一种防下沉炉底结构和单晶炉制造技术

本实用新型专利技术提供一种防下沉炉底结构，包括石墨毡保温层，所述石墨毡保温层上部设有护盘压片，所述石墨毡保温层下部设有固化毡保温层，所述固化毡保温层铺设在单晶炉底，所述护盘压片和石墨毡保温层设置在下保温筒内侧，所述固化毡保温层设置在所述下保温筒底部，用于支撑所述下保温筒。本实用新型专利技术还提供一种设有该防下沉炉底结构的单晶炉。本实用新型专利技术的有益效果是提高了单晶炉底部保温层的稳固性，保证单晶炉热场在工作过程中不会下沉，使单晶在拉制过程中受热均匀，提高了单晶的质量。提高了单晶的质量。提高了单晶的质量。

【技术实现步骤摘要】
一种防下沉炉底结构和单晶炉


[0001]本技术属于单晶炉
，尤其是涉及一种防下沉炉底结构和单晶炉。

技术介绍

[0002]直拉法生长单晶硅是目前生产单晶硅最广泛的应用技术，单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备。
[0003]由于石墨毡导热率低，在现有技术中，如图1所示，单晶炉底部铺设石墨毡保温层用于保温。石墨毡保温层上部放置护盘压片，支撑下保温筒，从而实现对单晶炉热场的支撑。由于石墨毡保温层直接受力，且压缩比较大，很容易出现下沉的现象，导致单晶炉体内整体热场不均匀下沉，热场高度不统一，出现歪斜不水平，单晶在拉制过程中，受热不均，影响单晶质量。

