【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池领域，更具体地，涉及一种硅棒的少子寿命分析方法。
技术介绍
1、目前，单晶硅片所使用的单晶硅棒在大规模量产过程中采用多次拉晶法，即同一坩埚通过连续复投，产出多根晶棒；但是由于金属杂质分凝系数很低，多数金属杂质留在埚底中，从而导致晶棒靠后根数的少子寿命较靠前少子寿命偏低。而目前仅仅管控硅棒最低少子寿命，导致整体硅片的少子寿命存在不均匀现象，从而使电池效率不稳定。
2、因此，亟需提供一种硅棒的少子寿命分析方法，能够计算单晶硅片少子寿命分布，并稳定各批次硅片电池效率。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供了一种硅棒的少子寿命分析方法，包括以下步骤：
2、预设单晶硅棒的标准少子寿命值；
3、获取任一批次所述单晶硅棒的检测数据列表；
4、根据所述检测数据列表，按照线性规则判断每根所述单晶硅棒满足所述标准少子寿命值的晶体长度，获得标准晶体长度值；
5、将所述标准晶体长度值存储至所述检测数据列表中；
6、获取所述检测数据列表中任一批次所述单晶硅棒的标准晶体总长度值以及晶体总长度值；
7、根据所述标准晶体总长度值以及所述晶体总长度值，得到所述标准晶体总长度值和所述晶体总长度值的比值，所述比值为该批次所述单晶硅棒的实际少子寿命分布值；
8、根据该批次单晶硅棒的所述实际少子寿命分布值，验证该批次单晶硅棒制备的太阳能电池的电池效率；
9、获取任一批次所述单晶硅棒，稳定
10、可选的，所述单晶硅棒为p型掺镓单晶硅棒，所述标准少子寿命值为250μs；或者，所述单晶硅棒为n型掺磷单晶硅棒，所述标准少子寿命值为2500μs。
11、可选的，所述检测数据列表包括：晶体长度值、晶体头部少子寿命值和晶体尾部少子寿命值。
12、可选的，所述线性规则包括：
13、判断所述晶体尾部少子寿命值是否大于所述标准少子寿命值；
14、所述晶体尾部少子寿命值大于所述标准少子寿命值，所述标准晶体长度值为所述晶体长度值；
15、或者，
16、所述晶体尾部少子寿命值小于或等于所述标准少子寿命值，则判断所述晶体头部少子寿命值是否大于所述标准少子寿命值；
17、所述晶体头部少子寿命值大于所述标准少子寿命值，计算所述标准晶体长度值；
18、或者，
19、所述晶体头部少子寿命值小于或等于所述标准少子寿命值，所述标准晶体长度值为零。
20、可选的，所述计算所述标准晶体长度值包括：
21、获得临时晶体长度，将所述临时晶体长度取整数值，所述整数值为所述标准晶体长度值；
22、所述临时晶体长度值＝晶体长度值×(头部少子寿命值-标准少子寿命值)÷(头部少子寿命值-尾部少子寿命值)。
23、可选的，所述每根所述单晶硅棒按照线性规则得到满足所述标准少子寿命值的晶体长度之前包括：
24、根据所述检测数据列表判断所述单晶硅棒的类型。
25、可选的，所述检测数据列表包括晶体编码；根据所述晶体编码判断所述单晶硅棒的类型。
26、可选的，所述验证该批次单晶硅棒制备的太阳能电池的电池效率,包括：
27、根据任一批次所述单晶硅棒的所述实际少子寿命分布值，将各批次所述单晶硅棒分档；
28、获取任一档位内任一批次所述单晶硅棒，制备太阳能电池；
29、预设各档位所述太阳能电池的电池效率，得到预设电池效率值；
30、验证各档位所述太阳能电池的电池效率，得到实际电池效率值；
31、所述实际电池效率值等于所述预设电池效率值，直接存储该批次太阳能电池的实际电池效率值；
32、或者，
33、所述实际电池效率值不等于所述预设电池效率值，根据所述实际电池效率值调整所述预设电池效率值，存储该批次太阳能电池的实际电池效率值。
34、可选的，所述稳定该批次单晶硅棒的所述实际少子寿命分布值，包括：
35、预设任一批次所述单晶硅棒的少子寿命分布，获得预设少子寿命分布值；
36、判断所述实际少子寿命分布值是够符合所述预设少子寿命分布值；
37、所述实际少子寿命分布值大于或等于所述预设少子寿命分布值，所述单晶硅棒进入下一工序；
38、或者，
39、所述实际少子寿命分布值小于所述预设少子寿命分布值，提高该批次所述单晶硅棒的少子寿命分布值。
40、可选的，提高该批次所述单晶硅棒的少子寿命分布值，包括：
