一种半导体生产用单晶炉制造技术

本发明专利技术涉及半导体生产技术领域，且公开了一种半导体生产用单晶炉，炉体内部的顶端位置活动套接有导流筒，炉体内部的底端固定安装有支撑板，支撑板两侧的套孔内部活动套接有螺旋筒，支撑板顶面中部活动安装有顶部与石墨坩埚底面固定连接的支撑转柱，导流筒的顶部呈环状均匀开设有进气孔，导流筒内壁靠近导气口一侧开设有与进气孔连通的喇叭口，炉体内壁位于导流筒顶部位置固定安装有定位环，导流筒内部开设有与进气孔、喇叭口连通的L型液压孔，支撑板顶面中部开设有与支撑转柱活动套接的限位槽，该单晶炉通过对导流筒的改进以及支撑板的设计，大大提高了硅棒拉出时的稳定性，保证了成型质量。型质量。型质量。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体生产用单晶炉


[0001]本专利技术涉及半导体生产
，具体为一种半导体生产用单晶炉。

技术介绍

[0002]集成电路是采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构，其中对于半导体的要求很高，因此在生产的时候需要保证硅片的质量，而硅片由单晶硅制成，单晶硅的生产多采用直拉法制备，即通过在单晶炉中拉出一根硅棒，虽然现有技术已经比较成熟，但是单晶炉还是存在一定的不足：
[0003]1、在进行单晶硅的制备时先由籽晶在单晶炉中拉出一根单晶硅棒，然后对单晶硅棒进行加工处理从而得到单晶硅，而上述过程又必须在充满惰性气体的环境中进行，因此就需要不断地向单晶炉中通入保护气，而现有的是从单晶炉的开口就向内部通气，这样会导致进入到导流筒内的气体分散不均匀，同时在进行等径工艺的时候坩埚与导流筒之间的距离减小，此时会导致气流的流动通过空间变小，如果保持一个稳定的气压输入就容易造成熔融的硅液晃动，从而导致拉出来的硅棒直径不符合要求；
[0004]2、在进行籽晶向上拉伸拉出单晶硅棒的过程中会带动坩埚一起转动，而坩埚的转动需要额外的驱动源来提供，同时在等径工艺的时候为了保证导流筒与坩埚内液面距离保持不变就需要向上移动坩埚，而坩埚一旦上移就会造成其顶部位置不与加热器接触，从而其温度不均匀就会影响到硅液的质量和硅棒成型，同时移动坩埚也容易造成晃动，这些都会造成硅棒成型质量差。
专利技术内容
[0005]针对上述
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的不足，本专利技术提供了一种半导体生产用单晶炉，具备硅棒成型效果好的优点，解决了
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提出的问题。
[0006]本专利技术提供了一种适用于园林灌溉的供水装置，具备便于控制向各喷头的供水量的优点，解决了
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中提到的技术问题。
[0007]本专利技术提供如下技术方案：一种半导体生产用单晶炉，包括炉体，所述炉体的顶部开设有炉口，所述炉体的底部开设有排气口，所述炉体内部的顶端位置活动套接有导流筒，所述炉体内部的底端固定安装有支撑板，所述支撑板的两侧开设有套孔，所述支撑板顶部的外圈位置固定安装有加热器，所述加热器的内圈活动套接有石墨坩埚，所述石墨坩埚的内部固定安装有石英坩埚，所述支撑板的底部固定安装有与加热器电性连接的电极，所述支撑板顶面中部活动安装有顶部与石墨坩埚底面固定连接的支撑转柱，所述炉体顶部的两侧开设有伸入到导流筒顶部处的进气口，所述导流筒中部开设有导气口，所述导气口顶部的边缘与炉口边缘之间固定连接有波纹管，所述导流筒的顶部呈环状均匀开设有进气孔，所述导流筒内壁靠近导气口一侧开设有与进气孔连通的喇叭口。
[0008]优选的，所述炉体内壁位于导流筒顶部位置固定安装有定位环，所述导流筒内部
开设有与进气孔、喇叭口连通的L型液压孔，所述定位环底面固定连接有底端套接在液压孔中的限位柱塞，所述液压孔的水平段活动套接有活塞，所述喇叭口内部活动套接有一端与活塞中部固定连接的调节头。
[0009]优选的，所述限位柱塞套接进液压孔的长度大于导流筒可滑动的最大长度，所述调节头呈锥状置于喇叭口中，所述液压孔中位于限位柱塞与活塞之间采用液压传动密封。
[0010]优选的，所述炉体内壁位于导流筒底部位置固定安装有支撑环，所述支撑环与导流筒底面之间固定连接有复位弹簧，所述套孔内部活动套接有螺旋筒，所述支撑板顶面中部开设有与支撑转柱活动套接的限位槽。
[0011]优选的，所述支撑转柱位于限位槽内部处外圈固定安装有第一齿环，所述螺旋筒中部外圈固定安装有第二齿环，所述支撑板内部位于套孔与限位槽之间的位置开设有传动腔，所述传动腔内部活动套接有两侧分别与第一齿环、第二齿环啮合传动的传动齿轮。
