本发明专利技术实施例公开了一种显示面板及其制作方法、显示装置；该显示面板包括衬底、有源层、源漏极层、第一绝缘层、公共电极层、第二绝缘层、像素电极层，第一绝缘层包括第一过孔，第一过孔与源漏极层对应，第二绝缘层包括第二过孔，第一绝缘层的材料类型与第二绝缘层的材料类型相同，第一过孔与第二过孔对应贯通设置，像素电极层通过第一过孔与第二过孔与源漏极层连接；本发明专利技术通过将源漏极层直接设置于有源层的表面上，将源漏极层与有源层对应的第一绝缘层的打孔制程与像素电极层与源漏极层之间的第二绝缘层的打孔制程合并为一道制程，利用一道掩模版形成贯通的第一过孔和第二过孔，从而减少掩模版的数量，降低了成本，简化了工艺制程。制程。制程。
【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制作方法、显示装置
[0001]本专利技术涉及显示领域，具体涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
[0002]近些年，显示面板的成本管控程度越来越严格，常规的显示面板制作过程中，需要栅极层图案化、有源层图案化、源漏极层图案化、源漏极层与有源层之间的绝缘层打孔、公共电极层图案化、像素电极层图案化、像素电极层与源漏极层之间的绝缘层打孔对应的掩模版，掩模版的数量较多，成本居高不下，工艺制程复杂。
[0003]因此，亟需一种显示面板及其制作方法、显示装置以解决上述技术问题。
技术实现思路
[0004]本专利技术提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，可以缓解目前制作显示面板掩模版数量较多的技术问题。
[0005]本专利技术提供一种显示面板，包括：
[0006]衬底；
[0007]有源层，位于所述衬底的一侧；
[0008]源漏极层，位于所述有源层远离所述衬底一侧的表面上；
[0009]第一绝缘层，位于所述源漏极层和所述有源层远离所述衬底一侧的表面上；
[0010]公共电极层，位于所述第一绝缘层远离所述衬底一侧；
[0011]第二绝缘层，位于所述公共电极层及所述第一绝缘层远离所述衬底一侧；
[0012]像素电极层，位于所述第二绝缘层远离所述衬底一侧的表面上；
[0013]其中，所述第一绝缘层的材料类型与所述第二绝缘层的材料类型相同，所述第一绝缘层包括第一过孔，所述第二绝缘层包括第二过孔，所述第一过孔与所述第二过孔对应贯通设置，所述像素电极层通过所述第一过孔与所述第二过孔与所述源漏极层连接。
[0014]优选的，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层均为无机材料。
[0015]优选的，所述显示面板还包括位于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间的平坦层，所述平坦层包括多个第三过孔，所述第三过孔与所述第一过孔和所述第二过孔对应贯通设置。
[0016]优选的，所述第三过孔的内径大于对应所述第一过孔的内径，所述第三过孔的内径大于对应所述第二过孔的内径。
[0017]优选的，所述显示面板还包括位于所述有源层与所述衬底之间的栅极层；其中，所述栅极层包括栅极金属生长层和位于所述栅极金属生长层靠近所述有源层一侧的表面上的栅极金属主体层，所述栅极金属生长层的材料与所述栅极金属主体层的材料不同，所述栅极金属生长层的材料的晶格常数与所述栅极金属主体层的材料的晶格常数相同。
[0018]优选的，所述有源层包括与所述栅极金属主体层对应的沟道部及与所述源漏极层对应的导体部，所述源漏极层贴合于所述导体部远离所述衬底一侧的表面上。
[0019]优选的，所述栅极金属主体层在所述衬底上的正投影位于所述栅极金属生长层在所述衬底上的正投影之内，所述栅极金属主体层在所述衬底上的正投影的面积小于所述栅极金属生长层在所述衬底上的正投影的面积。
[0020]本专利技术还提供了一种显示面板的制作方法，包括：
[0021]提供一衬底；
[0022]在所述衬底一侧形成有源层；
[0023]在所述有源层远离所述衬底一侧的表面上形成源漏极层；
[0024]在所述源漏极层及所述有源层所述衬底一侧的表面上形成第一绝缘材料层；
[0025]在所述第一绝缘材料层远离所述衬底一侧形成公共电极层；
[0026]在所述公共电极层远离所述衬底一侧形成第二绝缘材料层，所述第一绝缘材料层的材料类型与所述第二绝缘材料层的材料类型相同；
[0027]利用一道掩模版，对所述第一绝缘材料层和所述第二绝缘材料层进行图案化，使所述第一绝缘材料层形成多个第一过孔及使所述第二绝缘材料层形成多个第二过孔，所述第一过孔使所述源漏极层裸露，一个所述第一过孔与一个所述第二过孔对应贯通设置，以形成第一绝缘层及第二绝缘层；
[0028]在所述第二绝缘层远离所述衬底一侧的表面上形成像素电极层，所述像素电极层设置于所述第一过孔与所述第二过孔内，与所述源漏极层连接。