41、筛选该批次所述单晶硅棒中的不良硅棒，所述不良硅棒具有低少子寿命值；
42、判断库存硅棒是否具有高少子寿命值；
43、所述库存硅棒具有高少子寿命值，将所述库存硅棒替换所述不良硅棒；
44、或者，
45、所述库存硅棒不具有高少子寿命值，提高所述库存硅棒少子寿命值。
46、与现有技术相比，本专利技术提供的一种硅棒的少子寿命分析方法，至少实现了如下的有益效果：
47、本专利技术提供的一种硅棒的少子寿命分析方法，包括：预设单晶硅棒的标准少子寿命值；获取任一批次单晶硅棒的检测数据列表；根据检测数据列表，按照线性规则判断每根单晶硅棒满足标准少子寿命值的晶体长度，获得标准晶体长度值；将标准晶体长度值存储至检测数据列表中；获取检测数据列表中任一批次单晶硅棒的标准晶体总长度值以及晶体总长度值；根据标准晶体总长度值以及晶体总长度值，得到标准晶体总长度值和晶体总长度值的比值，比值为该批次单晶硅棒的实际少子寿命分布值；根据该批次单晶硅棒的实际少子寿命分布值，验证该批次单晶硅棒制备的太阳能电池的电池效率；获取任一批次单晶硅棒，稳定该批次单晶硅棒的实际少子寿命分布值。通过计算单晶硅棒实际少子寿命分布值，得到硅棒少子寿命分布值与太阳能电池的电池效率间的关系，并在量产过程中，通过稳定硅棒实际少子寿命分布值，从而达到稳定客户端电池效率的目的。
48、当然，实施本专利技术的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
49、通过以下参照附图对本专利技术的示例性实施例的详细描述，本专利技术的其它特征及其优点将会变得清楚。
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1.一种硅棒的少子寿命分析方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种硅棒的少子寿命分析方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的一种硅棒的少子寿命分析方法，其特征在于，所述检测数据列表包括：晶体长度值、晶体头部少子寿命值和晶体尾部少子寿命值。
4.根据权利要求3所述的一种硅棒的少子寿命分析方法，其特征在于，所述线性规则包括：
5.根据权利要求4所述的一种硅棒的少子寿命分析方法，其特征在于，所述计算所述标准晶体长度值包括：
6.根据权利要求1所述的一种硅棒的少子寿命分析方法，其特征在于，所述每根所述单晶硅棒按照线性规则得到满足所述标准少子寿命值的晶体长度之前包括：
7.根据权利要求6所述的一种硅棒的少子寿命分析方法，其特征在于，所述检测数据列表包括晶体编码；根据所述晶体编码判断所述单晶硅棒的类型。
8.根据权利要求1所述的一种硅棒的少子寿命分析方法，其特征在于，所述验证该批次单晶硅棒制备的太阳能电池的电池效率,包括：
9.根据权利要求1所述的一种硅棒的少子寿命分析方
10.根据权利要求9所述的一种硅棒的少子寿命分析方法，其特征在于，提高该批次所述单晶硅棒的少子寿命分布值，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种硅棒的少子寿命分析方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种硅棒的少子寿命分析方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的一种硅棒的少子寿命分析方法，其特征在于，所述检测数据列表包括：晶体长度值、晶体头部少子寿命值和晶体尾部少子寿命值。
4.根据权利要求3所述的一种硅棒的少子寿命分析方法，其特征在于，所述线性规则包括：
5.根据权利要求4所述的一种硅棒的少子寿命分析方法，其特征在于，所述计算所述标准晶体长度值包括：
6.根据权利要求1所述的一种硅棒的少子寿命分析方法，其特征在于，所述每根所述单晶硅棒按照...
【专利技术属性】
技术研发人员：李凤春，徐涛，陈铭，龙昭钦，
申请(专利权)人：四川晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：
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