【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电阻测试,具体涉及一种测试电阻的结构及方法、wat测试装置。
技术介绍
1、wat(wafer acceptance test,晶圆接受测试)是在晶圆产品流片结束之后和品质检验之前,测量特定测试结构的电性参数。wat的目的是通过测试晶圆上特定测试结构的电性参数,检测每片晶圆产品的工艺情况,评估半导体制造过程的质量和稳定性,判断晶圆产品是否符合该工艺技术平台的电性规格要求。wat数据可以作为晶圆产品交货的质量凭证,另外wat数据还可以反映生产线的实际生产情况,通过收集和分析wat数据可以监测生产线的情况,也可以判断生产线变化的趋势,对可能发生的情况进行预警。
2、在wat测试中,由于量测机台精度限制,对于一些较小的电阻结构,例如毫欧级别的电阻,通常无法精确量测。
3、基于此,需要一种新技术方案。
技术实现思路
1、有鉴于此,本说明书实施例提供一种测试电阻的结构及方法。
2、本说明书实施例提供以下技术方案:
3、本说明书实施例提供一种测
...【技术保护点】
1.一种测试电阻的结构,其特征在于,包括第一衬垫、第二衬垫、第三衬垫、第四衬垫、第五衬垫、第六衬垫、待测电阻Ra、二极管Rb以及处理模块;
2.根据权利要求1所述的测试电阻的结构,其特征在于,所述处理模块通过第三衬垫加正电流,通过第四衬垫和第五衬垫量测电压,通过第六衬垫接地,量测得到二极管Rb的阻值;
3.根据权利要求2所述的测试电阻的结构,其特征在于,所述处理模块量测得到二极管Rb的阻值的计算公式为:
4.根据权利要求2所述的测试电阻的结构,其特征在于,所述处理模块量测得到待测电阻Ra和二极管Rb的总阻值的计算公式为:
【技术特征摘要】
1.一种测试电阻的结构,其特征在于,包括第一衬垫、第二衬垫、第三衬垫、第四衬垫、第五衬垫、第六衬垫、待测电阻ra、二极管rb以及处理模块;
2.根据权利要求1所述的测试电阻的结构,其特征在于,所述处理模块通过第三衬垫加正电流,通过第四衬垫和第五衬垫量测电压,通过第六衬垫接地,量测得到二极管rb的阻值;
3.根据权利要求2所述的测试电阻的结构,其特征在于,所述处理模块量测得到二极管rb的阻值的计算公式为:
4.根据权利要求2所述的测试电阻的结构,其特征在于,所述处理模块量测得到待测电阻ra和二极管rb的总阻值的计算公式为:
5.一种wat测试装置,其特征在于,包括权利要求1-4任一所述的测试电阻的结构。
6.一种测试电阻的方法,其...
【专利技术属性】
技术研发人员:季鸣,
申请(专利权)人:上海积塔半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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