[0012]优选的，所述复位弹簧采用耐高温材料制成，所述复位弹簧始终处于压缩状态。
[0013]优选的，所述螺旋筒采用轴承活动安装在套孔内部且摩擦力小，所述螺旋筒内圈设置有螺旋叶。
[0014]优选的，所述支撑转柱与套孔的内壁内外圈之间不接触，所述支撑转柱的底面与限位槽底壁之间均采用耐磨材料制成。
[0015]本专利技术具备以下有益效果：
[0016]1、通过在炉体内部设置可活动的导流筒，并且配合进气口和波纹管改变进气方式，相较于现有技术来说，利用在导流筒上开设有进气孔和喇叭口，将从进气口进来的保护气体均匀的分散到导流筒内部，同时导流筒是可上下滑动式，保证了根据位置变化或者气压变化时能通过定位环与导流筒之间的限位柱塞控制调节头的移动情况，进而就实现了对于出气量的调节，从而使得坩埚内的硅液不会受到气流影响，保证硅棒拉出的质量。
[0017]2、通过设置导流筒配合定位环和支撑环，并且和二者之间具有连接作用关系，同时在炉体内的支撑板上设置螺旋筒配合支撑转柱工作，相较于现有技术来说，根据坩埚的总重量变化带来支撑转柱转动的阻力变化，从而影响到螺旋筒转动的阻力变化，进而根据螺旋筒的导流情况实现导流筒上下气压差不再处于稳定值，就会带动导流筒向下移动，以此来代替坩埚的上移，这样就可以保证坩埚内的硅液不受影响，同时利用螺旋筒的转动传递来带动支撑转柱的转动可以节省转动柱和驱动结构，更加地方便。
附图说明
[0018]图1为本专利技术结构整体示意图；
[0019]图2为本专利技术结构整体俯视图；
[0020]图3为本专利技术内部结构示意图；
[0021]图4为图2中A
‑
A剖面图；
[0022]图5为图4中B
‑
B剖面图；
[0023]图6为图3中C处放大图。
[0024]图中：1、炉体；101、炉口；102、排气口；103、进气口；2、导流筒；201、导气口；202、进气孔；203、液压孔；204、喇叭口；3、支撑板；301、套孔；302、限位槽；303、传动腔；4、加热器；5、石墨坩埚；6、石英坩埚；7、电极；8、支撑转柱；801、第一齿环；9、波纹管；10、定位环；11、支
撑环；12、复位弹簧；13、限位柱塞；14、活塞；15、调节头；16、螺旋筒；1601、第二齿环；17、传动齿轮。
具体实施方式
[0025]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0026]请参阅附图1、附图2、附图3、附图4、附图6，一种半导体生产用单晶炉，包括炉体1，炉体1的顶部开设有炉口101，炉体1的底部开设有排气口102，炉体1内部的顶端位置活动套接有导流筒2，炉体1内部的底端固定安装有支撑板3，支撑板3的两侧开设有套孔301，支撑板3顶部的外圈位置固定安装有加热器4，加热器4的内圈活动套接有石墨坩埚5，石墨坩埚5的内部固定安装有石英坩埚6，支撑板3的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体生产用单晶炉，包括炉体(1)，其特征在于：所述炉体(1)的顶部开设有炉口(101)，所述炉体(1)的底部开设有排气口(102)，所述炉体(1)内部的顶端位置活动套接有导流筒(2)，所述炉体(1)内部的底端固定安装有支撑板(3)，所述支撑板(3)的两侧开设有套孔(301)，所述支撑板(3)顶部的外圈位置固定安装有加热器(4)，所述加热器(4)的内圈活动套接有石墨坩埚(5)，所述石墨坩埚(5)的内部固定安装有石英坩埚(6)，所述支撑板(3)的底部固定安装有与加热器(4)电性连接的电极(7)，所述支撑板(3)顶面中部活动安装有顶部与石墨坩埚(5)底面固定连接的支撑转柱(8)，所述炉体(1)顶部的两侧开设有伸入到导流筒(2)顶部处的进气口(103)，所述导流筒(2)中部开设有导气口(201)，所述导气口(201)顶部的边缘与炉口(101)边缘之间固定连接有波纹管(9)，所述导流筒(2)的顶部呈环状均匀开设有进气孔(202)，所述导流筒(2)内壁靠近导气口(201)一侧开设有与进气孔(202)连通的喇叭口(204)；所述炉体(1)内壁位于导流筒(2)顶部位置固定安装有定位环(10)，所述导流筒(2)内部开设有与进气孔(202)、喇叭口(204)连通的L型液压孔(203)，所述定位环(10)底面固定连接有底端套接在液压孔(203)中的限位柱塞(13)，所述限位柱塞(13)套接进液压孔(203)的长度大于导流筒(2)可滑动的最大长度，所述液压孔(203)的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李伯华，张军驰，于向前，
申请(专利权)人：徐州康信软件技术有限公司，
类型：发明
国别省市：