一种生长炉群控方法技术

本发明专利技术实施例提供了一种生长炉群控方法，属于晶棒相关技术领域，作用于单晶炉，包括以下步骤：中央控制器接收信息，将单晶炉信息、小车信息以及晶棒检测结果关联在一起；中央控制器将晶棒检测结果和预设/不断迭代的标准值进行对比，对对比结果中的偏差项进行分析，得出偏差原因；中央控制器基于偏差原因，判断晶体质量是否可修正，若可以修正，调整对应单晶炉的生长工艺，以使得当前状态的单晶炉实际工作环境满足下一次生长需求；达到收集信息，判断影响晶棒质量的因素的技术效果。影响晶棒质量的因素的技术效果。影响晶棒质量的因素的技术效果。

【技术实现步骤摘要】
一种生长炉群控方法


[0001]本专利技术涉及单晶硅生长炉相关
，尤其涉及一种生长炉群控方法。

技术介绍

[0002]直拉式单晶硅生长炉是制备单晶硅材料的主要设备，又称单晶硅生长炉，或者单晶炉。设备通过石墨加热方式将盛在石英坩埚中的高纯多晶硅原料熔化，在持续的低压氩气保护下，硅晶体在合适的温度与生长速度下，在一根细小的籽晶上逐淅结晶成一根单晶体。传统直拉式硬轴单晶硅生长炉一般通过机械手将晶棒从副炉室腔体内取出，然后通过人工操作取晶车将晶棒从机械手上取下，再操作取晶车将晶棒转运至下道工序点。
[0003]现有技术中，一台单晶炉中会生长出多根晶棒，随着单晶炉的长期使用，单晶炉中的零部件易损坏从而影响到单晶炉的正常使用，进而导致从单晶炉中生长出来的晶棒出现瑕疵质量问题，此外，工艺参数的变化也会影响到单晶炉中生长出来的晶棒的质量。且在工厂实际工作运作过程中，一般是多台单晶炉同时工作，从而当单晶炉中生产出的晶棒出现瑕疵质量问题时，无法确认具体是哪台单晶炉出现损坏造成的晶棒质量问题，还是工艺参数的改变造成的晶棒质量问题。
[0004]所以，现有技术的技术问题在于：实际生产时影响晶棒质量的因素多，而判断原因的信息少。

