驱动背板、显示面板及显示装置制造方法及图纸

技术编号:36422954 阅读:18 留言:0更新日期:2023-01-20 22:31
本公开关于一种驱动背板、显示面板及显示装置驱动背板,涉及显示技术领域。驱动背板具有驱动电路,驱动电路包括存储电容和多个晶体管;驱动背板包括衬底和沿远离衬底的方向分布于衬底一侧的多个功能层,驱动电路的晶体管分布于各功能层,存储电容位于一功能层;至少两个晶体管交叠;功能层包括沿远离衬底的方向堆叠的晶体管层和连接层,功能层的晶体管位于晶体管层;同一功能层的连接层与晶体管层中的至少一个晶体管连接;在相邻的两个功能层中,靠近衬底的一功能层的连接层与远离衬底的一功能层的晶体管层连接。能层的晶体管层连接。能层的晶体管层连接。

【技术实现步骤摘要】
驱动背板、显示面板及显示装置


[0001]本公开涉及显示
,具体而言,涉及一种驱动背板、显示面板及显示装置。

技术介绍

[0002]目前,显示面板已经广泛地应用于手机等电子设备中。其中,有机电致显示面板的应用较为广泛。但是,现有显示面板的分辨率仍有待提高,且显示面板的边框宽度仍有待减小。
[0003]需要说明的是,在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0004]本公开的目的在于克服上述现有技术的不足,提供一种驱动背板、显示面板及显示装置,可在不改变显示面板的尺寸的情况下,提高分辨率,缩窄边框。
[0005]根据本公开的一个方面,提供一种驱动背板,所述驱动背板具有驱动电路,所述驱动电路包括至少一个存储电容和多个晶体管;
[0006]所述驱动背板包括衬底和沿远离所述衬底的方向分布于所述衬底一侧的多个功能层,所述驱动电路的晶体管分布于各所述功能层,所述存储电容位于一所述功能层;至少两个所述晶体管的有源层交叠;
[0007]所述功能层包括沿远离所述衬底的方向堆叠的晶体管层和连接层,所述功能层的晶体管位于所述晶体管层;同一所述功能层的连接层与所述晶体管层中的至少一个所述晶体管连接;
[0008]在相邻的两个所述功能层中,靠近所述衬底的一所述功能层的连接层与远离所述衬底的一所述功能层的晶体管层连接。
[0009]在本公开的一种示例性实施方式中,所述驱动电路的晶体管包括多个第一类晶体管和多个第二类晶体管;
[0010]所述功能层包括沿远离衬底的方向分布的第一功能层和第二功能层;所述第一功能层的晶体管层为第一晶体管层,所述第一功能层的连接层为第一连接层;所述第二功能层的晶体管层为第二晶体管层,所述第二功能层的连接层为第二连接层;
[0011]所述第一类晶体管位于所述第一晶体管层,所述第二类晶体管位于所述第二晶体管层。
[0012]在本公开的一种示例性实施方式中,所述第一晶体管层包括:
[0013]第一半导体层,设于所述衬底一侧,且包括各所述第一类晶体管的有源层;
[0014]第一栅绝缘层,覆盖所述第一半导体层;
[0015]第一栅极层,设于所述第一栅绝缘层远离所述衬底的表面,且包括各所述第一类晶体管的栅极和第一极板;
[0016]第二栅绝缘层,覆盖所述第一栅极层;
[0017]第二栅极层,设于所述第二栅绝缘层远离所述衬底的表面,且包括第二极板;所述第二极板与所述第一极板交叠,形成所述存储电容;
[0018]第一绝缘层,覆盖所述第二栅极层;
[0019]所述第一连接层设于所述第一绝缘层远离所述衬底的表面;所述第一连接层与至少部分所述第一类晶体管连接,且与至少部分所述第二类晶体管连接。
[0020]所述第一功能层还包括:
[0021]第一平坦层,覆盖所述第一连接层。
[0022]在本公开的一种示例性实施方式中,所述第二晶体管层包括:
[0023]第三栅极层,设于第一功能层远离所述衬底的一侧,且包括各所述第二类晶体管的栅极;
[0024]第三栅绝缘层,覆盖所述第三栅极层,;
[0025]第二半导体层,设于所述第三栅绝缘层远离所述衬底的表面,且包括各所述第二类晶体管的有源层;
[0026]第四栅绝缘层,覆盖所述第二半导体层;
[0027]第四栅极层,设于所述第四栅绝缘层远离所述衬底的表面,且包括各所述第二类晶体管的栅极;
[0028]第二绝缘层,覆盖所述第四栅极层;
[0029]所述第二连接层设于所述第二绝缘层远离所述衬底的表面;所述第二连接层与至少部分所述第二类晶体管连接,且与所述第一连接层连接;
[0030]所述第二功能层还包括:
[0031]第二平坦层,覆盖所述第二连接层。
[0032]在本公开的一种示例性实施方式中,所述第一平坦层的厚度大于所述第二平坦层的厚度。
[0033]在本公开的一种示例性实施方式中,所述第三栅极层包括连接部,所述第一连接层与所述连接部连接,所述连接部与所述第二连接层连接。
[0034]在本公开的一种示例性实施方式中,所述第四栅极层包括连接部,所述第一连接层与所述连接部连接,所述连接部与所述第二连接层连接。
[0035]在本公开的一种示例性实施方式中,所述驱动背板还包括:
[0036]转接层,设于所述第一功能层远离所述衬底的一侧,且与所述第一连接层连接;
[0037]所述第二功能层设于所述转接层远离所述衬底的一侧,且所述第二连接层与所述转接层连接。
[0038]在本公开的一种示例性实施方式中,所述驱动背板还包括:
