防漏硅装置及单晶炉制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种防漏硅装置及单晶炉，所述单晶炉包括炉体和位于所述炉体内的坩埚，所述防漏硅装置包括护盘和支撑固毡，护盘包括第一底壁和第一侧壁，第一底壁和第一侧壁围成第一腔体，护盘用于设置于单晶炉的炉体底部，护盘设置于坩埚的下方，支撑固毡设置于第一腔体内，支撑固毡与护盘的第一底壁接触的一侧具有第二腔体，第一腔体用于盛放坩埚泄露后的硅液。该单晶炉支撑固毡支撑起炉底上部热场，第二腔体留出可盛放硅液的空间，当漏硅的硅液量较多时，硅液可流至炉底护盘，极大程度保护炉底板及炉体外部波纹管等部件，降低了发生爆炸的可能性，极大地提高了单晶炉热场的安全性。全性。全性。

【技术实现步骤摘要】
防漏硅装置及单晶炉


[0001]本技术属于单晶制造
，更具体地说，是涉及一种防漏硅装置及单晶炉。

技术介绍

[0002]单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备。
[0003]目前现有单晶炉内的炉底部分主要铺设底毡来达到保温的效果。例如现有单晶炉的炉底主要结构为护盘压板下面设置有护盘软毡、炉底固毡和炉底软毡。炉底结构主要起保温作用，在单晶炉漏硅液量较少时可以有效阻隔硅液，当发生大型漏硅事故时，高温硅液将会烫损底毡，大量硅液流到炉底板，并顺着底板的电极孔、导气孔、托杆轴孔流出炉体，严重时易发生爆炸事故。

