高电子迁移率晶体管制造技术

本公开涉及半导体结构，更具体地说，涉及高电子迁移率晶体管和制造方法。该结构包括：半导体衬底；至少一个绝缘体膜，其位于半导体衬底上方，该至少一个绝缘体膜包括凹陷；以及场板，其延伸到至少一个凹陷内并且位于至少一个绝缘体膜上方。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体结构，更具体地涉及高电子迁移率晶体管和制造方法。

技术介绍

1、高电子迁移率晶体管(hemt)是场效应晶体管，其包括在两种具有不同带隙的材料之间的结作为沟道，而不是掺杂区(对于mosfet，通常为这种情况)。常用的材料组合是gan和algaas，尽管根据器件的应用存在其他材料变体。包括氮化镓的hemt例如提供高功率性能。

2、hemt能够在比普通晶体管高的频率(高达毫米波频率)下工作。因此，hemt用于高频率产品，例如蜂窝电话、卫星接收器、电压转换器和雷达设备。hemt也可用于低功率应用，如低功率放大器。但是，hemt可以展现出高栅漏电容(cgd)，此电容可随着不同电压的施加而变化。

技术实现思路

1、在本公开的一方面，一种结构包括：半导体衬底；至少一个绝缘体膜，其位于所述半导体衬底上方，所述至少一个绝缘体膜包括凹陷；以及场板，其延伸到所述至少一个凹陷内并且位于所述至少一个绝缘体膜上方。

2、在本公开的一方面，一种结构包括高电子迁移率晶体管，所述高电子迁移率晶体管包括：本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种结构，包括：

2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述场板是用于D模式器件的栅极结构。

3.根据权利要求1所述的结构，其中，所述场板包括位于所述凹陷内且与所述半导体衬底接触的绝缘体材料，以及位于所述绝缘体材料上方的金属层。

4.根据权利要求3所述的结构，其中，所述绝缘体材料形成位于所述场板的所述金属层的竖直部分上的侧壁。

5.根据权利要求3所述的结构，其中，所述绝缘体材料和所述至少一个绝缘体膜包括相同的材料。

6.根据权利要求5所述的结构，其中，所述绝缘体材料和所述至少一个绝缘体膜包括AlyOx。p>

7.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种结构，包括：

2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述场板是用于d模式器件的栅极结构。

3.根据权利要求1所述的结构，其中，所述场板包括位于所述凹陷内且与所述半导体衬底接触的绝缘体材料，以及位于所述绝缘体材料上方的金属层。

4.根据权利要求3所述的结构，其中，所述绝缘体材料形成位于所述场板的所述金属层的竖直部分上的侧壁。

5.根据权利要求3所述的结构，其中，所述绝缘体材料和所述至少一个绝缘体膜包括相同的材料。

6.根据权利要求5所述的结构，其中，所述绝缘体材料和所述至少一个绝缘体膜包括alyox。

7.根据权利要求1所述的结构，其中，所述场板包括位于金属层下方和上方的绝缘体膜。

8.根据权利要求1所述的结构，其中，所述至少一个绝缘体膜包括两个绝缘体膜，并且，所述凹陷延伸到所述两个绝缘体膜内以暴露所述半导体衬底。

9.根据权利要求1所述的结构，其中，所述至少一个绝缘体膜包括两个绝缘体膜，并且，所述凹陷延伸到所述两个绝缘体膜的顶部内以暴露所述两个绝缘体膜的底部。

10.根据权利要求1所述的结构，还包括用于e模式器件的位于所述半导体衬底上的栅极结构。

11.根据权利要求10所述的结构，其中，所述栅极结构包括pgan材料。

12.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·D·莱维，J·A·康塔洛夫斯基，M·J·齐拉克，S·沙马，S·J·本特利，
申请(专利权)人：格芯美国集成电路科技有限公司，
类型：发明
国别省市：