技术实现思路

[0005]本申请实施例提供一种生长炉群控方法，解决了现有技术中实际生产时影响晶棒质量的因素多，而判断原因的信息少的技术问题；达到收集信息，判断影响晶棒质量的因素的技术效果。
[0006]本申请实施例提供一种生长炉群控方法，作用于单晶炉，包括以下步骤：中央控制器接收信息，将单晶炉信息、小车信息以及晶棒检测结果关联在一起；中央控制器将晶棒检测结果和预设/不断迭代的标准值进行对比，对对比结果中的偏差项进行分析，得出偏差原因；中央控制器基于偏差原因，判断晶体质量是否可修正，若可以修正，调整对应单晶炉的生长工艺，以使得当前状态的单晶炉实际工作环境满足下一次生长需求。
[0007]作为优选，小车具有检测工具可检测晶棒；在小车获取并检测一晶棒后，将小车信息和晶棒检测结果传递给中央控制器，其中，小车信息和晶棒检测结果由小车关联在一起并传递给中央控制器，或小车信息和晶棒检测结果由中央控制器在接收后关联在一起。
[0008]作为优选，所述单晶炉信息由小车获取并传递给中央控制器，或所述单晶炉信息预设在中央控制器中，并基于小车信息将一单晶炉信息和小车信息、晶棒检测结果关联在一起。
[0009]作为优选，所述单晶炉信息由小车通过无线方式连接单晶炉、由小车视觉识别单晶炉的信息、或由小车和单晶炉之间硬件触发而获得。
[0010]作为优选，所述小车信息包括小车位置信息，且中央控制器内预设有单晶炉的位
置信息；中央控制器基于小车位置信息将小车信息、晶棒检测结果和单晶炉信息关联在一起。
[0011]作为优选，将晶棒检测结果按单晶炉信息进行分类，基于晶棒检测结果的时间顺序进行排序，基于最近的N次晶棒检测结果计算平均值，并将平均值迭代为晶棒检测结果的新的标准值。
[0012]作为优选，在进行取平均值前，计算最近的N次晶棒检测结果是否有异常；具体，异常波动的判断方式为：预设晶棒检测结果的上下极限，若晶棒检测结果超过预设的晶棒检测结果的上极限或下极限，判断为异常。
[0013]作为优选，对晶棒检测结果为异常进行标记，并对单晶炉进行调控；在计算迭代的标准值时，剔除标记为异常波动的晶棒检测结果。
[0014]作为优选，除去异常的晶棒检测结果后，对晶棒检测结果和预设/不断迭代的标准值进行比较，得出偏差原因，判断晶棒质量是否可修正。
[0015]作为优选，偏差原因分为两种，第一偏差原因为，工艺参数的改变可修正；第二偏差原因为，单晶炉质量出现问题无法修正，只能维修。
[0016]本申请实施例中的上述一个或多个技术方案，至少具有如下一种或多种技术效果：
[0017]1、本申请实施例中，通过拉制出来的晶棒、单晶炉以及小车信息的关联，可以确定拉制出来的晶棒存在瑕疵是由于工艺条件改变导致的晶棒质量，还是由于单晶炉中的零部件的损坏的原因导致的晶棒质量，解决了现有技术中实际生产时影响晶棒质量的因素多，而判断原因的信息少的技术问题；达到了收集信息，判断影响晶棒质量的因素的技术效果。
附图说明
[0018]图1为本申请实施例中一种生长炉群控方法的结构示意图；
[0019]图2为图1中的一种具体流程图；
[0020]图3为图1中的另一种具体流程图；
[0021]图4为图1中的再一种具体流程图。
[0022]附图标记：
具体实施方式
[0023]本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
[0024]在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示
第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0025]为了更好的理解上述技术方案，下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明。
[0026]如附图1
‑
4所示，一种生长炉群控方法，作用于单晶炉，包括以下步骤：
[0027]S100，中央控制器接收信息，将单晶炉信息、小车信息以及晶棒检测结果关联在一起。
[0028]当需要对单晶炉中拉制出来的晶棒进行质量检测，确认是单晶炉中的零部件损坏，导致的晶棒质量出现瑕疵，还是单晶炉中的零部件没有问题，只是由于工艺参数的改变导致拉制出来的晶棒质量出现瑕疵。从而首先需要对单晶炉中的晶棒进行抓取转移到下一工序中，此时可以通过外置的小车把晶棒转移到下一工序中。具体的，可以通过单晶炉配套的机械手把晶棒转移到小车上，或者通过其它形式的夹持器把晶棒从单晶炉中取出。同时小车在运动到单晶炉附近时能够识别单晶炉的相关信息，中央控制器能够接收识别的信息。根据小车带动晶棒移动，使得小车和晶棒检测结果关联，基于小车对单晶炉的识别，从而使得单晶炉信息、小车信息以及晶棒检测结果关联在一起，从而有利于对从单晶炉中拉制出来的晶棒出现质量瑕疵，便于分析原因。
[0029]值得说明的是，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种生长炉群控方法，作用于单晶炉，其特征在于，包括以下步骤：中央控制器接收信息，将单晶炉信息、小车信息以及晶棒检测结果关联在一起；中央控制器将晶棒检测结果和预设/不断迭代的标准值进行对比，对对比结果中的偏差项进行分析，得出偏差原因；中央控制器基于偏差原因，判断晶体质量是否可修正，若可以修正，调整对应单晶炉的生长工艺，以使得当前状态的单晶炉实际工作环境满足下一次生长需求。2.如权利要求1所述的一种生长炉群控方法，其特征在于，小车具有检测工具可检测晶棒；在小车获取并检测一晶棒后，将小车信息和晶棒检测结果传递给中央控制器，其中，小车信息和晶棒检测结果由小车关联在一起并传递给中央控制器，或小车信息和晶棒检测结果由中央控制器在接收后关联在一起。3.如权利要求2所述的一种生长炉群控方法，其特征在于，所述单晶炉信息由小车获取并传递给中央控制器，或所述单晶炉信息预设在中央控制器中，并基于小车信息将一单晶炉信息和小车信息、晶棒检测结果关联在一起。4.如权利要求3所述的一种生长炉群控方法，其特征在于，所述单晶炉信息由小车通过无线方式连接单晶炉、由小车视觉识别单晶炉的信息、或由小车和单晶炉之间硬件触发而获得。5.如权利要求3所述的一种生长炉群控方法，其特征在于，所述小车信息...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹建伟，朱亮，傅林坚，叶钢飞，倪军夫，阮文星，彭天帅，郑丽霞，
申请(专利权)人：浙江晶盛机电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：