技术实现思路

[0004]本技术实施例的目的在于提供一种单晶炉防漏硅装置及单晶炉，以解决现有单晶炉发生漏硅事故时易发生爆炸事故的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：本技术第一方面提供一种防漏硅装置，用于单晶炉，所述单晶炉包括炉体和位于所述炉体内的坩埚，所述防漏硅装置包括护盘和支撑固毡；
[0006]所述护盘包括第一底壁和第一侧壁，所述第一底壁和所述第一侧壁围成第一腔体，所述护盘用于设置于所述单晶炉的炉体底部，所述护盘设置于所述坩埚的下方，所述支撑固毡设置于所述第一腔体内，所述支撑固毡与所述护盘的所述第一底壁接触的一侧具有第二腔体，所述第一腔体用于盛放所述坩埚泄露后的硅液。
[0007]在一实施例中，所述护盘为陶瓷护盘。
[0008]在一实施例中，所述支撑固毡具有第二底壁和第二侧壁，所述第二底壁和所述第二侧壁的内壁面围成所述第二腔体，所述第二底壁与所述第一底壁平行。
[0009]在一实施例中，所述第一腔体和所述第二腔体的横截面的形状均为圆形。
[0010]在一实施例中，所述护盘上设置有贯穿所述第一底壁的空心圆柱体，所述支撑固毡上设置有贯穿所述第二底壁的开孔，所述空心圆柱体与所述开孔同轴设置。
[0011]在一实施例中，所述第二侧壁的外壁面沿所述坩埚方向的高度大于20mm。
[0012]在一实施例中，所述第二腔体沿所述坩埚方向的高度大于10mm。
[0013]在一实施例中，所述护盘的所述第一侧壁沿所述坩埚方向延伸的高度小于所述支撑固毡沿所述坩埚方向延伸的高度。
[0014]在一实施例中，所述护盘的所述第一底壁和所述支撑固毡的所述第二底壁的外轮廓均为圆形，所述第一底壁和所述第二底壁同轴设置。
[0015]本技术第二方面提供一种单晶炉，包括炉体、位于所述炉体内的坩埚以及防
漏硅装置，所述防漏硅装置为如上所述的防漏硅装置，所述护盘与所述炉体的内壁贴合。
[0016]在一实施例中，所述坩埚下方还设置有护盘压片、所述护盘压片下面设置有保温固毡，所述保温固毡与炉底支撑固毡之间填充有软毡。
[0017]本技术提供的防漏硅装置包括护盘和支撑固毡，护盘包括第一底壁和第一侧壁，第一底壁和第一侧壁围成第一腔体，护盘用于设置于单晶炉的炉体底部，支撑固毡设置于第一腔体内，护盘和支撑固毡用于设置于单晶炉的炉体内的坩埚的下方，支撑固毡与护盘的第一底壁接触的一侧具有第二腔体，第一腔体和第二腔体用于盛放泄露后的硅液，该防漏硅装置应用于单晶炉时，炉底的支撑固毡支撑起上部热场，第二腔体留出可盛放硅液的空间，当漏硅的硅液量较多时，硅液可流至炉底护盘，极大程度保护炉底板及炉体外部波纹管等部件，降低了发生爆炸的可能性，极大地提高了单晶炉热场的安全性。
[0018]本技术的单晶炉包括炉体、位于所述炉体内的坩埚以及上述防漏硅装置，该防漏硅装置应用于单晶炉时，炉底的支撑固毡起支撑起上部热场，第二腔体留出可盛放硅液的空间，当漏硅的硅液量较多时，硅液可流至炉底护盘，极大程度保护炉底板及炉体外部波纹管等部件，降低了发生爆炸的可能性，极大地提高了单晶炉热场的安全性。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1为本技术实施例提供的单晶炉的结构示意图；
[0021]图2为本技术实施例提供的防漏硅装置的护盘的结构示意图；
[0022]图3为本技术实施例提供的护盘的俯视图；
[0023]图4为图3中AG
‑
AG处的剖面结构示意图；
[0024]图5为本技术实施例提供的防漏硅装置的支撑固毡的结构示意图；
[0025]图6为本技术实施例提供的支撑固毡的俯视图；
[0026]图7为图6中AF
‑
AF处的剖面结构示意图。
[0027]其中，图中各附图标记：
[0028]1‑
防漏硅装置；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ2‑
炉体；
[0029]3‑
坩埚；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ4‑
护盘压片；
[0030]5‑
保温固毡；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ6‑
软毡；
[0031]11
‑
护盘；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
12
‑
支撑固毡；
[0032]111
‑
第一底壁；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
112
‑
第一侧壁；
[0033]113
‑
第一腔体；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
114
‑
空心圆柱体；
[0034]121
‑
第二腔体；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
122
‑
第二底壁；
[0035]123
‑
第二侧壁；
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
124
‑
开孔。
具体实施方式
[0036]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新
型实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0037]在本技术的描述中，需要理解的是，本文中使用的术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0038]此外，在本申请中，除非另有明确的规定和限本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防漏硅装置，用于单晶炉，所述单晶炉包括炉体和位于所述炉体内的坩埚，其特征在于：所述防漏硅装置包括护盘和支撑固毡；所述护盘包括第一底壁和第一侧壁，所述第一底壁和所述第一侧壁围成第一腔体，所述护盘用于设置于所述单晶炉的炉体底部，所述护盘设置于所述坩埚的下方，所述支撑固毡设置于所述第一腔体内，所述支撑固毡与所述护盘的所述第一底壁接触的一侧具有第二腔体，所述第一腔体用于盛放所述坩埚泄漏后的硅液。2.根据权利要求1所述的防漏硅装置，其特征在于：所述护盘为陶瓷护盘。3.根据权利要求1所述的防漏硅装置，其特征在于：所述支撑固毡具有第二底壁和第二侧壁，所述第二底壁和所述第二侧壁的内壁面围成所述第二腔体，所述第二底壁与所述第一底壁平行。4.根据权利要求3所述的防漏硅装置，其特征在于：所述护盘上设置有贯穿所述第一底壁的空心圆柱体，所述支撑固毡上设置有贯穿所述第二底壁的开孔，所述空心圆柱体与所述开孔同轴设置。5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋丽平，龙小娇，陈铭，龙昭钦，
申请(专利权)人：四川晶科能源有限公司，
类型：新型
国别省市：