一种加热盘对中调节装置及调节方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体加工制造技术领域，更具体的说，涉及一种加热盘对中调节装置及调节方法。本发明专利技术提供了一种加热盘对中调节装置，包括机械手适配工装，用于放置晶圆型中心校准片，实现晶圆型中心校准片与机械手的定位校准；腔室基准工装，放置于腔室内，用于实现对腔室内径中心点的定位；加热盘基准工装，放置于加热盘上，用于实现对加热盘中心的定位；自动教学系统，通过晶圆型中心校准片采集腔室基准工装和加热盘基准工装的定位信息，获得当前加热盘与腔室的中心位置偏差。本发明专利技术通过三种工装实现利用ATS设备对机械手、腔室和加热盘三者之间的定位，实现了加热盘对中在真空下的调节，调节效率更高，提高复机时间。提高复机时间。提高复机时间。

【技术实现步骤摘要】
一种加热盘对中调节装置及调节方法


[0001]本专利技术涉及半导体加工制造
，更具体的说，涉及一种加热盘对中调节装置及调节方法。

技术介绍

[0002]现有的半导体镀膜设备在工艺过程中大多采用圆形加热盘来对晶圆或其他形式的薄膜基底进行加热。另外，这些加热盘还对晶圆或其他形式的薄膜基底有着承载及定位的作用。
[0003]例如，在进行等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在半导体表面形成固态薄膜的成膜过程中，首先需要将加热盘与真空腔室的中心位置进行定位，再将真空机械手上盛放的晶圆精确地置于加热盘的中心位置。
[0004]这就要求需要对机械手、真空腔室以及加热盘的相对中心位置进行精确定位，现有的对于加热盘的对中调节方法为在大气下用卡尺进行量测，量测加热盘在x+、x
‑
、y+、y
‑
方向相对于真空腔室的距离，根据计算的差值调节加热盘下方的3个顶丝。
[0005]上述加热盘对中调节方法存在以下问题：
[0006]1)测量调节环境为大气环境，大气环境下的对中调节与实际工艺过程真空下的对中存在误差；
[0007]2)卡尺的量测过程受操作者的影响很大，操作者的手法不同会产生很大的量测误差；。
[0008]3)对于多腔室设备需要逐站调节，复机时间较长。
[0009]因此，现有的加热盘对中调节装置难以对真空机械手、腔室与加热盘的相对位置进行精确定位，从而难以保证晶圆与加热盘同心，进而影响成膜的质量。

