硅片腐蚀用腐蚀花篮制造技术

本实用新型专利技术公开了一种硅片腐蚀用腐蚀花篮，包括镂空底座和手柄，所述镂空底座上以其中心点为原点径向均布有至少三组承载部，所述承载部包括至少两个承载件，所述承载件沿同一径向方向上自原点向外依次安装在所述镂空底座上，且自原点向外的方向上，所述承载件的高度依次增加；所述承载件上部外侧向上延伸出限位件，相同高度的所述承载件和所述限位件共同限定出用于容纳硅片的容纳空间；所述手柄两端安装在所述镂空底座上、且靠近所述镂空底座边缘。实用新型专利技术能够适应不同尺寸的样品、降低化学药液的使用量，以及减少样品与腐蚀花篮的接触面积，以减少对检测结果的影响。以减少对检测结果的影响。以减少对检测结果的影响。

【技术实现步骤摘要】
硅片腐蚀用腐蚀花篮


[0001]本技术涉及半导体
，尤其是涉及一种硅片腐蚀用腐蚀花篮。

技术介绍

[0002]相关技术中指出，为了适应现今社会发展对亚微米、纳米级别继承电路和元器件的要求，单晶硅材料在不断扩大直径的同时也着手提高其结构、电路等各项性能。目前制备半导体单晶硅硅片的主要方法为直拉法(Czochralski法)，在长晶过程中Voronkov提出的V/G(V是晶体生长速度，G是晶体生长界面的轴向温度梯度)理论影响晶体微缺陷的形成和长大，V/G的变动会使点缺陷不平衡而产生空位型缺陷和间隙型缺陷，这些缺陷的存在不仅会破坏栅极氧化物的完整性(GOI)，还会造成PN结漏电、电容短路或绝缘失效等问题，降低了集成电路的成品率，因此，对电路性能和器件成品率造成不利影响的晶体缺陷及其洁净度成为研究的重点。
[0003]现阶段的缺陷检测需先对硅片进行高温氧化热处理使缺陷形核长大，再将处理后的硅片放入到腐蚀花篮内，通过腐蚀花篮将硅片放入到化学药液槽内，采用化学择优腐蚀通过不同的腐蚀速率让硅片上的缺陷显现出来，含铬药液因具有良好的显影及腐蚀效果被广泛用于硅片缺陷检测中，但因工艺实验研究各种缺陷类型的硅片数量较少，若直接使用现有的腐蚀槽体和腐蚀花篮所需体积容量较大，约需要60L的化学药液方可没过硅片顶部进行化学腐蚀，并且化学药液因其挥发特性及与硅的化学反应后腐蚀速率和腐蚀效果变差，甚至无腐蚀特性，故化学药液无法多次使用，而含铬废弃物的排放会对人类和土壤等自然环境造成严重的破坏，需尽量减少对化学药液的使用及排放。若去除载具花篮可一定量的降低所需化学药液的体积，但硅片会沉入槽底并与底部接触贴合，使用工具难以将样品从腐蚀槽体中取出，同时对于缺陷观察与检测造成干扰和影响。此外，现有的腐蚀花篮均对不同的样品(硅片)尺寸设计不同的长度、宽度、高度来满足样品的放置要求，对样品的兼容性较差，并且现有的腐蚀花篮由插槽组成，其每个独立卡槽宽度约8
‑
10mm接触样品边缘，导致药液流通受阻腐蚀速率降低，出现样品边缘腐蚀不均留有花篮印、腐蚀斑等干扰，影响缺陷目检。因此，为解决上述现有腐蚀花篮存在的弊端，设计一种可以兼容样品、节省化学药液、减少样品接触面积的腐蚀花篮。

