【技术实现步骤摘要】
一种显示面板及电子设备
[0001]本专利技术涉及显示
，更具体地说，涉及一种显示面板及电子设备。
技术介绍
[0002]随着科学技术的发展，越来越多的具有显示功能的电子设备被广泛的应用于人们的日常生活以及工作当中，为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利，成为当前人们不可或缺的重要工具；其中电子设备实现显示功能的主要部件是显示面板。
[0003]其中，显示面板上具有多个像素，像素包括发光元件和用于控制发光元件的像素电路，像素电路包括驱动晶体管和开关晶体管，为了保证驱动晶体管的驱动性能以及开关晶体管的开关性能，在现有技术中驱动晶体管采用LTPS类型的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)，开关晶体管采用IGZO类型的薄膜晶体管。
[0004]也就是说，现有技术中像素内的像素电路采用两种类型的薄膜晶体管，导致形成像素电路的膜层堆叠复杂，工艺所需的Mask数量较多，进而导致显示面板的制作成本较高。
技术实现思路
[0005]有鉴于此，为解决上述问题，本专利技术提供...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：衬底；位于所述衬底一侧的阵列层，所述阵列层中具有第一类型薄膜晶体管和第二类型薄膜晶体管；其中，所述第一类型薄膜晶体管的第一有源层和第二类型薄膜晶体管的第二有源层均为金属氧化物有源层，所述第一类型薄膜晶体管的亚阈值摆幅值大于所述第二类型薄膜晶体管的亚阈值摆幅值。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一类型薄膜晶体管的亚阈值摆幅值大于0.4v/dec。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二类型薄膜晶体管的亚阈值摆幅值小于0.3v/dec。4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一类型薄膜晶体管包括在第一方向上位于所述第一有源层两侧的第一底栅和第一顶栅；所述第二类型薄膜晶体管包括在所述第一方向上位于所述第二有源层两侧的第二底栅和第二顶栅；在所述第一方向上，所述第一顶栅与所述第一有源层之间的距离为D1，所述第二顶栅与所述第二有源层之间的距离为D2，D1＞D2；其中，所述第一方向垂直于所述衬底所在平面。5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，在所述第一方向上，所述第一有源层与所述第一底栅之间的距离为D3，D1≥2*D3。6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，在所述第一方向上，所述第二有源层与所述第二底栅之间的距离为D4，D2≤D4/2。7.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述阵列层包括第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层；所述第一底栅和所述第二底栅位于所述衬底上；所述第一绝缘层位于所述第一底栅和所述第二底栅背离所述衬底的一侧，且覆盖所述第一底栅和所述第二底栅；所述第一有源层位于所述第一绝缘层背离所述衬底的一侧；所述第二绝缘层位于所述第一有源层背离所述衬底的一侧，且覆盖所述第一有源层和所述第一绝缘层；所述第二有源层位于所述第二绝缘层背离所述衬底的一侧；所述第三绝缘层位于所述第二有源层背离所述衬底的一侧，且覆盖所述第二有源层和所述第二绝缘层；所述第一顶栅和所述第二顶栅位于所述第三绝缘层背离所述衬底的一侧。8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述阵列层还包括：第四绝缘层；所述第四绝缘层位于所述第一顶栅和所述第二顶栅背离所述衬底的一侧，且覆盖所述第一顶栅、所述第二顶栅和所述第三绝缘层；所述第一类型薄膜晶体管还包括第一源极和第一漏极，所述第二类型薄膜晶体管还包括第二源极和第二漏极；所述第一源极、所述第二源极、所述第一漏极和所述第二漏极位于所述第四绝缘层背
离所述衬底的一侧；所述第一源极和所述第一漏极与所述第一有源层连接，所述第二源极和所述第二漏极与所述第二有源层连接。9.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述第一类型薄膜晶体管还包括第一源极和第一漏极，所述第一源极和所述第一漏极与所述第一有源层连接；所述第二类型薄膜晶体管还包括第二源极和第二漏极，所述第二源极和所述第二漏极与所述第二有源层连接；所述第一源极、所述第二源极、所述第一漏极和所述第二漏极与所述第一顶栅、所述第二顶栅同层设置。10.根据权利要求9所述的显示面板，特征在于，所述第一类型薄膜晶体管还包括第一欧姆接触层，所述第一欧姆接触层位于所述第一有源层上，...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈鑫，
申请(专利权)人：厦门天马显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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