外延生长托盘制造技术

本实用新型专利技术提供了一种外延生长托盘，涉及微电子技术领域，该外延生长托盘包括托盘本体，托盘本体的上侧表面设置有用于容置衬底的第一凹槽，托盘本体的下侧表面具有吸热区域，吸热区域与第一凹槽相对应，且至少在吸热区域设置有粗糙化结构，以使吸热区域的表面积大于第一凹槽的底壁面积。通过在托盘本体下方的吸热区域设置粗糙化结构，使得吸热区域的表面积大于对应的第一凹槽的底壁面积，从而提高了吸热面积，进而增加局部吸热量，从而缩小了衬底表面温度与托盘表面温度之间的差值。此外，在相同的加热条件下，本实用新型专利技术提供的外延生长托盘能够获得比常规托盘更高的温度，或者能够在相同温度下降低加热器功率，延长加热器寿命。命。命。

【技术实现步骤摘要】
外延生长托盘


[0001]本技术涉及微电子
，具体而言，涉及一种外延生长托盘。

技术介绍

[0002]HEMT，LED，UV，VCSEL等等在各行各业都有着广泛的应用，例如最常见的LED，在信号灯，家用照明，汽车照明等等方面应用非常广泛；再比如最近很火的快充，5G等则要用到HEMT器件。
[0003]而在这些器件制造的过程中，都必须要进行外延的生长，生长所需的衬底则需要放在特定的托盘(或者叫基座)上，托盘大致呈圆柱体，托盘表面则通常分布着多个圆形凹槽或者叫口袋，圆形凹槽有呈周向均匀分布，也有非均匀分布的，但通常最常见的为周向分布式凹槽。在生长外延时，托盘下方的加热器会对托盘进行加热，根据不同工艺要求，加热温度不同，但在整个过程中石墨托盘的表面温度始终高于衬底表面的温度，形成温差，这种温差的存在会导致生长出的产品均匀性变差，进而会使产品良率降低。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种外延生长托盘，其能够降低与衬底之间的温差，使得生长出的产品均匀性更好，进而提高了产品良率。
[0005]本技术的实施例是这样实现的：
[0006]第一方面，本技术提供一种外延生长托盘，包括托盘本体，托盘本体的上侧表面设置有用于容置衬底的第一凹槽，托盘本体的下侧表面具有吸热区域，吸热区域与第一凹槽相对应，且至少在吸热区域设置有粗糙化结构，以使吸热区域的表面积大于第一凹槽的底壁面积。
[0007]在可选的实施方式中，托盘本体的下侧表面还设置有凸台，凸台至少部分位于吸热区域，以增加至少部分吸热区域的厚度，粗糙化结构设置在凸台的下侧表面。
[0008]在可选的实施方式中，凸台的下侧表面还设置有第二凹槽，第二凹槽与第一凹槽相对设置在托盘本体的两侧，且第二凹槽在托盘本体的下侧表面上的投影落在吸热区域的中部。
[0009]在可选的实施方式中，凸台的下侧表面还设置有第二凹槽，第二凹槽与第一凹槽相对设置在托盘本体的两侧，且第二凹槽在托盘本体的下侧表面上的投影落在吸热区域的边缘。
[0010]在可选的实施方式中，粗糙化结构包括多个沟槽，每个沟槽朝着靠近第一凹槽的方向凹陷，且每相邻两个沟槽之间形成一齿状凸起。
[0011]在可选的实施方式中，每个齿状凸起的截面呈半圆形、弓形、梯形或三角形。
[0012]在可选的实施方式中，齿状凸起远离第一凹槽的端部呈尖角状，且齿状凸起远离第一凹槽的端部处的顶角小于或等于90
°
。
[0013]在可选的实施方式中，沟槽的深度h与托盘本体的厚度H满足以下关系：h＜0.5H。
[0014]在可选的实施方式中，第一凹槽在托盘本体的下侧表面的投影与吸热区域相重合，粗糙化结构设置在吸热区域的中部。
[0015]在可选的实施方式中，第一凹槽在托盘本体的下侧表面的投影与吸热区域相重合，粗糙化结构设置在吸热区域的边缘。
[0016]本技术实施例的有益效果包括：
[0017]本技术实施例提供的外延生长托盘，通过在托盘本体下方的吸热区域设置粗糙化结构，使得吸热区域的表面积大于对应的第一凹槽的底壁面积，从而提高了吸热面积，进而增加局部吸热量，从而缩小了衬底表面温度与托盘表面温度之间的差值。此外，在相同的加热条件下，本技术提供的外延生长托盘能够获得比常规托盘更高的温度，或者能够在相同温度下降低加热器功率，延长加热器寿命。相较于现有技术，本实施例提供的外延生长托盘，通过增加托盘底部吸热区域的表面积来增加对应的局部吸热量，进而实现在加热条件相同的情况下，减小温差并提升外延生长均匀性的作用。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0019]图1为本技术第一实施例提供的外延生长托盘在第一视角下的结构示意图；
[0020]图2为本技术第一实施例提供的外延生长托盘在第二视角下的结构示意图；
[0021]图3为本技术第一实施例提供的外延生长托盘在第三视角下的结构示意图；
[0022]图4为图1中Ⅳ的局部放大示意图；
[0023]图5至图7为本技术第一实施例中齿状凸起的不同分布情况示意图；
[0024]图8至图10为本技术第二实施例中齿状凸起的不同分布情况示意图；
[0025]图11为本技术第三实施例提供的外延生长托盘的结构示意图。
[0026]图标:
[0027]100
‑
外延生长托盘；110
‑
托盘本体；111
‑
吸热区域；130
‑
第一凹槽；150
‑
粗糙化结构；151
‑
齿状凸起；153
‑
凸台；155
‑
第二凹槽；200
‑
衬底。
具体实施方式
[0028]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0029]因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0030]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一
个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0031]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0032]此外，术语“水平”、“竖直”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。
[0033]在本技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种外延生长托盘，其特征在于，包括托盘本体，所述托盘本体的上侧表面设置有用于容置衬底的第一凹槽，所述托盘本体的下侧表面具有吸热区域，所述吸热区域与所述第一凹槽相对应，且所述吸热区域设置有粗糙化结构，以使所述吸热区域的表面积大于所述第一凹槽的底壁面积。2.根据权利要求1所述的外延生长托盘，其特征在于，所述粗糙化结构包括凸台，所述凸台设置在所述托盘本体的下侧表面，所述凸台至少部分位于所述吸热区域，以增加至少部分所述吸热区域的厚度。3.根据权利要求2所述的外延生长托盘，其特征在于，所述凸台的下侧表面还设置有第二凹槽，所述第二凹槽与所述第一凹槽相对设置在所述托盘本体的两侧，且所述第二凹槽在所述托盘本体的下侧表面上的投影落在所述吸热区域的中部。4.根据权利要求2所述的外延生长托盘，其特征在于，所述凸台的下侧表面还设置有第二凹槽，所述第二凹槽与所述第一凹槽相对设置在托盘本体的两侧，且所述第二凹槽在所述托盘本体的下侧表面上的投影落在所述吸热区域的边缘。5.根据权利要求1
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【专利技术属性】
技术研发人员：李仕强，张晖，
申请(专利权)人：苏州能讯高能半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：