嵌入式存储器和led的逻辑电路。嵌入式存储器的使用提供了显著的功率节省。然而，对于全灰阶分辨率(full grayscale resolution)，每个像素需要相对大量的存储器基元(memory cell)(本文中也称为位基元)。例如，每个像素可能需要多达十二个静态随机存取存储器(sram)基元或甚至更多的阵列，从而增加了每个像素的面积消耗，并使有竞争力的产品的目标面积规范难以满足。
技术实现思路
1、本文公开了一种结构(例如，用于像素的电子部件块)的实施例。所述块可以包括存储器基元的阵列，其位于半导体衬底中的p阱上方的绝缘体层上。所述结构还可以包括发光二极管(led)驱动电路，所述led驱动电路位于所述半导体衬底中的n阱上方的所述绝缘体层上。所述n阱可以横向地邻近所述p阱定位，并且，所述led驱动电路可以连接到led的阳极。所述结构还可以包括逻辑电路，其位于所述绝缘体层上且连接到所述存储器基元的所述阵列和所述led驱动电路。该逻辑电路可以包括位于所述n阱上方的所述绝缘体层上的p型晶体管和位于所述p阱上方的所述绝缘体层上的n型晶体管。
2、本文还公开了一种结构(例如，像素内存储器显示器结构)的实施例。所述结构可以包括半导体
3、在一些实施例中，所述像素内存储器显示器结构可以包括具有交替的p阱和n阱的半导体衬底。所述结构还可以包括绝缘体层，其位于所述半导体衬底上且在所述交替的p阱和n阱上方。所述结构还可以包括用于像素阵列的电子部件块的阵列。所述电子部件块的阵列包括用于至少两列像素的至少两列所述电子部件块。所述两列电子部件块可以具有在一种类型导电性的两个阱和其间的相反类型导电性的共用阱(例如，n阱之间的p阱或p阱之间的n阱)上方对准的镜像列布局。在任何情况下，用于像素的每个电子部件块可以包括存储器基元的阵列，其位于一个p阱上方的所述绝缘体层上。每个块可以包括led驱动电路，其位于与所述p阱相邻的n阱上方的所述绝缘体层上并且连接到led的阳极。每个块还可以包括逻辑电路，其位于所述绝缘体层上且连接到所述存储器基元的所述阵列和所述led驱动电路。该逻辑电路可以包括位于与所述led驱动电路相同的n阱上方的所述绝缘体层上的p型晶体管和位于与所述存储器基元的所述阵列相同的p阱上方的所述绝缘体层上的n型晶体管。
4、应当注意，以上
技术实现思路
中提到的公开实施例的所有方面、示例和特征可以以任何技术上可能的方式进行组合。也就是说，任何公开实施例的两个或更多个方面，包括在本
技术实现思路
部分中描述的那些方面，可以被组合以形成在此未具体描述的实施方式。一个或多个实施方式的细节在附图和下面的描述中阐述。其他特征、目的和优点将从说明书和附图以及权利要求中显而易见。
【技术保护点】
1.一种结构，包括：
2.根据权利要求1所述的结构，还包括：
3.根据权利要求1所述的结构，其中，所述存储器基元的所述阵列包括：
4.根据权利要求3所述的结构，其中，所述单列包括十二个存储器基元。
5.根据权利要求3所述的结构，其中，每个存储器基元是八晶体管静态随机存取存储器基元，包括：
6.根据权利要求3所述的结构，
7.根据权利要求6所述的结构，其中，所述驱动电路包括串联地连接在所述正电源电压轨和所述发光二极管的所述阳极之间的两个附加P型晶体管，其中，所述两个附加P型晶体管中的一个具有连接到所述与非门的输出的栅极，并且，所述两个附加P型晶体管中的另一个具有被连接以接收栅极偏置电压的栅极。
8.根据权利要求1所述的结构，其中，所述P阱和所述N阱具有互锁的阶梯形状。
9.一种结构，包括：
10.根据权利要求9所述的结构，还包括：
11.根据权利要求9所述的结构，其中，每个块中的所述存储器基元的所述阵列包括：
12.根据权利要求11所述的结构，其中，所
13.根据权利要求11所述的结构，其中，每个存储器基元是八晶体管静态随机存取存储器基元，包括：
14.根据权利要求11所述的结构，其中，所述逻辑电路包括：
15.根据权利要求14所述的结构，其中，所述驱动电路包括串联地连接在所述正电源电压轨和所述发光二极管的所述阳极之间的两个附加P型晶体管，其中，所述两个附加P型晶体管中的一个具有连接到所述与非门的输出的栅极，并且，所述两个附加P型晶体管中的另一个具有被连接以接收栅极偏置电压的栅极。
16.根据权利要求9所述的结构，其中，所述P阱和所述N阱具有互锁的阶梯形状。
17.一种结构，包括：
18.根据权利要求17所述的结构，还包括：
19.根据权利要求17所述的结构，其中，所述存储器基元的所述阵列包括：
20.根据权利要求19所述的结构，
...【技术特征摘要】
1.一种结构，包括：
2.根据权利要求1所述的结构，还包括：
3.根据权利要求1所述的结构，其中，所述存储器基元的所述阵列包括：
4.根据权利要求3所述的结构，其中，所述单列包括十二个存储器基元。
5.根据权利要求3所述的结构，其中，每个存储器基元是八晶体管静态随机存取存储器基元，包括：
6.根据权利要求3所述的结构，
7.根据权利要求6所述的结构，其中，所述驱动电路包括串联地连接在所述正电源电压轨和所述发光二极管的所述阳极之间的两个附加p型晶体管，其中，所述两个附加p型晶体管中的一个具有连接到所述与非门的输出的栅极，并且，所述两个附加p型晶体管中的另一个具有被连接以接收栅极偏置电压的栅极。
8.根据权利要求1所述的结构，其中，所述p阱和所述n阱具有互锁的阶梯形状。
9.一种结构，包括：
10.根据权利要求9所述的结构，还包括：
11.根据权利要求9所述的结构，其中，每个块中的所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·金，S·R·帕里哈尔，M·拉希德，Z·Y·阿尔帕斯兰，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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