晶圆清洗花篮、酸洗工艺及晶圆背面工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种晶圆清洗花篮、酸洗工艺及晶圆背面工艺。其中的晶圆清洗花篮相向的两块载板上设置有彼此对称的装载区域，装载区域包括至少两个垂直于固定板的卡条，卡条之间设置有若干个供酸洗液通过的矩形孔，卡条的内壁设置有用于放置晶圆的卡槽，当晶圆清洗花篮的开口竖直向上放置时，靠近装载区域的水平中心线的卡槽深度小于远离水平中心线的卡槽深度，下方的矩形孔尺寸不小于上方的矩形孔尺寸，且矩形孔的上下边缘由卡槽边缘构成。通过对晶圆清洗花篮的形貌改进，能够减少晶圆边缘与卡槽的接触面积，保证晶圆背面各处的酸液流动速度相同，进而保证各处的蚀刻速度相同，避免边缘发黑，提升晶圆的美观程度，保证产品质量。保证产品质量。保证产品质量。

【技术实现步骤摘要】
晶圆清洗花篮、酸洗工艺及晶圆背面工艺


[0001]本说明书涉及半导体
，具体涉及一种晶圆清洗花篮、酸洗工艺及晶圆背面工艺。

技术介绍

[0002]当晶圆完成正面器件制作后，通过背面工艺对晶圆进行减薄作业，例如将晶圆厚度从750um减薄到200um左右，减薄后的晶圆经过背面湿法化学处理，然后在背面沉积Ti、Ni、Ag等金属，从而能够有效降低所制成芯片的导通电阻与热效应，减少能源的损耗并保证芯片的可靠性。减薄作业通常采用机械研磨的方式，研磨时会在晶圆的背面形成损伤层，此时可以将多片待处理的晶圆放置于清洗花篮中，再将清洗花篮浸没与酸槽中进行蚀刻，将晶圆背面去除一定厚度，从而达到去除损伤层的目的。但是，由于蚀刻酸液的黏度大，晶圆背面与清洗花篮的接处位置容易形成发黑的条状图案，影响晶片产品的外观，严重时会影响后续金属沉积作业，降低产品质量。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本说明书实施例提供一种晶圆清洗花篮、酸洗工艺及晶圆背面工艺，其中的晶圆清洗花篮能够避免晶圆背面在酸洗工艺中产生发黑的现象，提升产品的美观程度，保证晶圆产品质量。
[0004]本说明书实施例提供以下技术方案：
[0005]一种晶圆清洗花篮，适用于晶圆背面研磨损伤层的酸洗工艺，所述晶圆清洗花篮包括两块相向设置的载板、两块相向设置的固定板，所述载板和所述固定板在所述晶圆清洗花篮的开口位置依次垂直连接形成框架结构；
[0006]两块所述载板设置有彼此对称的装载区域，所述装载区域包括至少两个垂直于所述固定板的卡条，所述卡条之间设置有若干个供酸洗液通过的矩形孔，所述卡条的内壁设置有卡槽以放置晶圆，所述卡槽和所述矩形孔被配置成：
[0007]所述晶圆清洗花篮的开口竖直向上放置时，靠近所述装载区域的水平中心线的卡槽深度小于远离所述水平中心线的卡槽深度，下方的矩形孔尺寸不小于上方的矩形孔尺寸，且所述矩形孔的上下边缘由卡条边缘构成。
[0008]在上述方案中，通过改变晶圆清洗花篮的形状和结构，不再采用深度相同的卡槽结构，而是将靠近清洗花篮中心和底部的卡槽深度减小，且靠近清洗花篮中心位置的卡槽深度比底部的卡槽深度更小，当清洗花篮以开口竖直向上的方式放置在酸洗槽中时，晶圆水平中心线附近的边缘与卡槽接触面积变小，同时配合以在清洗花篮侧壁底部开设较之顶部区域更大的矩形孔，使得晶圆边缘位置的酸液流速尽量与晶圆其他区域的流速相同，避免在晶圆边缘因刻蚀速度不同而造成表面发黑的现象，使得晶圆更加美观，减小对后续金属沉积作业的影响，保证晶圆产品质量。
[0009]本说明书实施例还提供一种方案，所述卡槽的数量为2N+1个，当进行所述酸洗工
艺时，晶圆被放置于序号为2N的卡槽中，其中N为自然数。
[0010]本说明书实施例还提供一种方案，所述卡条自上而下包括第一卡条、第二卡条和第三卡条，其中，所述第二卡条靠近所述水平中心线；
[0011]所述第二卡条的内壁的卡槽深度为0.4～1cm；
[0012]所述第三卡条的内壁的卡槽深度为0.5～1.2cm。
[0013]本说明书实施例还提供一种方案，所述第二卡条的内壁的卡槽深度为0.4～0.5cm；
[0014]所述第三卡条的内壁的卡槽深度为0.5～0.8cm。
[0015]本说明书实施例还提供一种方案，所述卡槽的槽壁沿平行于所述固定板的方向延伸至相邻的卡条以形成加强条，所加强条构成所述矩形孔的左右边缘并被配置成：
[0016]远离所述开口的加强条数量不大于靠近所述开口的加强条数量。
[0017]本说明书实施例还提供一种方案，距离所述开口最远的两个卡条之间不设置所述加强条。
