【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有内置同轴照射的光刻预对准成像传感器
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年6月9日递交的美国临时专利申请号63/036,645的优先权,所述美国临时专利申请的全部内容通过引用而被合并入本文中
[0003]本专利技术涉及具有内置同轴照射的预对准成像传感器,所述预对准成像传感器可以用于例如光刻设备中。
技术介绍
[0004]光刻设备是一种将期望的图案施加至衬底(通常是在衬底的目标部分上)上的机器。光刻设备可以被用于例如集成电路(IC)或设计成具有功能的其它器件的制造中。在这种情况下,图案形成装置(可替代地被称为掩模或掩模版)可以被用于产生待形成在设计成具有功能的器件的单层上的电路图案。可以将所述图案转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如,包括一部分管芯、一个或若干个管芯)上。典型地,通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行图案的转印。通常,单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网格。已知的光刻设备包括所谓的步进器和所谓的扫描器,在步进器中,通过将整个图案一次曝光到目标部分上来辐照每个目标部分,在扫描器中,通过在辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描图案的同时平行或反向平行于该方向同步地扫描衬底来辐照每个目标部分。还可以通过将图案压印到衬底上而将图案从图案形成装置转印到衬底上。
[0005]制造器件(诸如半导体器件)典型地涉及使用多个制备过程处理衬底(例如,半导体晶片),以形成所述器件的各个特征和通常多个层。这些层和/特征典型地使用例如沉积、 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种图案形成装置预对准传感器系统,包括:至少一个照射源,所述至少一个照射源被配置成提供沿法线方向朝向图案形成装置的入射束;沿所述法线方向的物镜组通路,所述物镜组通路被配置成从所述图案形成装置接收0阶折射束;第一光反射器,所述第一光反射器被配置成对0阶折射束进行重定向以形成第一回射束;以及第一图像透镜组通路,所述第一图像透镜组通路被配置成将所述第一回射束传输到第一光传感器;其中所述第一光传感器被配置成检测所述第一回射束以确定所述图案形成装置的部位特征。2.根据权利要求1所述的系统,其中,所述至少一个照射源包括第一照射源,所述第一照射源被布置成靠近于所述第一光反射器,并且被配置成沿所述物镜组通路发射所述入射束。3.根据权利要求1所述的系统,其中:所述至少一个照射源包括靠近于所述第一图像透镜组通路布置的第一照射源;以及所述第一图像透镜组通路包括第一源反射器,所述第一源反射器被配置成将从所述第一照射源发射的入射光重定向到沿第一图像透镜组通路的方向。4.根据权利要求1所述的系统,其中:所述第一光反射器包括第一分束器;以及所述系统还包括:下物镜组通路,所述下物镜组通路被配置成接收来自所述第一分束器的所述0阶折射束;第二光反射器,所述第二光反射器被配置成对所述0阶折射束进行重定向以形成第二回射束;以及第二图像透镜组通路,所述第二图像透镜组通路被配置成将所述第二回射束传输到第二光传感器;其中所述第二光传感器被配置成检测所述第二回射束以确定所述图案形成装置的另外的部位特征。5.根据权利要求4所述的系统,其中:所述第一光传感器和所述第二光传感器被配置成检测所述第一回射束和所述第二回射束以确定所述图案形成装置的X
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Y平面部位特征和旋转特征。6.根据权利要求4所述的系统,其中:所述至少一个照射源包括第一照射源,所述第一照射源被布置成靠近于所述第二光反射器,并且被配置成沿所述下物镜组通路发射所述入射束。7.根据权利要求6所述的系统,其中,所述第一照射源同时地照射所述第一透镜组通路和第二图像透镜组通路。8.根据权利要求6所述的系统,其中:所述至少一个照射源还包括第二照射源,所述第二照射源被布置成靠近于所述第二光
反射器,并且被配置成沿所述下物镜组通路发射所述入射束;以及所述第一照射源和所述第二照射源产生不同的波长。9.根据权利要求4所述的系统,其中,所述至少一个照射源包括:第一照射源,被布置成靠近于所述第一图像透镜组通路;和第二照射源,被布置成靠近于所述第二图像透镜组通路;其中:所述第一图像透镜组通路包括第一源反射器,所述第一源反射器被配置成将从所述第一照射源发射的入射光重定向到沿所述第一图像透镜组通路的第一方向;以及所述第二图像透镜组通路包括第二源反射器,所述第二源反射器被配置成将从所述第二照射源发射的入射光重定向到沿所述第二图像透镜组通路的第二方向。10.根据权利要求9所述的系统,其中:所述第一照射源和所述第二照射源产生不同的波长。11.根据权利要求4所述的系统,还包括:第三光反射器,所述第三光反射器被配置成对所述0阶折射束进行重定向以形成第三回射束;和第三图像透镜组通路,所述第三图像透镜组通路包括被配置成将所述第三回射束聚焦到第三光传感器的准直器;其中,所述第三光传感器被配置成检测被聚焦的第三回射...
【专利技术属性】
技术研发人员:Y,
申请(专利权)人:ASML控股股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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