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本公开涉及半导体结构,更具体地涉及具有栅控集电极的横向双极型晶体管和制造方法。该结构包括:外基极区,其竖直地位于半导体衬底上方,并且包括位于外基极区的相反侧壁上的非对称侧壁间隔物;集电极区,其位于半导体衬底上,并通过非对称侧壁间隔物中的至少...该专利属于格芯(美国)集成电路科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过格芯(美国)集成电路科技有限公司授权不得商用。
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本公开涉及半导体结构,更具体地涉及具有栅控集电极的横向双极型晶体管和制造方法。该结构包括:外基极区,其竖直地位于半导体衬底上方,并且包括位于外基极区的相反侧壁上的非对称侧壁间隔物;集电极区,其位于半导体衬底上,并通过非对称侧壁间隔物中的至少...