一种半导体设备腔体盖板自对中装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体制造设备技术领域，更具体的说，涉及一种半导体设备腔体盖板自对中装置。本发明专利技术提供的半导体设备腔体盖板自对中装置，包括公头部件和母头部件：所述公头部件，固定在盖板上；所述母头部件，固定在腔体上，安装位置与公头部件相对应；盖板关闭过程中，公头部件对准母头部件，盖板在公头部件、母头部件的导向限制作用下与腔体对中扣合。本发明专利技术提供的半导体设备腔体盖板自对中装置，通过在盖板和腔体增加自对中的公头部件和母头部件，限制了腔体和盖板之间的对中偏差，完成盖板与腔体之间的盖合，实现盖板和腔体之间长期稳定的对中效果。中效果。中效果。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体设备腔体盖板自对中装置


[0001]本专利技术涉及半导体制造设备
，更具体的说，涉及一种半导体设备腔体盖板自对中装置。

技术介绍

[0002]薄膜沉积技术用于制造微电子器件的薄膜，在基板衬底上形成沉积物，常见的薄膜沉积技术包括物理气相沉积、化学气相沉积等技术。
[0003]真空环境是半导体薄膜沉积的必要条件，现有技术采用腔体、盖板和密封胶圈来实现真空环境。
[0004]图1揭示了现有技术的半导体薄膜沉积设备的侧视图，如图1所示，现有设备的盖板110与腔体120采用铰链连接，盖板110通过铰链130围绕铰链130转动，实现盖板110与腔体120的扣合。
[0005]盖板110与腔体120采用人工安装，由于安装过程中的装配误差和密封胶圈的变形，导致盖板110与腔体120之间会出线偏差，安装完后盖板110与腔体120的对中效果变差，使腔体120和盖板110之间真空度无法满足要求，沉积的膜层也受到影响。
[0006]图2a揭示了现有技术的半导体薄膜沉积设备的俯视图，图2b揭示了图2a虚线框之内的局部放大图，如图2a和图2b所示，腔体120和盖板110之间偏差可能大于2mm。
[0007]随着半导体线宽的减小，对腔体的空间及精度、真空度要求更高。因为在盖板110用于固定喷淋板而腔体120用于固定加热盘，腔体120与盖板110之间的偏差会直接影响到加热盘和喷淋板的位置偏差。
[0008]因此，随着半导体制造工艺要求的提高，腔体120与盖板110之间的间隙要求控制在1mm以内甚至更高，这就要求盖板110与腔体120之间的对中准确无误。