[0039]阻挡层,设于所述第一功能层远离所述衬底的表面,所述转接层设于所述阻挡层远离所述衬底的表面。
[0040]在本公开的一种示例性实施方式中,所述驱动电路包括像素电路,一所述像素电路的晶体管包括第一复位晶体管、补偿晶体管、驱动晶体管、写入晶体管、第一控制晶体管、第二控制晶体管和第二复位晶体管;
[0041]所述第一控制晶体管的第一极用于输入第一电源信号,第二极与所述驱动晶体管的第一极连接;
[0042]所述驱动晶体管的第二极与所述第二控制晶体管的第一极连接,所述第二控制晶体管的第二极用于与所述发光器件连接;
[0043]第一复位晶体管的栅极用于输入第一复位控制信号,第一极用于输入第一复位信号,第二极与所述驱动晶体管的栅极连接;
[0044]所述补偿晶体管的第一极与所述驱动晶体管的第二极连接,第二极与所述驱动晶体管的栅极连接;
[0045]所述写入晶体管的栅极用于输入第一扫描信号,第一极用于输入数据信号,第二极与所述驱动晶体管的第一极连接。
[0046]所述第二复位晶体管的栅极用于输入第二复位控制信号,第一极用于输入第二复位信号,第二极与所述第二控制晶体管的第二极连接;
[0047]所述存储电容的第一极板用于输入所述第一电源信号,第二极板与所述驱动晶体管的栅极连接。
[0048]在本公开的一种示例性实施方式中,所述第一类晶体管为多晶硅晶体管,所述第二类晶体管为金属氧化物晶体管。
[0049]在本公开的一种示例性实施方式中,所述驱动晶体管、所述第一控制晶体管、所述第二控制晶体管和所述第二复位晶体管为所述第一类晶体管;所述第一复位晶体管和所述补偿晶体管为所述第二类晶体管。
[0050]在本公开的一种示例性实施方式中,所述驱动背板还包括:
[0051]走线层,设于所述第二功能层远离所述衬底的表面,且与所述第二连接层连接;
[0052]第三平坦层,覆盖所述走线层。
[0053]在本公开的一种示例性实施方式中,所述第一连接层或所述走线层包括用于向所述像素电路传输所述数据信号的数据线;
[0054]所述写入晶体管为所述第本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种驱动背板,其特征在于,所述驱动背板具有驱动电路,所述驱动电路包括至少一个存储电容和多个晶体管;所述驱动背板包括衬底和沿远离所述衬底的方向分布于所述衬底一侧的多个功能层,所述驱动电路的晶体管分布于各所述功能层,所述存储电容位于一所述功能层;至少两个所述晶体管的有源层交叠;所述功能层包括沿远离所述衬底的方向堆叠的晶体管层和连接层,所述功能层的晶体管位于所述晶体管层;同一所述功能层的连接层与所述晶体管层中的至少一个所述晶体管连接;在相邻的两个所述功能层中,靠近所述衬底的一所述功能层的连接层与远离所述衬底的一所述功能层的晶体管层连接。2.根据权利要求1所述的驱动背板,其特征在于,所述驱动电路的晶体管包括多个第一类晶体管和多个第二类晶体管;所述功能层包括沿远离衬底的方向分布的第一功能层和第二功能层;所述第一功能层的晶体管层为第一晶体管层,所述第一功能层的连接层为第一连接层;所述第二功能层的晶体管层为第二晶体管层,所述第二功能层的连接层为第二连接层;所述第一类晶体管位于所述第一晶体管层,所述第二类晶体管位于所述第二晶体管层。3.根据权利要求2所述的驱动背板,其特征在于,所述第一晶体管层包括:第一半导体层,设于所述衬底一侧,且包括各所述第一类晶体管的有源层;第一栅绝缘层,覆盖所述第一半导体层;第一栅极层,设于所述第一栅绝缘层远离所述衬底的表面,且包括各所述第一类晶体管的栅极和第一极板;第二栅绝缘层,覆盖所述第一栅极层;第二栅极层,设于所述第二栅绝缘层远离所述衬底的表面,且包括第二极板;所述第二极板与所述第一极板交叠,形成所述存储电容;第一绝缘层,覆盖所述第二栅极层;所述第一连接层设于所述第一绝缘层远离所述衬底的表面;所述第一连接层与至少部分所述第一类晶体管连接,且与至少部分所述第二类晶体管连接;所述第一功能层还包括:第一平坦层,覆盖所述第一连接层。4.根据权利要求3所述的驱动背板,其特征在于,所述第二晶体管层包括:第三栅极层,设于第一功能层远离所述衬底的一侧,且包括各所述第二类晶体管的栅极;第三栅绝缘层,覆盖所述第三栅极层;第二半导体层,设于所述第三栅绝缘层远离所述衬底的表面,且包括各所述第二类晶体管的有源层;第四栅绝缘层,覆盖所述第二半导体层;第四栅极层,设于所述第四栅绝缘层远离所述衬底的表面,且包括各所述第二类晶体管的栅极;
第二绝缘层,覆盖所述第四栅极层;所述第二连接层设于所述第二绝缘层远离所述衬底的表面;所述第二连接层与至少部分所述第二类晶体管连接,且与所述第一连接层连接;所述第二功能层还包括:第二平坦层,覆盖所述第二连接层。5.根据权利要求4所述的驱动背板,其特征在于,所述第一平坦层的厚度大于所述第二平坦层的厚度。6.根据权利要求4所述的驱动背板,其特征在于,所述第三栅极层包括连接部,所述第一连接层与所...

【专利技术属性】
技术研发人员:张慧娟宋尊庆孙拓
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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