显示装置、显示模块及电子设备制造方法及图纸

本公开涉及显示装置、显示模块及电子设备。提供一种与扫描线连接的晶体管的栅极电容小的新颖的显示装置。提供一种扫描线的电阻低的新颖的显示装置等。提供一种能够以高清晰度配置像素的新颖的显示装置等。提供一种能够不增加成本地制造的新颖的显示装置等。在包括第一栅电极以及第二栅电极的晶体管中，第一栅电极使用低电阻金属材料构成，第二栅电极使用能够减少氧化物半导体层中的氧缺陷的金属氧化物材料构成。第一栅电极与扫描线连接，第二栅电极与被供应恒定电位的布线连接。电极与被供应恒定电位的布线连接。电极与被供应恒定电位的布线连接。

【技术实现步骤摘要】
显示装置、显示模块及电子设备
[0001]本分案申请是基于申请号为201680076694.4，申请日为2016年12月19日，专利技术名称为“显示装置、显示模块及电子设备”的中国专利申请的分案申请。


[0002]本专利技术的一个方式涉及一种设置有包括氧化物半导体的晶体管的显示装置。
[0003]注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式的
涉及一种物体、方法或制造方法。此外，本专利技术涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或组合物(composition of matter)。本专利技术的一个方式尤其涉及一种半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、其驱动方法或其制造方法。

技术介绍

[0004]通过利用形成在具有绝缘表面的衬底上的半导体层来构成晶体管(也称为场效应晶体管(FET)或薄膜晶体管(TFT))的技术受到关注。该晶体管被广泛地应用于如集成电路(IC)及图像显示装置(显示装置)等电子器件。作为可以应用于晶体管的半导体层，以硅为代表的半导体材料被周知。另外，作为其他材料，氧化物半导体受到关注。
[0005]例如，已公开了形成作为氧化物半导体使用包含In、Zn、Ga、Sn等的非晶氧化物的晶体管的技术(参照专利文献1)。另外，也公开了形成使用氧化物层的自对准的顶栅晶体管的技术(参照专利文献2)。另外，也公开了形成为了提高场效应迁移率由上下的栅电极的电场电性上包围其中形成沟道的氧化物层的晶体管的技术(参照专利文献3)。
[0006]此外，已公开了一种电性的可靠性高，例如，阈值电压的漂移小的晶体管的制造技术，其中将通过加热释放氧的绝缘层用作其中形成沟道的氧化物半导体层的基底绝缘层，来降低该氧化物半导体层的氧缺陷(参照专利文献4)。
[0007][参考文献][0008][专利文献][0009][专利文献1]日本专利申请公开第2006
‑
165529号公报
[0010][专利文献2]日本专利申请公开第2009
‑
278115号公报
[0011][专利文献3]日本专利申请公开第2014
‑
241404号公报
[0012][专利文献4]日本专利申请公开第2012
‑
009836号公报