[0029]优选的，所述在所述第一绝缘材料层远离所述衬底一侧形成公共电极层的步骤包括：在所述第一绝缘材料层远离所述衬底一侧的表面上形成平坦材料层；对所述平坦材料层进行图案化，使所述平坦材料层形成多个第三过孔，所述第三过孔使所述第一绝缘材料层裸露，所述第三过孔与所述源漏极层对应，以形成平坦层；在所述平坦层远离所述衬底一侧的表面上形成公共电极层；其中，所述第三过孔的内径大于对应所述第一过孔的内径，所述第三过孔的内径大于对应所述第二过孔的内径。
[0030]本专利技术还提供了一种显示装置，包括任一上述的显示面板。
[0031]本专利技术有益效果：本专利技术通过将源漏极层直接设置于有源层的表面上，将源漏极层与有源层对应的第一绝缘层的打孔制程与像素电极层与源漏极层之间的第二绝缘层的打孔制程合并为一道制程，利用一道掩模版形成贯通的第一过孔和第二过孔，从而减少掩模版的数量，降低了成本，简化了工艺制程。
附图说明
[0032]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0033]图1是本专利技术实施例提供的显示面板的第一种结构的结构示意图；
[0034]图2是本专利技术实施例提供的显示面板的第二种结构的结构示意图；
[0035]图3是本专利技术实施例提供的显示面板的第三种结构的结构示意图；
[0036]图4是本专利技术实施例提供的显示面板的第四种结构的结构示意图；
[0037]图5是本专利技术实施例提供的显示面板的第五种结构的结构示意图；
[0038]图6是本专利技术实施例提供的显示面板的制作方法的步骤流程图；
[0039]图7A至7C是本专利技术实施例提供的显示面板的制作方法的第一种流程示意图；
[0040]图8A至8C是本专利技术实施例提供的显示面板的制作方法的第二种流程示意图；
[0041]图9是本专利技术实施例提供的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
[0042]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。在本专利技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
[0043]近些年，显示面板的成本管控程度越来越严格，常规的显示面板制作过程中，需要栅极层图案化、有源层图案化、源漏极层图案化、源漏极层与有源层之间的绝缘层打孔、公本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：衬底；有源层，位于所述衬底的一侧；源漏极层，位于所述有源层远离所述衬底一侧的表面上；第一绝缘层，位于所述源漏极层和所述有源层远离所述衬底一侧的表面上；公共电极层，位于所述第一绝缘层远离所述衬底一侧；第二绝缘层，位于所述公共电极层及所述第一绝缘层远离所述衬底一侧；像素电极层，位于所述第二绝缘层远离所述衬底一侧的表面上；其中，所述第一绝缘层的材料类型与所述第二绝缘层的材料类型相同，所述第一绝缘层包括第一过孔，所述第二绝缘层包括第二过孔，所述第一过孔与所述第二过孔对应贯通设置，所述像素电极层通过所述第一过孔与所述第二过孔与所述源漏极层连接。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层均为无机材料。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间的平坦层，所述平坦层包括多个第三过孔，所述第三过孔与所述第一过孔和所述第二过孔对应贯通设置。4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第三过孔的内径大于对应所述第一过孔的内径，所述第三过孔的内径大于对应所述第二过孔的内径。5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括位于所述有源层与所述衬底之间的栅极层；其中，所述栅极层包括栅极金属生长层和位于所述栅极金属生长层靠近所述有源层一侧的表面上的栅极金属主体层，所述栅极金属生长层的材料与所述栅极金属主体层的材料不同，所述栅极金属生长层的材料的晶格常数与所述栅极金属主体层的材料的晶格常数相同。6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述有源层包括与所述栅极金属主体层对应的沟道部及与所述源漏极层对应的导体部，所述源漏极层贴合于所述导体部远离所述衬底一侧的表面上。7.根据权利要求5所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴志林，马涛，宋德伟，艾飞，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。