技术实现思路

[0004]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术在于提出一种硅片腐蚀用腐蚀花篮，能够适应不同尺寸的样品、降低化学药液的使用量，以及减少样品与腐蚀花篮的接触面积，以减少对检测结果的影响。
[0005]为实现上述目的，本技术提供一种硅片腐蚀用腐蚀花篮，包括镂空底座和手柄，所述镂空底座上以其中心点为原点径向均布有至少三组承载部，每组所述承载部包括至少两个承载件，所述承载件沿同一径向方向上自原点向外的方向上依次安装在所述镂空底座上，且自原点向外的方向上，所述承载件的高度依次增加；所述承载件上部外侧向上延
伸出限位件，相同高度的所述承载件和所述限位件共同限定出用于容纳硅片的容纳空间；所述手柄两端安装在所述镂空底座上、且靠近所述镂空底座边缘。本实施例中，硅片可平放在承载件上，且限位件会对硅片进行限位，保证硅片在化学药液中浸泡时，始终处于容纳空间内，而不会因为水的流动漂移到其他位置，以使化学药液对硅片整体均匀腐蚀。硅片平放在腐蚀花篮中，大大地节省了化学药液的使用量，一方面降低了生产成本，另一方面排放量少了，降低了对环境的污染。
[0006]在一些实施例中，为了防止硅片掉落，本技术所述容纳空间内靠近其边缘处周向均布有多个支撑件，所述支撑件高度与限定出该容纳空间的所述承载件高度相同，所述支撑件与限定出该容纳空间的所述承载件径向错位安装在所述镂空底座上。支撑件用于辅助承载件支撑硅片，有效地防止了硅片从容纳空间内脱离，掉落到化学药液中。
[0007]在一些实施例中，本技术承载件上表面为外侧高、内侧低的倾斜面，所述倾斜面的倾斜角度为10
°‑
15
°
，所述承载件上表面宽度为2mm
‑
3mm，所述支撑件为圆锥形柱体，其上表面直径为1mm
‑
2mm。本实施例倾斜面可以使硅片与承载件上表面呈线接触，减少硅片表面与物体的接触，以便化学药液能够腐蚀整个硅片表面，避免对硅片缺陷观察与检测造成干扰和影响。
[0008]在一些实施例中，本技术所述镂空底座由N层环形部件和连接支架组成，N层所述环形部件同轴设置，N＞2(N为正整数)，且自原点向外所述环形部件的直径依次增大，相邻两个所述环形部件具有一定间距；所述连接支架设有多个，径向均布在所述环形部件上，所述连接支架一端固定在最内层的所述环形部件外侧壁，另一端沿径向方向向外穿过中间层的所述环形部件固定在最外层的所述环形部件的内侧壁；环形部件的数量和直径可根据实际需要进行选择。
[0009]在一些实施例中，本技术还包括用于将硅片固定在所述承载件上的下压伸缩件，所述下压伸缩件一端固定在所述手柄上，另一端为自由端，所述自由端为圆锥体状。当硅片放置在承载件上以后，工作人员向下拉伸伸缩下压件，使其自由端向下移动，并与硅片上表面接触，确保了硅片在整个浸泡过程中均处于容纳空间内。
[0010]一种硅片腐蚀用腐蚀花篮，包括镂空底座和手柄，所述镂空底座上以其中心点为原点径向均布有至少三组承载部，所述承载部包括第一滑动部件、第一滑块和第一承载件，所述第一滑动部件径向安装在所述镂空底座上，所述第一滑块安装在所述第一滑动部件上，且能够在所述第一滑动部件上滑动，所述第一滑块侧壁开设有定位孔，所述承载件安装在所述第一滑块上，所述承载件上部外侧向上延伸出限位件，多组所述承载部中的所述承载件和所述限位件共同限定出用于容纳硅片的容纳空间，所述手柄安装在所述镂空底座上、且靠近所述镂空底座的边缘。本实施例中第一滑块带动承载件在第一滑动部件上的滑动，从而扩大或缩小容纳空间的直径，以适应不同尺寸的硅片，适应范围更加广泛。
[0011]在一些实施例中，本技术还包括多个支撑部，所述支撑部径向安装在所述镂空底座上，且与所述承载部间隔设置，所述支撑部包括第二滑动部件、第二滑块和第二支撑件，所述第二滑块安装在所述第二滑动部件上，所述支撑件安装在所述第二滑块上，所述第二滑块侧壁开设有定位孔，所述支撑件上表面与所述承载件上表面在同一水平面上。滑块带动支撑件在滑动部件上滑动，以对不同尺寸的硅片进行支撑。
[0012]在一些实施例中，本技术所述第一滑动部件和第二滑动部件为安装在连接支
架上的滑轨，所述滑轨上表面刻有刻度，所述滑块安装在所述滑轨上；或者所述第一滑动部件和第二滑动部件为开设在所述连接支架上的滑槽，所述连接支架上对应滑槽的位置刻有刻度，所述滑块安装在所述滑槽内。滑轨或滑槽上的刻度便于根据硅片的直径调整容纳空间的直径。
[0013]与现有技术相比，本技术具有以下优点:
[0014]1)本技术打破了现有花篮竖直承载硅片腐蚀的方式，采用横向放置硅片，采用少量的化学药液即可没本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片腐蚀用腐蚀花篮，其特征在于，包括镂空底座和手柄，所述镂空底座上以其中心点为原点径向均布有至少三组承载部，所述承载部包括至少两个承载件，所述承载件沿同一径向方向上自原点向外的方向上依次安装在所述镂空底座上，且自原点向外的方向上，所述承载件的高度依次增加；所述承载件上部外侧向上延伸出限位件，相同高度的所述承载件和所述限位件共同限定出用于容纳硅片的容纳空间；所述手柄两端安装在所述镂空底座上、且靠近所述镂空底座边缘。2.根据权利要求1所述的一种硅片腐蚀用腐蚀花篮，其特征在于，所述容纳空间内靠近其边缘处周向均布有多个支撑件，所述支撑件高度与限定出该容纳空间的所述承载件高度相同，所述支撑件与限定出该容纳空间的所述承载件径向错位安装在所述镂空底座上。3.根据权利要求2所述的一种硅片腐蚀用腐蚀花篮，其特征在于，所述承载件上表面为外侧高、内侧低的倾斜面，所述倾斜面的倾斜角度为10
°‑
15
°
，所述承载件上表面宽度为2mm
‑
3mm，所述支撑件为圆锥形柱体，其上表面直径为1mm
‑
2mm。4.根据权利要求3所述的一种硅片腐蚀用腐蚀花篮，其特征在于，还包括用于将硅片固定在所述承载件上的下压伸缩件，所述下压伸缩件一端固定在所述手柄上，另一端为自由端，所述自由端为圆锥体状，所述圆锥体状竖截面自上至下逐渐减小。5.根据权利要求4所述的一种硅片腐蚀用腐蚀花篮，其特征在于，所述镂空底座由N层环形部件和连接支架组成，N层所述环形部件同轴设置，N＞2，且自原点向外所述环形部件的直径依次增大；所述连接支架设有多个，径向均布在所述环形部件上，所述连接支架一端固定在最内层的所述环形部件外侧壁，另一端沿径向方向向外穿过中间层的所述环形部件固定在最外层的所述环形部件的内侧壁。6.一种硅片腐蚀用腐蚀花篮，其特征在于，包括镂空底座和手柄，所述镂空底座上以其中心点为原点径向均布有至...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈凤林，朱志高，
申请(专利权)人：徐州鑫晶半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：