技术实现思路

[0013]包括氧化物层的晶体管被期待应用于显示装置。这种晶体管被要求具有高场效应迁移率及高可靠性。为了实现高场效应迁移率，形成电性上包围其中形成沟道的氧化物层的晶体管是有效的。但是，在利用扫描线的信号驱动具有由栅电极的电场电性上包围其中形成沟道的氧化物层的结构的晶体管的情况下，有该晶体管的栅极电容过大的问题。
[0014]为了减小栅极电容，采用单栅结构而不使用由栅电极包围氧化物层的结构是有效
的。但是，在为了实现高可靠性采用如氧化物层通过加热释放氧的栅电极作为顶栅极的情况下，有与采用由金属构成的栅电极时相比栅电极的电阻升高，或扫描线的电阻升高的问题。
[0015]由于将通过加热释放氧的栅电极用作顶栅极的结构对提高晶体管的可靠性是很有效的。因此，为了在该结构中降低扫描线的电阻，作为底栅极使用由金属构成的栅电极并且利用底栅极一侧的金属布线形成扫描线的结构是有效的。但是，用来连接顶栅极和底栅极的开口形成在如像素区域等很小的区域中，其配置很困难，这导致制造高分辨率显示装置时的困难。此外，通过加热释放氧的栅电极上层叠金属布线来降低扫描线的电阻，该结构有因工程增加导致制造成本上升的问题。
[0016]鉴于上述问题，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种与扫描线连接的晶体管的栅极电容小的新颖结构的显示装置等。另外，本专利技术的另一个方式的目的之一是提供一种扫描线的电阻低的新颖的显示装置等。另外，本专利技术的另一个方式的目的之一是提供一种能够以高清晰度配置像素的新颖的显示装置等。另外，本专利技术的另一个方式的目的之一是提供一种可以不增加成本地制造的新颖的显示装置等。
[0017]注意，本专利技术的一个方式的目的不局限于上述目的。上述目的并不妨碍其他目的的存在。其他目的是上面没有提到而将在下面进行说明的目的。所属
的普通技术人员将从说明书及附图等的记载中导出并可以抽出其他目的。另外，本专利技术的一个方式实现上述目的及其他目的中的至少一个。
[0018]本专利技术的一个方式是一种显示装置，包括第一晶体管、第二晶体管、第一布线及第二布线。第一晶体管包括第一栅电极、第二栅电极及第一半导体层。第二晶体管包括第一栅电极、第二栅电极及第二半导体层。第一布线传送控制第一晶体管及第二晶体管的导通状态的信号。第二布线传送恒定电压。第一晶体管的第一栅电极及第二晶体管的第一栅电极与第一布线电连接。第一晶体管的第二栅电极及第二晶体管的第二栅电极与第二布线电连接。第一半导体层及第二半导体层包含氧化物半导体。第一晶体管的第一栅电极及第二晶体管的第一栅电极包含金属材料。并且第一晶体管的第二栅电极及第二晶体管的第二栅电极包含金属氧化物材料。
[0019]本专利技术的一个方式是一种显示装置，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一布线及第二布线。第一晶体管包括第一栅电极、第二栅电极及第一半导体层。第二晶体管包括第一栅电极、第二栅电极及第二半导体层。第三晶体管包括第一栅电极、第二栅电极及第三半导体层。第一布线传送控制第一晶体管及第二晶体管的导通状态的信号。第二布线传送恒定电压。第一晶体管的第一栅电极及第二晶体管的第一栅电极与第一布线电连接。第一晶体管的第二栅电极及第二晶体管的第二栅电极与第二布线电连接。第三晶体管的第一栅电极与第三晶体管的第二栅电极彼此电连接。第一半导体层、第二半导体层及第三半导体层包含氧化物半导体。第一晶体管的第一栅电极、第二晶体管的第一栅电极及第三晶体管的第一栅电极包含金属材料。第一晶体管的第二栅电极、第二晶体管的第二栅电极及第三晶体管的第二栅电极包含金属氧化物材料。
[0020]本专利技术的一个方式是一种显示装置，包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、电容元件、发光元件、第一布线及第二布线。第一晶体管包括第一栅电极、第二栅电极及第一半导体层。第二晶体管包括第一栅电极、第二栅电极及第二半导体层。第三晶体管包括第
一栅电极、第二栅电极及第三半导体层。第一布线传送控制第一晶体管及第二晶体管的导通状态的信号。第二布线传送恒定电压。第一晶体管的第一栅电极及第二晶体管的第一栅电极与第一布线电连接。第一晶体管的第二栅电极及第二晶体管的第二栅电极与第二布线电连接。第一晶体管的源极和漏极中的一个与第三晶体管的第一栅电极、电容元件的一个电极及第三晶体管的第二栅电极电连接。第二晶体管的源极和漏极中的一个与第三晶体管的源极和漏极中的一个、电容元件的另一个电极及发光元件的一个电极电连接。第一半导体层、第二半导体层及第三半导体层包含氧化物半导体。第一晶体管的第一栅电极、第二晶体管的第一栅电极及第三晶体管的第一栅电极包含金属材料。第一晶体管的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：像素部中的第一晶体管至第三晶体管以及发光元件，其中，所述第一晶体管具有根据与图像数据对应的信号来控制从电流供应线向所述发光元件供应电流的功能，所述第二晶体管具有控制与所述图像数据对应的信号向像素的输入的功能，在所述第三晶体管中，源极和漏极中的一个与布线电连接，源极和漏极中的另一个与所述发光元件的像素电极电连接，具有作为所述电流供应线的功能的第一导电层与具有作为输入所述图像数据的信号线的功能的第二导电层配置于相同层，所述第一导电层以及所述第二导电层比具有作为所述布线的功能的第三导电层配置于更上层，所述第一导电层与所述第三导电层有重叠，所述第三导电层比所述第一晶体管的栅电极和所述第三晶体管的栅电极配置于更上层，所述第一晶体管的栅电极配置于所述第一晶体管的沟道形成区域的上层，所述第三晶体管的栅电极配置于所述第三晶体管的沟道形成区域的上层，所述第一晶体管的源极和漏极中的一个以及所述第三晶体管的源极和漏极中的另一个通过第四导电层而与所述像素电极电连接。2.一种半导体装置，包括：像素部中的第一晶体管至第三晶体管以及发光元件，其中，所述第一晶体管具有根据与图像数据对应的信号来控制从电流供应线向所述发光元件供应电流的功能，所述第二晶体管具有控制与所述图像数据对应的信号向像素的输入的功能，在所述第三晶体管中，源极和漏极中的一个与布线电连接，源极和漏极中的另一个与所述发光元件的像素电极电连接，所述第二晶体管的栅电极和所述第三晶体管的栅电极相互电连接，具有作为所述电流供应线的功能的第一导电层与具有作为输入所述图像数据的信号线的功能的第二导电层配置于相同层，所述第一导电层以及所述第二导电层比具有作为所述布线的功能的第三导电层配置于更上层，所述第一导电层与所述第三导电层有重叠，所述第三导电层比所述第一晶体管的栅电极和所述第三晶体管的栅电极配置于更上层，所述第一晶体管的栅电极配置于所述第一晶体管的沟道形成区域的上层，所述第三晶体管的栅电极配置于所述第三晶体管的沟道形成区域的上层，所述第一晶体管的源极和漏极中的一个以及所述第三晶体管的源极和漏极中的另一个通过第四导电层而与所述像素电极电连接。3.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一导电层电连接到与所述第三导电层配置于相同层的第五导电层，
所述第五导电层与所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个电连接。4.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，其中，具有作为所述第三晶体管的栅电极的功能的第六导电层与所述第一导电层有重叠。5.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一导电层以及所述第二导电层分别具有包含钛或氮化钛的第一膜、所述第一膜上的包含铝的第二膜以及所述第二膜上的包含钛或氮化钛的第三膜。6.根据权利要求1或权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一晶体管在沟道中包含多晶半导体。7.一种半导体装置，包括：像素中的第一晶体管至第三晶体管以及发光元件，其中，在所述第一晶体管中，源极和漏极中的一个与所述发光元件的像素电极电连接，源极和漏极中的另一个与电流供应线电连接，在所述第二晶体管中，源极和漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：丰高耕平，高桥圭，肉户英明，楠纮慈，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：