技术实现思路

[0004]为解决上述技术问题，本技术提供一种防下沉炉底结构，有效的解决了单晶炉热场下沉的问题，克服了现有技术的不足。
[0005]本技术采用的技术方案是：一种防下沉炉底结构，包括石墨毡保温层，所述石墨毡保温层上部设有护盘压片，所述石墨毡保温层下部设有固化毡保温层，所述固化毡保温层铺设在单晶炉底，所述护盘压片和石墨毡保温层设置在下保温筒内侧，所述固化毡保温层设置在所述下保温筒底部，用于支撑所述下保温筒。
[0006]进一步，所述固化毡保温层上部与所述下保温筒底部的接触处设有支撑环。
[0007]进一步，所述支撑环的宽度大于所述下保温筒的厚度。
[0008]进一步，所述固化毡保温层上部设有第一凹槽，用于放置所述支撑环。
[0009]进一步，所述第一凹槽的深度与所述支撑环的高度相同。
[0010]进一步，所述支撑环顶部设有第二凹槽，用于放置所述下保温筒。
[0011]进一步，所述第二凹槽的宽度与所述下保温筒的厚度相同。
[0012]进一步，所述护盘压片与所述石墨毡保温层的直径相同。
[0013]进一步，所述石墨毡保温层的高度大于所述固化毡保温层的高度。
[0014]本技术还提供一种单晶炉，底部设置如上任一所述的防下沉炉底结构。
[0015]本技术具有的优点和积极效果是：由于采用上述技术方案，提高了单晶炉底部保温层的稳固性，保证单晶炉热场在工作过程中不会下沉，使单晶在拉制过程中受热均匀，提高了单晶的质量。
附图说明
[0016]图1是现有技术的炉底结构示意图。
[0017]图2是本技术实施例一种防下沉炉底结构示意图。
[0018]图3是本技术实施例一种防下沉炉底结构局部放大图。
[0019]图4是本技术实施例一种防下沉炉底结构局部放大图。
[0020]图5是本技术实施例一种防下沉炉底结构局部放大图。
[0021]图6是本技术实施例一种防下沉炉底结构固化毡保温层俯视图。
[0022]图7是本技术实施例一种防下沉炉底结构支撑环俯视图。
[0023]图中：
[0024]10、石墨毡保温层
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20、护盘压片
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30、支撑环
[0025]31、凹槽
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32、内凹面
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40、固化毡保温层
[0026]41、环形凹槽
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42、主电极柱孔
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43、底部电极柱孔
[0027]44、导气孔
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50、下保温筒
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60、单晶炉底
具体实施方式
[0028]本技术实施例提供了一种防下沉炉底结构，下面结合附图对本技术的实施例做出说明。
[0029]如图2所示，本技术实施例一种防下沉炉底结构，包括石墨毡保温层10和固化毡保温层40，固化毡保温层40铺设在单晶炉底60，下保温筒50放置在固化毡保温层40顶部，石墨毡保温层10放置在固化毡保温层40上部，位于下保温筒50内部，石墨毡保温层10顶部设置护盘压片20。由于石墨毡保温层10和护盘压片20设置在下保温筒50内部，因此不再承受整个热场的压力。下保温筒50设置在固化毡保温层40顶部，由固化毡保温层40支撑整个热场，固化毡保温层40的压缩比小于石墨毡保温层10，不易变形，可以稳固支撑整个热场，从而解决了热场下沉的问题。
[0030]具体的，为了进一步稳固支撑热场，在固化毡保温层40上部与下保温筒50底部的接触处设有支撑环30，支撑环30为圆环结构，下保温筒50的底部放置在支撑环30上，支撑环30材质选用石墨。
[0031]具体的，支撑环30的宽度大于下保温筒50的厚度。
[0032]具体的，如图6所示，为了使支撑环30与下保温筒50可以很好的对中与定位，在固化毡保温层40顶部与下保温筒50底部的接触部设置环形凹槽41，用于放置支撑环30。环形凹槽41的宽度与支撑环30的宽度适配。
[0033]具体的，为了便于安装单晶炉上部的结构，固化毡保温层40的顶部需为水平面，因此环形凹槽41的深度与支撑环30的高度相同。
[0034]具体的，如图7所示，支撑环30的顶部平面设有凹槽31，下保温筒50底部放置在凹槽31内可以很好的定位。凹槽31的位置不做限制。可以如图3所示，凹槽31位于支撑环30的内侧，环形凹槽41的侧面与凹槽31形成封闭空间对下保温筒50底部进行定位。可以如图4所示，凹槽31设置在支撑环30中部。可以如图5所示，凹槽31设置在支撑环30外侧。
[0035]具体的，凹槽31的宽度与下保温筒50的厚度相同。
[0036]具体的，护盘压片20与石墨毡保温层10的直径相同。
[0037]具体的，由于石墨毡的导热率低于固化毡，为了保证良好的保温效果，石墨毡保温层10的高度大于固化毡保温层40的高度。
[0038]实施例：一种防下沉炉底结构，包括石墨毡保温层10和固化毡保温层40，固化毡保
温层40铺设在单晶炉底60，下保温筒50放置在固化毡保温层40顶部，石墨毡保温层10放置在固化毡保温层40上部，位于下保温筒50内部，石墨毡保温层10顶部设置护盘压片20。在固化毡保温层40顶部与下保温筒50底部的接触部设置环形凹槽41，环形凹槽41内放置支撑环30，支撑环30的宽度大于下保温筒50的厚度。环形凹槽41的宽度与支撑环30的宽度适配。环形凹槽41的深度与支撑环30的高度相同。在支撑环30的顶部内侧设有凹槽31，环形凹槽41的侧面与凹槽31形成封闭空间对下保温筒50底部进行定位。凹槽31的宽度与下保温筒50的厚度相同。护盘压片20与石墨毡保温层10的直径相同。石墨毡保温层10的高度大于固化毡保温层40的高度。如图6所示，护盘压片20、石墨毡保温层10、固化毡保温层40的中央设有通孔，用于穿过坩埚轴。通孔周围设有四个主电极柱孔42、两个底部电极柱孔43和两个导气本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防下沉炉底结构，包括石墨毡保温层，所述石墨毡保温层上部设有护盘压片，其特征在于：所述石墨毡保温层下部设有固化毡保温层，所述固化毡保温层铺设在单晶炉底，所述护盘压片和石墨毡保温层设置在下保温筒内侧，所述固化毡保温层设置在所述下保温筒底部，用于支撑所述下保温筒。2.根据权利要求1所述的一种防下沉炉底结构，其特征在于：所述固化毡保温层上部与所述下保温筒底部的接触处设有支撑环。3.根据权利要求2所述的一种防下沉炉底结构，其特征在于：所述支撑环的宽度大于所述下保温筒的厚度。4.根据权利要求2所述的一种防下沉炉底结构，其特征在于：所述固化毡保温层上部设有第一凹槽，用于放置所述支撑环。5.根据权利要求4所述的一种防下沉炉底结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：李鹏飞，许建，王建平，王林，
申请(专利权)人：内蒙古中环晶体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：