技术实现思路

[0009]本专利技术的目的是提供一种半导体设备腔体盖板自对中装置，解决现有技术中盖板与腔体之间的对中效果差的问题。
[0010]为了实现上述目的，本专利技术提供了一种半导体设备腔体盖板自对中装置，包括公头部件和母头部件：
[0011]所述公头部件，固定在盖板上；
[0012]所述母头部件，固定在腔体上，安装位置与公头部件相对应；
[0013]盖板关闭过程中，公头部件对准母头部件，盖板在公头部件、母头部件的导向限制作用下与腔体对中扣合。
[0014]在一实施例中，所述公头部件为球头结构；
[0015]所述母头部件为凹面结构，凹面与公头部件的球头形状相匹配。
[0016]在一实施例中，所述公头部件及母头部件的分布方式包括同侧分布、对角分布和四角分布。
[0017]在一实施例中，所述公头部件至少为2个，所述母头部件的数量与公头部件一致。
[0018]在一实施例中，所述公头部件为柱状结构；
[0019]所述母头部件为楔形结构，楔形与公头部件的柱状形状相匹配。
[0020]在一实施例中，所述公头部件的柱状结构包括球体结构和导向销结构。
[0021]在一实施例中，所述公头部件和母头部件的数量均为2个：
[0022]所述公头部件，在盖板的对角分布；
[0023]所述母头部件，在对应位置的腔体对角分布。
[0024]在一实施例中，所述公头部件和母头部件的数量均为4个：
[0025]所述公头部件，在盖板的四角分布；
[0026]所述母头部件，在腔体的四角分布。
[0027]本专利技术提供的半导体设备腔体盖板自对中装置，具体具有以下有益效果：
[0028]1)通过在盖板和腔体增加自对中的公头部件和母头部件，完成盖板与腔体之间的盖合，限制了腔体和盖板之间的对中偏差；
[0029]2)针对密封圈产生的偏差，自对中装置随着盖板和腔体之间的间隙减小而更加准确，对中效果更好；
[0030]3)减少日常维护过程中铰链磨损和密封胶圈收缩带来的偏移，实现盖板和腔体之间长期稳定的对中效果，进而保证喷淋板和加热盘的对中效果和稳定性，有利于工艺的重复性；
[0031]4)实现更精确的盖板和腔体的对中效果，创造更有利的沉积环境。
附图说明
[0032]本专利技术上述的以及其他的特征、性质和优势将通过下面结合附图和实施例的描述而变的更加明显，在附图中相同的附图标记始终表示相同的特征，其中：
[0033]图1揭示了现有技术的半导体薄膜沉积设备的侧视图；
[0034]图2a揭示了现有技术的半导体薄膜沉积设备的俯视图；
[0035]图2b揭示了现有技术的半导体薄膜沉积设备的局部放大俯视图；
[0036]图3a揭示了根据本专利技术的实施例1的半导体薄膜沉积设备的侧视图；
[0037]图3b揭示了根据本专利技术的实施例1的半导体薄膜沉积设备的局部放大侧视图；
[0038]图4a揭示了根据本专利技术的实施例1的半导体薄膜沉积设备的俯视图；
[0039]图4b揭示了根据本专利技术的实施例1的半导体薄膜沉积设备的局部放大俯视图；
[0040]图5a揭示了根据本专利技术的实施例2的半导体薄膜沉积设备的俯视图；
[0041]图5b揭示了根据本专利技术的实施例2的半导体薄膜沉积设备的局部放大侧视图；
[0042]图6a揭示了根据本专利技术的实施例2的公头母头的第一形状示意图；
[0043]图6b揭示了根据本专利技术的实施例2的公头母头的第二形状示意图。
[0044]图中各附图标记的含义如下：
[0045]110盖板；
[0046]120腔体
[0047]130铰链；
[0048]210盖板；
[0049]211公头部件；
[0050]220腔体；
[0051]221母头部件；
[0052]310盖板；
[0053]311公头部件；
[0054]320腔体；
[0055]321母头部件。
具体实施方式
[0056]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释专利技术，并不用于限定专利技术。
[0057]需要说明的是，下述实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，虽图示中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。
[0058]实施例1
[0059]图3a揭示了根据本专利技术的实施例1的半导体薄膜沉积设备的侧视图，图3b揭示了图3a虚线框之内的局部放大图，如图3a和图3b所示，本专利技术提出的一种半导体设备腔体盖板自对中装置，包括公头部件211和母头部件221：
[0060]所述公头部件211，固定在盖板210上；
[0061]所述母头部件221，固定在腔体220上，安装位置与公头部件211相对应。
[0062]在本实施例中，所述公头部件211为球头结构；
[0063]所述母头部件221为凹面结构，凹面与公头部件2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备腔体盖板自对中装置，其特征在于，包括公头部件和母头部件：所述公头部件，固定在盖板上；所述母头部件，固定在腔体上，安装位置与公头部件相对应；盖板关闭过程中，公头部件对准母头部件，盖板在公头部件、母头部件的导向限制作用下与腔体对中扣合。2.根据权利要求1所述的半导体设备腔体盖板自对中装置，其特征在于，所述公头部件为球头结构；所述母头部件为凹面结构，凹面与公头部件的球头形状相匹配。3.根据权利要求2所述的半导体设备腔体盖板自对中装置，其特征在于，所述公头部件及母头部件的分布方式包括同侧分布、对角分布和四角分布。4.根据权利要求1所述的半导体设备腔体盖板自对中装置，其特征在于，所述公头部件至少为2个，所述母头部件的数...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵坤，吴凤丽，杨华龙，高鹏飞，张启辉，朱晓亮，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：