技术实现思路

[0010]本专利技术的目的是提供一种加热盘对中调节装置及调节方法，解决现有技术对加热盘的对中调节精确度低的问题。
[0011]为了实现上述目的，本专利技术提供了一种加热盘对中调节装置，包括机械手适配工装、腔室基准工装和加热盘基准工装：
[0012]所述机械手适配工装，用于放置晶圆型中心校准片，实现晶圆型中心校准片与机械手的定位校准；
[0013]所述腔室基准工装，放置于腔室内，用于实现对腔室内径中心点的定位；
[0014]所述加热盘基准工装，放置于加热盘上，用于实现对加热盘中心的定位；
[0015]自动教学系统，通过晶圆型中心校准片采集腔室基准工装和加热盘基准工装的定位信息，获得当前加热盘与腔室的中心位置偏差。
[0016]在一实施例中，所述机械手适配工装为圆环形，内径尺寸大于等于晶圆型中心校准片的外径。
[0017]在一实施例中，所述机械手适配工装为圆环形，外径尺寸小于等于机械手的内径。
[0018]在一实施例中，所述腔室基准工装为半圆环结构，圆环中心设置第一标靶。
[0019]在一实施例中，所述腔室基准工装的半圆环内部，径向均匀分布数根第一支架。
[0020]在一实施例中，所述第一支架数量为至少三根。
[0021]在一实施例中，所述腔室基准工装，边缘设置有定位止口，与腔室内壁的内径进行匹配定位。
[0022]在一实施例中，所述加热盘基准工装为圆环结构，圆环中心设置第二标靶。
[0023]在一实施例中，所述加热盘基准工装的圆环内部，径向均匀分布数根第二支架。
[0024]在一实施例中，所述第二支架数量为至少三根。
[0025]在一实施例中，所述加热盘基准工装的支架外端边缘设置有球头柱塞，通过球头柱塞与加热盘实现自定位。
[0026]为了实现上述目的，本专利技术提供了一种加热盘对中调节方法，采用如上述任一项所述的加热盘对中调节装置实现，包括以下步骤：
[0027]将腔室基准工装放置于待调节的腔室内；
[0028]将机械手适配工装放置于机械手，将晶圆型中心校准片放置于机械手适配工装，旋转机械手至待测试的腔室上方；
[0029]自动教学系统，通过晶圆型中心校准片采集腔室基准工装的定位信息；
[0030]将加热盘基准工装，放置于加热盘上；
[0031]自动教学系统，通过晶圆型中心校准片采集加热盘基准工装的定位信息，获得当前加热盘与腔室的中心位置偏差。
[0032]本专利技术提出的一种加热盘对中调节装置及调节方法，通过三种工装实现利用ATS设备对机械手、腔室和加热盘三者之间的定位，将ATS放在机械手上像晶圆一样进行传片，实现了加热盘对中在真空下的调节，可一次开关腔对多个腔室进行调节，效率更高，提高复机时间。
附图说明
[0033]本专利技术上述的以及其他的特征、性质和优势将通过下面结合附图和实施例的描述而变的更加明显，在附图中相同的附图标记始终表示相同的特征，其中：
[0034]图1揭示了根据本专利技术一实施例的加热盘对中调节装置的工装结构爆炸示意图；
[0035]图2揭示了根据本专利技术一实施例的机械手适配工装与晶圆型中心校准片的安装位置示意图；
[0036]图3a揭示了根据本专利技术一实施例的腔室基准工装安装位置示意图；
[0037]图3b揭示了根据本专利技术一实施例的腔室基准工装与ATS的相对位置示意图；
[0038]图4a揭示了根据本专利技术一实施例的腔室基准工装的立体结构示意图；
[0039]图4b揭示了根据本专利技术一实施例的腔室基准工装的局部示意图；
[0040]图5a揭示了根据本专利技术一实施例的加热盘基准工装安装位置示意图；
[0041]图5b揭示了根据本专利技术一实施例的加热盘基准工装与ATS的相对位置示意图；
[0042]图6a揭示了根据本专利技术一实施例的加热盘基准工装的立体结构示意图；
[0043]图6b揭示了根据本专利技术一实施例的加热盘基准工装的局部示意图；
[0044]图7揭示了根据本专利技术一实施例的加热盘对中调节方法流程图；
[0045]图8揭示了根据本专利技术一实施例的加热盘对中调节装置的整体调节示意图；
[0046]图9揭示了根据本专利技术一实施例的加热盘对中调节装置的测量结果图。
[0047]图中各附图标记的含义如下：
[0048]100机械手适配工装；
[0049]200腔室基准工装；
[0050]201第一标靶；
[0051]202腔室；
[0052]203第一支架；
[0053]204直径边；
[0054]205定位止口；
[0055]300加热盘基准工装；
[0056]301第二标靶；
[0057]302加热盘；
[0058]303第二支架；
[0059]304球头柱塞；
[0060]400晶圆型中心校准片。
具体实施方式
[0061]为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释专利技术，并不用于限定专利技术。
[0062]在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种加热盘对中调节装置，其特征在于，包括机械手适配工装、腔室基准工装和加热盘基准工装：所述机械手适配工装，用于放置晶圆型中心校准片，实现晶圆型中心校准片与机械手的定位校准；所述腔室基准工装，放置于腔室内，用于实现对腔室内径中心点的定位；所述加热盘基准工装，放置于加热盘上，用于实现对加热盘中心的定位；自动教学系统，通过晶圆型中心校准片采集腔室基准工装和加热盘基准工装的定位信息，获得当前加热盘与腔室的中心位置偏差。2.根据权利要求1所述的加热盘对中调节装置，其特征在于，所述机械手适配工装为圆环形，内径尺寸大于等于晶圆型中心校准片的外径；外径尺寸小于等于机械手的内径。3.根据权利要求1所述的加热盘对中调节装置，其特征在于，所述腔室基准工装为半圆环结构，圆环中心设置第一标靶，用于提供腔室的定位信息。4.根据权利要求3所述的加热盘对中调节装置，其特征在于，所述腔室基准工装的半圆环内部，沿径向均匀分布数根第一支架。5.根据权利要求4所述的加热盘对中调节装置，其特征在于，所述第一支架的数量为至少三根。6.根据权利要求3所述的加热盘对中调节装置，其特征在于，所述腔室基准工装的直径边，突出半圆环边缘设...

【专利技术属性】
技术研发人员：张闯闯，崔雨，王燚，贾闯，
申请(专利权)人：拓荆科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：