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本公开涉及半导体结构，更具体地说，涉及高电子迁移率晶体管和制造方法。该结构包括：半导体衬底；至少一个绝缘体膜，其位于半导体衬底上方，该至少一个绝缘体膜包括凹陷；以及场板，其延伸到至少一个凹陷内并且位于至少一个绝缘体膜上方。...
该专利属于格芯（美国）集成电路科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯（美国）集成电路科技有限公司授权不得商用。

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