[0018]本说明书实施例还提供一种方案，所述加强条沿平行于固定板方向的高度与相邻任意一侧的卡槽深度相同。
[0019]本说明书实施例还提供一种方案，所述晶圆清洗花篮还包括活动连接所述固定板的活动把手。
[0020]本说明书实施例还提供一种去除晶圆背面研磨损伤层的酸洗工艺，使用如上述任意一项所述的晶圆清洗花篮，将放置有多片晶圆的所述晶圆清洗花篮放入酸槽机台中进行刻蚀，实现去除机械研磨的损伤层
[0021]本说明书实施例还提供一种晶圆背面工艺，包括如下步骤：
[0022]选择防酸且不易残留的保护膜；
[0023]将保护膜贴于晶圆正面；
[0024]机械研磨晶圆背面至预设厚度；
[0025]采用如上述任意一项所述的酸洗工艺，去除晶圆背面由机械研磨形成的损伤层；
[0026]揭除晶圆正面的保护膜；
[0027]在晶圆背面沉积Ti、Ni或Ag金属，形成欧姆接触，作为芯片封装时的引出线。
[0028]与现有技术相比，本说明书实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到的有益效果至少包括：本专利技术提供的晶圆清洗花篮，在进行酸洗工艺时，该经过结构改进的晶圆清洗花篮，能够有效减少晶圆在垂直放置时其中部和底部边缘与晶圆清洗花篮的接触面积，保证晶圆背面各处的酸液流动速度相同，进而保证晶圆边缘各处的蚀刻速度相同，避免边缘发生表面发黑的现象，提升晶圆的美观程度，保证晶圆产品质量。
附图说明
[0029]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0030]图1是一种现有的晶圆清洗花篮的立体示意图；
[0031]图2是一种现有的晶圆清洗花篮的装载区域的正视示意图；
[0032]图3是一种使用现有的晶圆清洗花篮酸洗完成后的晶圆表面色差示意图；
[0033]图4是第一种实施方式的晶圆清洗花篮的装载区域的正视示意图；
[0034]图5是第二种实施方式的晶圆清洗花篮的装载区域的正视示意图；
[0035]图6是第三种实施方式的晶圆清洗花篮的装载区域的正视示意图；
[0036]图7是图4中A
‑
A
’
处的剖视示意图；
[0037]图8是图4中B
‑
B
’
处的剖视示意图；
[0038]图9是图4中C
‑
C
’
处的剖视示意图；
[0039]图10是使用本专利技术提供的一种晶圆清洗花篮酸洗完成后的晶圆表面无色差的示意图；
[0040]图11是一种晶圆背面工艺的流程图；
[0041]其中，10、载板，11、装载区域，13、卡槽，14、矩形孔，15、卡条，16、第一卡条，17、第二卡条，18、第三卡条，19、加强条，20、固定板，50、活动把手，60、支脚，100、晶圆。
具体实施方式
[0042]下面结合附图对本申请实施例进行详细描述。
[0043]以下通过特定的具体实例说明本申请的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗花篮，适用于晶圆背面研磨损伤层的酸洗工艺，其特征在于，所述晶圆清洗花篮包括两块相向设置的载板、两块相向设置的固定板，所述载板和所述固定板在所述晶圆清洗花篮的开口位置依次垂直连接形成框架结构；两块所述载板设置有彼此对称的装载区域，所述装载区域包括至少两个垂直于所述固定板的卡条，所述卡条之间设置有若干个供酸洗液通过的矩形孔，所述卡条的内壁设置有卡槽以放置晶圆，所述卡槽和所述矩形孔被配置成：所述晶圆清洗花篮的开口竖直向上放置时，靠近所述装载区域的水平中心线的卡槽深度小于远离所述水平中心线的卡槽深度，下方的矩形孔尺寸不小于上方的矩形孔尺寸，且所述矩形孔的上下边缘由卡条边缘构成。2.根据权利要求1所述的晶圆清洗花篮，其特征在于，所述卡槽的数量为2N+1个，当进行所述酸洗工艺时，晶圆被放置于序号为2N的卡槽中，其中N为自然数。3.根据权利要求2所述的晶圆清洗花篮，其特征在于，所述卡条自上而下包括第一卡条、第二卡条和第三卡条，其中，所述第二卡条靠近所述水平中心线；所述第二卡条的内壁的卡槽深度为0.4～1cm；所述第三卡条的内壁的卡槽深度为0.5～1.2cm。4.根据权利要求3所述的晶圆清洗花篮，其特征在于，所述第二卡条的内壁的卡槽深度为0.4～0.5cm；...

【专利技术属性】
技术研发人员：许捷，祁玉发，时家淳，段亦锋，徐飞，高鹏程，刘峰松，吴贤勇，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：